「element effect」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetoresistive effect element and magnetoresistive effect head can be provided which has higher GMR effect than usual by providing the back layer 7.例文帳に追加

バックレイヤ層７を設けることにより、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供することができる。 - 特許庁

To provide a hyperthermia panel enhanced in treatment effect by developing both of thermal effect due to a sheetlike heating element and peculiar medical treatment effect due to negative ions.例文帳に追加

面状発熱体による温熱効果とマイナスイオンによる独特の医療効果とを併有させて、治療効果の高い温熱治療パネルを提供する。 - 特許庁

To solve the problem that offset variance of an ELG(resistance detection element) and a real element (magnetoresistive effect element) on a substrate caused as the magnetoresistive effect element of a CPP structure is narrowed becomes too large to ignore and becomes a bottleneck in achievement of higher accuracy of a MR element height.例文帳に追加

ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子の狭小化に伴い、基板上におけるＥＬＧ（抵抗検知素子）と実素子（磁気抵抗効果素子）のオフセットばらつきが無視できなくなり、ＭＲ素子高さの高精度化の隘路となっている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetoresistance effect element that is stable in a free layer and a magnetic domain at a nano-junction and is high in sensitivity in the magnetroresistance effect element for magnetic heads having BMR effect.例文帳に追加

ＢＭＲ効果を有する磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子において、自由層やナノ接合部の磁区の安定性や感度の高い磁気抵抗効果素子の作製方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a magneto-resistance effect element having high reliability with good yield by accurately measuring characteristics of the magneto-resistance effect element and by suppressing variation of characteristics of the magneto-resistance effect elements, in a manufacturing process in a wafer stage of the magneto-resistance effect element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のウエハ段階における製造工程において、磁気抵抗効果素子の特性を正確に測定可能とし、磁気抵抗効果素子の特性のばらつきを抑制し、信頼性の高い磁気抵抗効果素子を歩留まりよく製造することを可能にする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stress impedance effect element capable of being mounted securely, and the element.例文帳に追加

堅牢に実装することができる応力インピーダンス効果素子の製造方法及びその素子を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING THIN-FILM MAGNETIC HEAD, AND METHOD OF MANUFACTURING MEMORY ELEMENT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide such a quantum effect element that is extremely small in element occupation area and low in power consumption.例文帳に追加

素子専有面積が極めて小さく、且つ、低消費電力の量子効果素子を実現できるようにする。 - 特許庁

An EMI suppressing effect is given to the lead wire or inductance element 21 by surrounding the lead wire or element 21 with a sintered ferrite compact 20.例文帳に追加

リード線やインダクタンス素子２１をフェライト焼結体２０で囲って、ＥＭＩ抑圧効果を持たせる。 - 特許庁

WIRING STRUCTURE AND ELECTRONIC ELEMENT HAVING COOLING EFFECT, AND ELECTRONIC ELEMENT HAVING FUNCTION FOR CONVERTING TEMPERATURE DIFFERENCE INTO VOLTAGE例文帳に追加

冷却効果を持つ電子素子および配線構造、並びに温度差を電圧に変換する機能を持つ電子素子 - 特許庁

To prevent the adverse effect of a display element on an electrode part due to heat conduction and the adverse effect of moisture absorption.例文帳に追加

表示素子の電極部への熱伝導による悪影響を防止できるとともに、吸湿の悪影響を防止する。 - 特許庁

LAMINATE HAVING HEUSLER ALLOY, SPIN MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR USING THE LAMINATE, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

ホイスラー合金を有する積層体、この積層体を用いたスピンＭＯＳ電界効果トランジスタ及びトンネル磁気抵抗効果素子 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびにトンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 - 特許庁

An element to be formed in a dummy element area 1e and an element area 1b in a proximity effect absorption area A does not contribute to storage of data as a dummy element.例文帳に追加

ダミー素子領域１ｅ及び近接効果吸収領域Ａ内の素子領域１ｂに形成される素子がダミーの素子としてデータの記憶には寄与しない。 - 特許庁

To prevent a driving element of a piezoelectric element from being damaged by an overvoltage generated by the pyroelectric effect of the piezoelectric element when the piezoelectric element is mounted automatically on a substrate.例文帳に追加

圧電素子を基板に自動実装する際に圧電素子の焦電効果により発生する過電圧によって生じる圧電素子の駆動素子の破壊を防止する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

OPTICAL MODULE WITH ELEMENT CHANGING OPTICAL PHASE BY ELECTROOPTIC EFFECT MOUNTED THEREON例文帳に追加

電気光学効果により光位相を変化させる素子を搭載した光モジュール - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD AND PRODUCTION OF THIS THIN FILM MAGNETIC HEAD例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドの製造方法 - 特許庁

MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element with small variation of a characteristic and sufficient reproducibility.例文帳に追加

特性のばらつきが小さく再現性のよい磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁

The amplifier 11 includes a field effect transistor (FET) as an amplifying element.例文帳に追加

増幅器１１は、増幅素子としての電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を有する。 - 特許庁

ANTIFERROMAGNETIC MATERIAL FILM, MAGNETORESISTIANCE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

反強磁性体膜とそれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 - 特許庁

TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC MEMORY DEVICE例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置 - 特許庁

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT例文帳に追加

接合型電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに固体撮像素子 - 特許庁

SPIN VALVE MAGNETORESISTANCE EFFECT REPRODUCING ELEMENT AND CONDUCTIVE LEAD LAYER FORMING METHOD例文帳に追加

スピンバルブ型磁気抵抗効果再生素子、および導電リード層の形成方法 - 特許庁

To effectively prevent adverse effect to an element substrate due to a desiccant.例文帳に追加

乾燥剤による素子基板への悪影響の発生を効果的に防止する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND MAGNETIC DISK DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリおよび磁気ディスク装置 - 特許庁

In addition, a ring band is formed to make a diffraction optical element having image forming effect.例文帳に追加

また、輪帯を形成して結像効果を有する回折光学素子とする。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, MAGNETIC HEAD AND MAGNETIC REPRODUCING DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気ヘッド並びに磁気再生装置 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SWITCH ELEMENT, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

電界効果トランジスタおよびその製造方法、スイッチ素子ならびに電子機器 - 特許庁

A magnetic sensing sensor element and a fixed resistance element are formed with the same magnetoresistance effect film, and a magnetoresistance effect expression of the magnetoresistance effect film forming the fixed resistance element is inhibited by preparing a surface roughness of a foundation forming the fixed resistance element at 5.0 nm or more or heating the fixed resistance element to 350°C or more.例文帳に追加

感磁センサー素子と固定抵抗素子を同一の磁気抵抗効果膜で形成し、固定抵抗素子を形成する下地の面粗さを５．０ｎｍ以上とするか固定抵抗素子を３５０℃以上に加熱して、固定抵抗素子を形成する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗効果発現を抑える。 - 特許庁

A first magnetoresistance effect element 15 and a second magnetoresistance effect element 16 are provided on the same sensor chip, and each of the magnetoresistance effect element has an element part in which a free magnetic layer and a fixed magnetic layer are stacked via a non-magnetic layer, and a hard bias layer for supplying a bias magnetic field to the element part.例文帳に追加

同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。 - 特許庁

As phase delay elements 22, an element Zc which is largest in a phase delay effect is arranged in the vicinity of a center of the incident waves 23, and an element Zb which is lower in a phase delay effect than the element Zc is arranged in a circumference thereof, and an element Za which is further lower in a phase delay effect is arranged in the periphery thereof.例文帳に追加

位相遅延素子２２としては、入射波２３の中心付近に位相遅延効果の最も大きい素子Ｚｃを配設し、その周囲には素子Ｚｃより位相遅延効果の低い素子Ｚｂを配設し、その外縁には位相遅延効果が更に低い素子Ｚａを配設する。 - 特許庁

To provide a variable resistive element which is suitable for the shunt resistor of a magneto-resistance effect element, and whose resistance value can be set correspondingly to the resistor value (RA value) of the magneto-resistance effect element after it is worked as the element.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子のシャント抵抗として好適な可変抵抗素子であって、素子として加工された後の磁気抵抗効果素子の抵抗値（ＲＡ値）に対応させて、抵抗値の設定が可能な可変抵抗素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element with a large variation range in resistance, a magnetic head with the magnetoresistive effect element, and a magnetic reproducer with respect to a vertical conducting type magnetoresistive element having a pin valve structure.例文帳に追加

スピンバルブ構造の垂直通電磁気抵抗素子において、抵抗変化量の大きい磁気抵抗効果素子、及びこれを用いた磁気ヘッド、磁気再生装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element which avoids the employment of a laminated structure of a pin layer, a spacer layer and a free layer unlike a prior art magnetoresistive effect element, and also to provide a magnetic head and a magnetic memory using the element.例文帳に追加

従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。 - 特許庁

MAGNETIC RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPRISING THE SAME例文帳に追加

磁気抵抗効果素子及び該磁気抵抗効果素子を備える不揮発性固体メモリ - 特許庁

To provide a design method of a tunnel magnetoresistance effect element which can ensure the operation life, by appropriately setting the operating voltage of the tunnel magnetoresistance effect element.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子の作動電圧を適性に設定することにより寿命を確保することが可能なトンネル磁気抵抗効果素子の設計方法を提供する。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN FILM MAGNETIC HEAD, ASSEMBLY THEREOF AND STORAGE DEVICE例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、薄膜磁気ヘッド組立体、及び、記憶装置 - 特許庁

Also, the magnetic sensor circuit 610 has a magnetoresistance effect element 612, a DC power source 611 for applying a DC voltage to the magnetoresistance effect element 612, and a resistor R1.例文帳に追加

また、磁気センサ回路６１０は、磁気抵抗効果素子６１２と、磁気抵抗効果素子６１２に直流電圧を印加する直流電源６１１と、抵抗Ｒ１とを有する。 - 特許庁

A ferroelectric liquid crystal, etc., are used as the display element having the memory effect.例文帳に追加

また，メモリー効果のある表示素子として、強誘電液晶等が用いられる。 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND INTEGRATED CIRCUIT ELEMENT例文帳に追加

電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ及び集積回路素子 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, THIN-FILM MAGNETIC HEAD, MAGNETIC HEAD DEVICE AND MAGNETIC DISK UNIT例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - 特許庁

To improve a temperature reduction effect of a semiconductor element in a stacked-type semiconductor device.例文帳に追加

積層型半導体装置の半導体素子の温度低減効果を高めること。 - 特許庁