「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The bottom gate-bottom contact type thin film transistor which has a gate electrode, a gate insulating film, the source and drain electrodes, and a semiconductor layer stacked in order on an insulating substrate, is provided with a recess shape on the gate insulating film, and the source-drain electrode is disposed at the recess shape part.例文帳に追加

絶縁基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース・ドレイン電極と、半導体層と、を順次積層したボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上に凹形状を設け、該凹形状部分にソース・ドレイン電極を配置する。 - 特許庁

A third thin film transistor includes a gate electrode connected to an (N+1)th gate line, a semiconductor layer overlapping with the gate electrode, a source electrode connected to the second sub pixel electrode and partially overlapping with the gate electrode, and a drain electrode facing the source electrode.例文帳に追加

第３薄膜トランジスタは、第ｎ＋１ゲートラインに接続されたゲート電極、ゲート電極と重畳する半導体層、第２サブ画素電極に接続されゲート電極と一部分が重畳するソース電極、及びソース電極と対向するドレイン電極を含む。 - 特許庁

Common-source gate-control topologies efficiently drive switches higher than 1 MHz.例文帳に追加

分布電源ゲート制御トポロジーは１ＭＨｚより高いスイッチを効率的に駆動する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can be improved in gate-source withstand voltage.例文帳に追加

ゲート−ソース間耐圧の向上を図ることができる、半導体装置を提供する - 特許庁

To provide a common-gate common-source transconductance stage for an RF downconversion mixer.例文帳に追加

ＲＦダウンコンバージョンミキサのための共通ゲート共通ソース相互コンダクタンスステージを提供する。 - 特許庁

On either side of the memory cell gate 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed.例文帳に追加

メモリセルゲート２の両側に、ソース領域３およびドレイン領域４を形成する。 - 特許庁

The gate of the transistor 16 is connected to an input 26 and the source is connected to an output 28.例文帳に追加

トランジスタ16のゲートは入力26に結合され、そのソースは出力28に結合されている。 - 特許庁

The first gate 58 is arranged between the first source 54 and the first drain 56.例文帳に追加

第１ゲート５８が、第１ソース５４と第１ドレイン５６との間に配置されている。 - 特許庁

Since a gate-source voltage Vgs becomes "0", a leak current can be reduced.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは「０」となるので、リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

Source and drain diffusion layers 19 are made in a self alignment manner for the control gate 18.例文帳に追加

制御ゲート１８に自己整合的にソース、ドレイン拡散層１９が形成される。 - 特許庁

The driving device includes a controlling means for controlling the gate driver 5 and the source driver 7.例文帳に追加

駆動装置は、ゲートドライバ５およびソースドライバ７を制御する制御手段を備える。 - 特許庁

The TFTs 10A and 10B are connected to the same gate wiring 3 and source wiring 4.例文帳に追加

ＴＦＴ１０Ａ，１０Ｂは同じゲート配線３およびソース配線４に接続される。 - 特許庁

The first pad set includes a gate force pad 108, a source pad 110, and a drain pad 112.例文帳に追加

その第１のパッド・セットは、ゲート・フォース・パッド(108)、ソース・パッド(110)およびドレイン・パッド(112)を含んでいる。 - 特許庁

A gate insulating film 3 is disposed on a channel region mutually between the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３がソース／ドレイン領域相互間のチャネル領域上に配設される。 - 特許庁

In a transistor region, a source interconnect layer and a gate electrode are buried in trenches.例文帳に追加

トランジスタ領域では、ソース配線層とゲート電極がトレンチ内に埋め込まれている。 - 特許庁

To reduce leakage currents between a source/drain and a gate, and well of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のソース／ドレインとゲートおよびウェル間の漏洩電流を低減する。 - 特許庁

A source electrode 53 of a transistor Tr1 is extended up to the position of a gate electrode 51.例文帳に追加

トランジスタＴｒ１のソース電極５３をゲート電極５１の位置まで延出する。 - 特許庁

The source/drain layers 9 and the gate width deciding layer 15 are separated by PN junction.例文帳に追加

ソース／ドレイン層９とゲート幅決定層１５は、ＰＮ接合によって分離されている。 - 特許庁

A source of the Nch-MOSFET N3 in the second switch group is connected to its back gate.例文帳に追加

第２スイッチ群のＮｃｈ−ＭＯＳＦＥＴ Ｎ３のソースとそのバックゲートを接続する。 - 特許庁

The first transistor includes a first gate electrode (41b), a first source, and a first drain.例文帳に追加

第１のトランジスタは、第１のゲート電極(41b)、第１のソース、及び第１のドレインを有する。 - 特許庁

Thus, the gate potential of the TFT 214 for drive becomes higher than its source potential.例文帳に追加

これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位が、そのソース電位に比して高くなる。 - 特許庁

A trench gate 30 is formed between the source region 12 and the drain region 14.例文帳に追加

ソース領域１２とドレイン領域１４との間にはトレンチゲート３０が形成されている。 - 特許庁

In the thin film transistor, a source wire and a gate electrode are manufactured on the same plane.例文帳に追加

その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。 - 特許庁

Gate fingers are disposed between the drain ohmic contacting portion and source ohmic contacting portion.例文帳に追加

ドレインオーミック接触部とソースオーミック接触部との間に、ゲートフィンガが配置されている。 - 特許庁

The source of the MOS transistor Q12 is connected to the gate of the MOS transistor Q11.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタＱ１２のソースは、ＭＯＳトランジスタＱ１１のゲートに接続されている。 - 特許庁

The power supply module generates voltages for the gate driver circuits 12 and the source driver circuit 14.例文帳に追加

電源モジュールはゲートドライバ回路１２、ソースドライバ回路１４などの電圧を発生する。 - 特許庁

The potential of the source signal line 18 is as high as the gate terminal potential of the driving transistor.例文帳に追加

ソース信号線１８の電位は、駆動用トランジスタのゲート端子電位と一致する。 - 特許庁

The FET Q6 is injected with positive charges, to make it a depletion type with the gate connected to the source.例文帳に追加

Ｑ６にはプラスチャージを注入してデプレッション型とし、そのゲートとソースを接続する。 - 特許庁

The block insulating layer 34a is formed continuously to the source side gate insulating layer 46B.例文帳に追加

ブロック絶縁層３４ａは、ソース側ゲート絶縁層４６Ｂと連続して形成されている。 - 特許庁

A transmission source terminal device DA1 transmits a call connection request to a gate device 11A.例文帳に追加

送信元端末装置ＤＡ１がゲート装置１１Ａへ呼接続要求を送信する。 - 特許庁

Then, a semiconductor thin film is formed on the gate insulating film between the source/drain electrodes.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極間におけるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成する。 - 特許庁

Consequently, electric fields from the gate electrode and the electric field between a source and a drain can be relaxed.例文帳に追加

そして、ゲート電極からの電界、ソース−ドレイン間の電界を緩和することができる。 - 特許庁

A pair of source/drain diffusion layers 11 pinch a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

１対のソース／ドレイン拡散層１１は、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む。 - 特許庁

Further, the channel layer is existent on the gate dielectric layer and between the source region and the drain region.例文帳に追加

さらにチャンネル層は、ゲート絶縁層上の、ソース領域とドレイン領域との間にある。 - 特許庁

A grounded-gate transistor M13 on the load side is interposed between the load transistor M12 and a power source.例文帳に追加

また、該負荷トランジスタM12と電源との間に負荷側ゲート接地トランジスタM13を挿入する。 - 特許庁

The source 5 is formed being spaced from the gate electrode 11 when viewed from the upper part.例文帳に追加

ソース５は上方から見てゲート電極１１とは間隔をもって形成されている。 - 特許庁

A transistor (65) having a source, drain and gate is formed in the first well (62).例文帳に追加

第１のウェル（６２）内に、ソース、ドレイン及びゲートを有するトランジスタ（６５）が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, by forming rib-like gate electrodes 404 an electron releasing source is completed.例文帳に追加

その後、リブ状ゲート電極４０４を形成することにより電子放出源が完成する。 - 特許庁

Further, a gate electrode 80, a source electrode 100, and a drain electrode 110 are formed.例文帳に追加

また、ゲート電極８０、ソース電極１００、ドレイン電極１１０が形成されている。 - 特許庁

Ion implantation is performed after removing the gate insulating film 4b on a source/drain region 1d.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域１ｄ上のゲート絶縁膜４ｂを除去後、イオン注入を行う。 - 特許庁

Finally, a source electrode 18, a gate electrode 19 and a drain electrode 20 are formed.例文帳に追加

最後に、ソース電極１８、ゲート電極１９、及びドレイン電極２０を形成する（ｆ）。 - 特許庁

The memory cell injects electrons from the source side to the gate nitride film to perform information storage.例文帳に追加

このメモリセルはゲート窒化膜にソースサイドから電子を注入して情報記憶を行う。 - 特許庁

Source, gate and drain electrodes are located over the barrier layer and extend in a longitudinal direction thereon.例文帳に追加

ソース、ゲート及びドレイン電極は障壁層上に配置されて長手方向に延伸する。 - 特許庁

The source and drain region 36 is formed in the active layer 34 on both sides of the control gate 22.例文帳に追加

制御ゲート２２の両側の活性層３４には、ソース・ドレイン３６が形成されている。 - 特許庁

A source-drain contact is formed on the laminate of the gate oxide film 16 and the polysilicon film 17.例文帳に追加

ゲート酸化膜１６とポリシリコン膜１７との積層体に、ソース・ドレインコンタクトを形成する。 - 特許庁