「element effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the stability of the property of a magnetoresistive effect element under a high-temperature environment by reducing the variation of the resistance value of the magnetoresistive effect element before and after it is placed in the high-temperature environment.例文帳に追加

高温環境下に置かれてもその前後での磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を低減し、高温環境に対する特性の安定性を高める。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE HEAD, MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置および磁気メモリ - 特許庁

The magnetoresistance effect element has a lower layer, a tunnel barrier layer 8 and an upper layer.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、下部層と、トンネルバリア層８と、上部層とを有している。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、および磁気メモリ装置とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR APPLYING MAGNETIC HEAD USING MAGNETO- RESISTIVE EFFECT ELEMENT TO MAGNETIC RECORDER例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子を用いた磁気ヘッドの磁気記録装置への適用方法 - 特許庁

Thus, magnetic field leaking from wiring provided adjacent to the magnetoresistance effect element 62 can be effectively prevented from reaching the magnetoresistance effect element 62.例文帳に追加

これにより、磁気抵抗効果素子６２の近傍に設けられた配線からの漏洩磁界が磁気抵抗効果素子６２に達するのを効果的に防止することができる。 - 特許庁

The shield magnetic film 22 is used both as an upper magnetic pole of the first magneto-resistance effect element 41 side and a lower magnetic pole of the second magneto-resistance effect element 42.例文帳に追加

シールド磁性膜２２は、第１磁気抵抗効果素子４１側の上部磁性磁極と、第２磁気抵抗効果素子４２側の下部磁性磁極とを兼用する。 - 特許庁

FORM AND MANUFACTURE OF GIANT MAGNETO-RESISTANCE ELEMENT BASED UPON TUNNEL EFFECT AS PRINCIPLE例文帳に追加

トンネル効果を原理とする巨大磁気抵抗素子の形態およびその製造方法 - 特許庁

To sufficiently obtain a heat radiation effect for heat generated in a photoelectric element of an optical module.例文帳に追加

光モジュールの光電素子で発生する熱の放熱効果を十分に得る。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND ITS FABRICATING METHOD AND METHOD FOR FORMING COMPOUND MAGNETIC THIN FILM例文帳に追加

磁気抵抗素子とその製造方法、および化合物磁性薄膜の形成方法 - 特許庁

Magnetoresistance effect element includes a magnetization fixed layer 3 in which a magnetization direction is fixed.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子は、磁化の方向が固定された磁化固定層３を含む。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, BASE, WAFER, HEAD GIMBAL ASSEMBLY, AND HARD DISC DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、基体、ウェハ、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

有機半導体薄膜形成方法、半導体素子及び有機電界効果トランジスタ - 特許庁

A bimorph type is used as the piezoelectric element 3, thereby suppressing the noise due to its pyro effect.例文帳に追加

圧電素子３をバイモルフ型のものとして、パイロ効果によるノイズを抑制する。 - 特許庁

The MR element 104 has a magnetic tunnel effect coupling sandwitched between electrode layers 52-57.例文帳に追加

ＭＲ素子104は、電極層52〜57間に挟まれた磁気トンネル効果結合を有する。 - 特許庁

ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SWITCHING ELEMENT例文帳に追加

有機半導体材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 - 特許庁

To effectively protect an overcurrent even when a control element is a field-effect transistor.例文帳に追加

制御素子が電界効果トランジスタの場合でも過電流保護を有効に行う。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD HAVING THE MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, HEAD GIMBAL ASSEMBLY HAVING THE THIN FILM MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC DISC DEVICE HAVING THE HEAD GIMBALS ASSEMBLY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic light-emitting element capable of obtaining cleaning effect and good element characteristics by UV ozone treatment with high cleaning effect.例文帳に追加

洗浄効果や洗浄効率の高いＵＶオゾン処理を行うことで良好な素子特性を得ることができる有機発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive effect element using this magnetic thin film and a giant magnetoresistive effect element can provide large TMR and GMR in a low magnetic field in the room temperature.例文帳に追加

この磁性薄膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子及び巨大磁気抵抗効果素子は、室温において、低磁界で大きなＴＭＲとＧＭＲが得られる。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁

OPTICAL MODULATOR WITH ELEMENT CHANGING OPTICAL PHASE BY ELECTROOPTIC EFFECT MOUNTED THEREON例文帳に追加

電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光変調器 - 特許庁

To provide the magnetic thin film structure of a magnetoresistive effect element in which the magnetization direction of a pin layer formed at the magnetoresistive effect element can be fixed more surely.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子に設けられるピン層の磁化方向をより確実に固定することができる磁気抵抗効果素子の磁性薄膜構造を提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, MAGNETORESISTIVE DEVICE, AND INFORMATION STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗デバイスおよび情報記憶装置 - 特許庁

A tunnel junction magneto-resistive effect element having a high MR ratio can be produced.例文帳に追加

ＭＲ比の大きいトンネル接合磁気抵抗効果素子を作成することができる。 - 特許庁

To obtain a magnetoresistive effect element comprising an exchange coupling film exhibiting excellent thermal stability.例文帳に追加

熱的安定性に優れた交換結合膜付の磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF MAGNETO-RESISTANCE EFFECT HEAD, MAGNETIC RECORD REPRODUCING DEVICE, AND MAGNETIC STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気記憶装置 - 特許庁

To simultaneously suppress an inverse narrow channel effect of a NMOS caused accompanying formation of element separation and an inverse channel effect of a PMOS.例文帳に追加

素子分離の形成に伴って起こるＮＭＯＳの逆狭チャネル効果と、ＰＭＯＳの逆チャネル効果とを同時に抑制する。 - 特許庁

From such a constitution, the high reproducing output level of this magnetoresistance effect element is obtained by the current constricting effect of the current controlling region 8a.例文帳に追加

このような構成により、電流制御領域８ａの電流狭窄効果によって高い再生出力レベルを得る。 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING EQUIPMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子とその製造方法、及び磁気抵抗効果型磁気ヘッドとその製造方法、並びに磁気記録再生装置 - 特許庁

To reduce the film thickness of a magnetoresistance effect element, to facilitate narrowing the shield gap, and to reduce the noise due to the spin injection effect.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子において、膜厚を抑え、狭シールドギャップ化を容易とし、かつスピン注入効果によるノイズを低減する。 - 特許庁

To suppress a spin-torque effect, to achieve a high magnetoresistance effect and to reduce a gap between shields in a magnetic field detecting element.例文帳に追加

磁界検出素子において、スピントルク効果を抑えると共に、高い磁気抵抗効果の実現とシールド間ギャップの低減を図る。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device capable of preventing a harmful effect caused by generated heat of an optical functional element and a harmful effect caused by temperature irregularities.例文帳に追加

光学機能素子の発熱による悪影響及び温度ムラによる悪影響を防止できる半導体装置を得る。 - 特許庁

FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR, MEMORY ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE FERROELECTRIC GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

強誘電体ゲート電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び強誘電体ゲート電界効果トランジスタの製造方法 - 特許庁

SPUTTERING TARGET, ANTIFERROMAGNETIC FILM, MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT PROVIDED WITH THE FILM, MAGNETIC HEAD, AND MAGNETORESISTANCE EFFECT TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To manufacture an AT cut quartz crystal resonator element in which the energy trapping effect is improved while suppressing an effect of a width-shear mode.例文帳に追加

幅すべりモードの影響を抑制しつつ、エネルギ閉じ込め効果を改善したＡＴカット水晶振動片を製造する。 - 特許庁

Then, a magnetoresistive effect element(MR element) 15 is disposed at the position within the thickness of the upper yoke 12 in this gap 12a.例文帳に追加

そして、この間隙１２で上ヨーク１２の厚み内に位置して、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）１５を配設する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with a high MR change rate and a magnetic recording/reproducing device using the element.例文帳に追加

本発明は、ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

In case of an organic electroluminescent element with a top-face-emission luminescent element structure, it has an effect of approximately doubling the operation life.例文帳に追加

上面発光素子構造を有する有機電界発光素子では、約２倍の長寿命化効果が得られた。 - 特許庁

A TMR element 4 is a magnetoresistance effect element comprising a magnetism sensitive layer 44 where a magnetization direction changes by spin implantation.例文帳に追加

ＴＭＲ素子４は、スピン注入によって磁化方向が変化する感磁層４４を含む磁気抵抗効果素子である。 - 特許庁

Even after charging processing of a piezo element is finished, the voltage of the piezo element oscillates due to the piezoelectric effect thereof.例文帳に追加

ピエゾ素子の充電処理が完了した後であっても、ピエゾ素子の電圧は、ピエゾ素子の圧電効果によって振動する。 - 特許庁

An MR element 21 consisting of the tunnel magneto-resistance effect element utilizing spin valve is arranged on at least a part of a magnetic path.例文帳に追加

磁路の少なくとも一部にスピンバルブ型トンネル磁気抵抗効果素子からなるＭＲ素子２１が配されている。 - 特許庁

To provide a small optical component with an optical element where the assembling of the optical element having a magneto-optical effect is simplified, and an optical receptacle with the optical element.例文帳に追加

磁気光学効果を有する光学素子の組み立てを簡略化した小型の光学素子付光部品、及び光学素子付光レセプタクルを提供する。 - 特許庁

(3)The cooling element consists of an element (peltier element) utilizing a peltier effect, and the endothermic plate consists of a copper or aluminum kitchen table.例文帳に追加

（３）冷却素子が、ペルチェ効果を利用した素子（ペルチェ素子）であり、吸熱板が銅又はアルミニウムからなることを特徴とする請求項２記載の調理用台。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element of large magnetoresistance variation and stable characteristic by smoothly forming a magnetoresistive effect film even on a protruding part of a lower electrode, related to a current perpendicular to plane-magnetoresistive effect element, and to provide a method for manufacturing the element, a magnetic head and a magnetic reproducing device using the magnetoresistive effect element.例文帳に追加

垂直通電型の磁気抵抗効果素子において、下側電極の凸部の上においても、磁気抵抗効果膜を平坦に形成することにより、磁気抵抗変化が大きく、特性が安定した磁気抵抗効果素子及びその製造方法、またこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド並びに磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁