「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The gate electrode 43 of the transistor of source-follower circuity is biased toward the source in the constitution in which the light emitting element is driven by the transistor with the gate-source voltage based upon the voltage between the terminals of the signal level holding capacitor.例文帳に追加

本発明は、信号レベル保持用のコンデンサの端子間電圧によるゲートソース電圧によりソースフォロワ回路構成によるトランジスタで発光素子を駆動する構成において、このトランジスタのゲート電極４３をソース側に偏らせる。 - 特許庁

The drain electrode of a transistor(TR) MP1 is connected to the gate electrode and drain electrode of an MN2, the source electrode and gate electrode of the TR MP1 are connected to a source voltage VDD, and the source electrode of the TR MN2 is grounded.例文帳に追加

トランジスタＭＰ１のドレイン電極とＭＮ２のゲート電極及びドレイン電極を接続し、トランジスタＭＰ１のソース電極及びゲート電極を電源電圧Ｖ_DDに接続し、トランジスタＭＮ２のソース電極を接地電位に接続している。 - 特許庁

A cascode-connected circuit 11 is composed of a source-grounded transistor M_1, a gate-grounded transistor M_2 and a load resistance R_L, and a first inductor L_1 is disposed between a drain terminal of the source-grounded transistor M_1 and a source terminal of the gate-grounded transistor M_2.例文帳に追加

ソース接地トランジスタＭ_1、ゲート接地トランジスタＭ_2、および負荷抵抗Ｒ_Lからカスコード接続回路１１を構成し、ソース接地トランジスタＭ_1のドレイン端子とゲート接地トランジスタＭ_2のソース端子と間に第１のインダクタＬ_1を設ける。 - 特許庁

To evenly achieve the reduction of the resistance of a gate electrode and of source/drain regions and reduction of junction leakage currents in source/ drain regions in a MOS transistor having silicides on the surfaces of the gate electrode and of the source/drain regions.例文帳に追加

ゲート電極およびソース・ドレイン領域表面にシリサイドを備えたＭＯＳトランジスタにおいて、ゲート電極およびソース・ドレイン領域の低抵抗化と、ソース・ドレイン領域における接合リーク電流の低減とを両立させる。 - 特許庁

As a control switch for controlling the gate voltage of the FET 2, a pnp transistor 3 is connected between the gate and the source of the FET 2.例文帳に追加

ＦＥＴ２のゲート−ソース間にはＦＥＴ２のゲート電圧を制御するための制御スイッチとしてｐｎｐ型トランジスタ３が接続されている。 - 特許庁

In a bidirectional switch using MOSFET, the source terminal and back gate terminals of MOSFET are connected to each other through a transfer gate TG.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴを用いた双方向スイッチにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソース端子とバックゲート端子間を、トランスファゲートＴＧを介して接続する。 - 特許庁

A third source layer 2c, a channel portion 7 and a drain layer 8 are buried while laminating in the gate opening whose side surface is coated with a gate insulating film 6.例文帳に追加

側面にゲート絶縁膜６が設けられたゲート開口部には、第３のソース層２ｃ、チャネル部７、及びドレイン層８が積層埋設される。 - 特許庁

That is, the gate of the transistor Q2 is connected with a gate of the transistor Q8, and the clock terminal CK is connected with the source and the drain of the transistor Q8.例文帳に追加

即ち、トランジスタＱ２のゲートにはトランジスタＱ８のゲートが接続し、クロック端子ＣＫにはトランジスタＱ８のソース・ドレインが接続する。 - 特許庁

Upon an application of a gate voltage, a channel is formed between the source-drain diffusion layers along a surface of the gate electrode, and the channel length is prolonged.例文帳に追加

ゲート電圧の印加に際して、ゲート電極の表面に沿ってソース・ドレイン拡散層の間にチャネルが形成され、チャネル長が長くなる。 - 特許庁

To improve flatness of an interlayer insulating film by reducing a step difference between a gate electrode and a source layer and between the gate electrode and a drain layer as much as possible.例文帳に追加

本発明はゲート電極とソース層及びドレイン層との段差を極力小さくして、層間絶縁膜の平坦性を改善する。 - 特許庁

Voltage is applied to each assist gate line contact so that voltage gradient is caused in at least the source side assist gate line out of those above.例文帳に追加

これらのうち少なくともソース側アシストゲート線において電圧勾配が生じるように各アシストゲート線コンタクトに電圧を印加する。 - 特許庁

Furthermore, the channel-forming region and the source region are formed at ionic implantation where the planar gate electrode and the trench gate electrode are set as masks.例文帳に追加

さらに、プレーナゲート電極およびトレンチゲート電極をマスクとしたイオン注入にてチャネル形成領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁

The gate electrode of the Schottky junction gate type field-effect transistor and an ohmic electrode in the source-drain region are formed simultaneously using the same metal.例文帳に追加

ショットキー接合ゲート型の電界効果トランジスタのゲート電極とソース・ドレイン領域のオーミック電極とが同一金属で同時に形成される。 - 特許庁

A control gate electrode 8 is arranged on the gate insulating film 7 in such a manner as it contacts or partially overlaps the source 2 and drain 3.例文帳に追加

ゲート絶縁膜７の上に、ソース２及びドレイン３に接するかまたは部分的に重なるようにコントロールゲート電極８が配置されている。 - 特許庁

In one embodiment, randomization within each page helps to control source loading errors during sensing and floating gate to floating gate coupling among neighboring cells.例文帳に追加

一実施形態において、検知中のソース負荷誤差と近傍セルのフローティングゲート間結合を抑制するため、ページ内ランダム化を役立てる。 - 特許庁

A gate insulating film 2 is located on a substrate 1 served as a gate electrode as well, and a source electrode 3 and drain electrode 4 are oppositely formed on it.例文帳に追加

ゲート電極を兼ねる基板１にゲート絶縁膜２を設け、その上にソース電極３およびドレイン電極４を対向させて形成する。 - 特許庁

The voltage clamp is designed so as to break down at a predetermined voltage and thereby prevent its gate oxide layer from being damaged by an excessive source-gate voltage.例文帳に追加

電圧クランプは所定の電圧でブレークダウンするように設計され、過大なソース−ゲート電圧によるゲート酸化層の損傷を防ぐ。 - 特許庁

A source electrode 4 and a drain/hole injection electrode 5 are formed on the gate insulator film 3 with a space above the gate electrode 2.例文帳に追加

ゲート電極２の上方に間隔をあけてゲート絶縁膜３上にソース電極４およびドレイン兼ホール注入電極５を形成する。 - 特許庁

After etching, a gate insulating film 16, a source electrode 17, a drain electrode 18, and a gate electrode 19 are formed to manufacture a vertical MISFET.例文帳に追加

エッチング後、ゲート絶縁膜１６、ソース電極１７、ドレイン電極１８及びゲート電極１９を形成し縦型ＭＩＳＦＥＴを作製する。 - 特許庁

A bend is provided by extending one end of the gate electrode around the source electrode (drain electrode) and extended to the vicinity of the gate interconnect line.例文帳に追加

またゲート電極の一端を延在して、ソース電極（ドレイン電極）を囲んで曲折部を設け更にゲート配線近傍まで延在する。 - 特許庁

In this case, the distance between the gate electrode 18 and a source contact 34 is larger than that between the gate electrode 18 and a drain contact 32.例文帳に追加

そして、ゲート電極１８とソースコンタクト３４間距離が、ゲート電極１８とドレインコンタクト３２間距離よりも広いことを特徴としている。 - 特許庁

Thus, a voltage between a gate/a source of the transistor Q5 is increased, and an on-resistance thereof is decreased.例文帳に追加

それによりトランジスタＱ５のゲート・ソース間電圧が大きくなり、そのオン抵抗が小さくなる。 - 特許庁

To the gate of the transistor Q8, a fixed high-side power source potential VDD3 is supplied.例文帳に追加

トランジスタＱ８のゲートには、一定のハイ側電源電位ＶＤＤ３が供給されている。 - 特許庁

The PMOS 151 has a gate controlled by a correction voltage Voffset to cause a correction current to flow between a drain and a source.例文帳に追加

PMOS１５１は、補正電圧Voffsetによりゲート制御され、ドレイン・ソース間に補正電流を流す。 - 特許庁

To sustain good gate withstand voltage characteristics while reducing the contact resistance between the source and the drain.例文帳に追加

良好なゲート耐圧特性を維持し、かつソースおよびドレインのコンタクト抵抗を小さくする。 - 特許庁

A multiple field plate transistor comprises: an active region; a source 18; a drain 20; and a gate 22.例文帳に追加

多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース１８、ドレイン２０、およびゲート２２を含む。 - 特許庁

In a gate oxide film formed on a surface of a silicon substrate, a film on a source region is thinned.例文帳に追加

シリコン基板表面に形成されたゲート酸化膜は、ソース領域上が薄膜化されている。 - 特許庁

At this time, the first transistor 102 is ON and a potential difference is incurred between the gate and a source.例文帳に追加

そのとき、トランジスタ１０２は、オン状態にあり、そのゲート・ソース間には電位差が生じている。 - 特許庁

A second switching element is connected between the gate of the sampling transistor and a signal line (source terminal).例文帳に追加

またサンプリングトランジスタのゲートと信号線（ソース端）の間に第２のスイッチ素子を接続する。 - 特許庁

Therein, the gate electrode layer, a source electrode layer and a drain electrode layer are each made by using a metal conductive film.例文帳に追加

なお、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層は金属導電膜を用いる。 - 特許庁

All regions around the gate electrode 9 is turned silicide, and then the source/drain regions 6 are turned silicide.例文帳に追加

ゲート電極９の全領域をシリサイド化した後に、ソース・ドレイン領域６をシリサイド化する。 - 特許庁

A Pt layer is formed on silicon layers 26 (gate) and 29 (source/drain) by a CVD (Chemical Vapor deposition) method.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いて、シリコン層２６（ゲート），２９（ソース・ドレイン）上にＰｔ層を形成する。 - 特許庁

A source/drain layer 218 is disposed on the gate insulating layer 204 and the ohmic contact layer 214.例文帳に追加

ソース/ドレイン層２１８はゲート絶縁層２０４及びオーミック・コンタクト層２１４上に配置される。 - 特許庁

The FET 3 has a source connected a terminal 7 and a gate connected with the detection control circuit 4.例文帳に追加

ＦＥＴ３のソースは、端子７と接続され、そのゲートは、検出制御回路４と接続される。 - 特許庁

A resistance 52 and a zener diode 53 are connected between the gate and source of the FET 51.例文帳に追加

さらに、ＦＥＴ５１のゲート−ソース間には抵抗５２およびツェナーダイオード５３が接続されている。 - 特許庁

MANUFACTURE OF GATE LINE AND SOURCE LINE ON TFT LCD PANEL USING PURE ALUMINUM METAL例文帳に追加

純アルミニウム金属を用いてＴＦＴＬＣＤパネルにゲートラインおよびソースラインを作製する方法 - 特許庁

The gate of the transistor TR2 is connected to the word line WL1, and its third source/drain to a bit line BL2.例文帳に追加

ＴＲ２は、ゲートをワード線ＷＬ１に、第３ソース・ドレインをビット線ＢＬ２に接続される。 - 特許庁

As for the FET 12, the gate and the source are connected to the anode and the cathode of the photovoltaic 11.例文帳に追加

ＦＥＴ１２は、ゲート及びソースが光起電力素子１１のカソード及びアノードに接続される。 - 特許庁

GATE DEVICE HAVING EXPANDED CONTACT AREA FOR SOURCE AND DRAIN TERMINALS AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ソースとドレイン端子用の拡大されたコンタクト領域を有するゲートデバイス及びその製造方法 - 特許庁

Gate terminals of transistors M2, M4 are connected between the constant current source 20 and the transistor B1.例文帳に追加

定電流源２０とトランジスタＢ１との間には、トランジスタＭ２，Ｍ４のゲート端子が接続される。 - 特許庁

The gate pattern and L-shaped spacers are used as masks for forming the source/drain regions.例文帳に追加

ゲートパターンとＬ型スペーサーは、ソース／ドレーン領域を形成するためのマスクとして利用される。 - 特許庁

At both sides of the gate electrode 21, a source electrode 22 and a drain electrode 22 are formed.例文帳に追加

ゲート電極２１の両側方にはソース電極２２及びドレイン電極２２が形成されている。 - 特許庁

Ions are implanted into the semiconductor layer on both sides of the gate electrode to form drain/source regions.例文帳に追加

半導体層のゲート電極を挟む位置にイオン注入してドレイン／ソース領域を形成する。 - 特許庁

A source electrode 5 and a gate electrode 6 are formed on the main surface of the semiconductor chip 1.例文帳に追加

半導体チップ１の主表面には、ソース電極５及びゲート電極６が形成される。 - 特許庁

Thereafter, this electron emission source is completed by laminating an insulation layer and a gate electrode.例文帳に追加

その後、絶縁層及びゲート電極を積層することにより電子放出源が完成する。 - 特許庁