「gate source」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate terminal of a transistor M2, a grounded current source CS2 and a source terminal of a transistor M4 are connected to an gate terminal of the transistor M6.例文帳に追加

トランジスタＭ６のゲート端子には、トランジスタＭ２のゲート端子、接地された電流源ＣＳ２、トランジスタＭ４のソース端子が接続される。 - 特許庁

Moreover, there are formed a source region 11, a source line 12, a source line cap film 13, a floating gate 3A, a tunnel insulating film 14A, a control gate 15A, and a drain region 17, etc.例文帳に追加

さらに、ソース領域１１、ソース線１２、ソース線キャップ膜１３、フローティングゲート３Ａ、トンネル絶縁膜１４Ａ、コントロールゲート１５Ａ、及びドレイン領域１７等を形成する。 - 特許庁

Gate lines 23 and source lines 24 orthogonal to the gate lines 23 are arranged on an insulating substrate 22.例文帳に追加

絶縁性基板２２の上には、ゲートライン２３と、該ライン２３とは直交してソースライン２４とが配設される。 - 特許庁

A source and a gate of the depletion MOS Q1 are connected to a gate of the depletion MOS Q2 mutually.例文帳に追加

ディプレッションＭＯＳ（Ｑ１）のソース及びゲートと、ディプレッションＭＯＳ（Ｑ２）のゲートとが相互に接続される。 - 特許庁

Next, a source selection gate signal SSG and a drain selection gate signal DSG is made intermediate voltage Vleg (<(Vds+Vth)).例文帳に追加

次に、ソース選択ゲート信号SSGおよびドレイン選択ゲート信号DSGを中間電圧Ｖleg(＜(Ｖds＋Ｖth))にする。 - 特許庁

A prescribed gate electrode 15 is patterned on the gate oxide film 14, forming a source/drain diffusion layer 16.例文帳に追加

ゲート酸化膜１４上に所定のゲート電極１５のパターニング、ソース／ドレイン拡散層１６を形成する。 - 特許庁

Then, a gate electrode 9 is subjected to pattern formation on the gate insulating film 7 between the source/drain electrodes 5.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極５間におけるゲート絶縁膜７上にゲート電極９をパターン形成する。 - 特許庁

A gate electrode 26 is formed through a gate dielectric film 25 on a channel region, and a source electrode 27 is formed.例文帳に追加

チャネル領域上にゲート絶縁膜25を介してゲート電極26を形成し、ソース電極27を形成する。 - 特許庁

In the mono-transistor model, the gate insulation film capacitor is connected between a gate electrode and a source electrode.例文帳に追加

モノトランジスタモデルでは、ゲート絶縁膜容量がゲート電極とソース電極との間に接続されている。 - 特許庁

Direct energy consumption by primary energy source, separately accounting for “renewable” energy use for facility gate 例文帳に追加

一次エネルギー源別の直接エネルギー消費量。施設内（facility gate）の再生可能エネルギー使用量は別途集計。 - 経済産業省

Further, under a gate electrode of the selective gate transistor, a shape of the source/drain diffusion layer region of this selective gate transistor (23, 24) is made asymmetry.例文帳に追加

そして、選択ゲートトランジスタのゲート電極下で、この選択ゲートトランジスタのソース／ドレイン拡散層領域(23,24)の形状を非対称とする。 - 特許庁

The gate control transistor is a metal oxide film semiconductor field effect transistor having a gate, a source, and a drain, or an insulated gate bipolar transistor having a gate, an emitter, and a collector.例文帳に追加

ゲート制御トランジスタは、ゲート、ソース、および、ドレインを有する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタか、又は、ゲート、エミッター、コレクターを有する絶縁ゲートバイポーラトランジスタである。 - 特許庁

A gate line transmits a gate signal, a switching element is formed in a region defined by the gate line and a data line, a gate electrode is connected to the gate line, and a source electrode is connected to the data line.例文帳に追加

ゲートラインはゲート信号を伝達し、スイッチング素子はゲートラインとデータラインによって定義される領域に形成され、ゲート電極がゲートラインに連結され、ソース電極がデータラインに連結される。 - 特許庁

This X-ray diagnostic apparatus is so constituted that a switch is provided between a gate voltage stabilizer circuit 35 and a gate voltage source 34 and either one output of the gate voltage stabilizer circuit 35 or the gate voltage source 34 is impressed on a gate scanning drive part 22.例文帳に追加

ゲート電圧安定化回路３５とゲート電圧源３４の間にスイッチを設け、ゲート電圧安定化回路３５またはゲート電圧源３４のいずれか一方の出力がゲート走査駆動部２２に印加されるような構成とする。 - 特許庁

This power source unit 10 realizes functions equivalent to that of a new gate device by utilizing an old type power source unit 62 in an old type gate device.例文帳に追加

電源ユニット１０により、旧型のゲーム装置の旧電源ユニット６２を利用して、新型のゲーム装置の同等の機能を実現する。 - 特許庁

To provide the reliability on separation between a source and a gate, and reduce design rules.例文帳に追加

ソース・ゲート間分離の信頼性と、デザインルールの縮小化を図る。 - 特許庁

CIRCUIT FOR COMPENSATING DIFFERENCE BETWEEN GATE-SOURCE VOLTAGES OF TWO MOS TRANSISTORS例文帳に追加

２個のＭＯＳトランジスタのゲート・ソース電圧間の差を補償する回路 - 特許庁

The circuit includes a gate driver (5) and a source driver (4).例文帳に追加

容量性負荷駆動回路は、ゲートドライバ（５）と、ソースドライバ（４）とを具備する。 - 特許庁

A back gate of the PMOS transistor MP_9 is connected to the source thereof.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＭＰ_９は、そのバックゲートがソースに接続されている。 - 特許庁

Since a rectifying diode having forward bias in the direction where the potential of the gate electrode becomes negative with respect to the source electrode is fabricated between a gate and source, a significant negative potential is not applied between the gate and source.例文帳に追加

この構造では、ゲート・ソース間にソース電極に対するゲート電極の電位が負になる方向を順バイアスとする整流ダイオードが組み込まれているので、強い負電位がゲート・ソース間に印加されることがなくなる。 - 特許庁

The first transistor includes a first gate, a first source, and a first drain.例文帳に追加

第１トランジスタは、第１ゲートと、第１ソースと、第１ドレインと、を有する。 - 特許庁

The OFET consists of a gate, a channel, a source electrode, and a drain electrode.例文帳に追加

ＯＦＥＴは、ゲート、チャネル、ソース電極、およびドレイン電極とからなる。 - 特許庁

The gate electrode is insulated from the source electrode through an insulation layer.例文帳に追加

ゲート電極とソース電極は絶縁層を挟んで絶縁されている。 - 特許庁

The diffusion layer is formed on both sides of the gate, to be the source and the drain.例文帳に追加

拡散層は、ゲートの両側に形成され、ソースおよびドレインとなる。 - 特許庁

A Schottky source/drain 12 is formed so that a gate electrode 7 can be interposed.例文帳に追加

ゲート電極７を挟むように、ショットキーソース・ドレイン１２を形成する。 - 特許庁

Source and drain areas are located on both sides of the gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の両側にソース及びドレイン領域が配置されている。 - 特許庁

To prevent a liquid crystal on a gate line from being deteriorated in a display device in which a source line is formed of a gate metal and a gate line is formed of a source metal in order to reduce the number of masks.例文帳に追加

マスク枚数を削減のため、ゲートメタルソース線を形成し、ソースメタルでゲート線を形成した表示装置において、ゲート線上の液晶の劣化を防止することを課題とする。 - 特許庁

A circuit 5 for detecting voltage between a gate and a source detects voltage Vgs between a gate and a source of the power MOS transistor in accordance with voltage application to a gate terminal of the power MOS transistor.例文帳に追加

ゲート・ソース間電圧検出回路５は、パワーＭＯＳトランジスタ１のゲート端子への電圧印加に伴うパワーＭＯＳトランジスタ１のゲート・ソース間電圧Ｖgsを検出する。 - 特許庁

Since a source-gate voltage of the source follower TR 8 is clamped at a prescribed voltage and a maximum electric field applied to the gate oxide film is reduced, the TR with a thin gate oxide film thickness can be used.例文帳に追加

ソースホロアトランジスタ８のソース・ゲート間電圧が所定電圧でクランプされ、ゲート酸化膜に加わる最大電界が低下するので、ゲート酸化膜厚の薄いトランジスタを使用可能である。 - 特許庁

This split-gate type memory cell 1 comprises a source region 2, drain region 3, channel region 4, floating gate electrode 5, and control gate electrode 6.例文帳に追加

スプリットゲート型メモリセル１は、ソース領域２、ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５、制御ゲート電極６から構成される。 - 特許庁

On a glass substrate 101, a gate electrode 102, a gate insulting film 103, a source electrode 104, and a drain electrode 105 are formed, thereon a patterned insulating film is formed, and a region 110 on the gate electrode is removed.例文帳に追加

ガラス基板１０１上にゲート電極１０２，ゲート絶縁膜１０３，ソース電極１０４，ドレイン電極１０５を形成する。 - 特許庁

A power source circuit 100 comprises a charge pump circuit 110, and supplies a power source voltage to a gate driver.例文帳に追加

電源回路１００は、チャージポンプ回路１１０を備え、ゲートドライバに電源電圧を供給する。 - 特許庁

In a PMOS transistor M3, a source and a back gate are coupled to the V_BOOT and a drain is coupled to the gate of the transistor MA.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＭ３は、ソースとバックゲートがＶ＿ＢＯＯＴに、ドレインがトランジスタＭＡのゲートに結合される。 - 特許庁

A source driver provides a data signal to a display panel and a gate driver provides a gate signal to the display panel.例文帳に追加

ソースドライバーは、表示パネルにデータ信号を提供し、ゲートドライバーは、表示パネルにゲート信号を提供する。 - 特許庁

A memory cell 1 comprises source drain regions 3, channel regions 4, floating gate electrodes 5, 6 and control gate electrodes 7.例文帳に追加

メモリセル１は、ソース・ドレイン領域３、チャネル領域４、浮遊ゲート電極５，６、制御ゲート電極７からなる。 - 特許庁

A transistor is comprised of a gate electrode 7, a gate insulation film 150 and source/drain areas 5 and 6.例文帳に追加

トランジスタがゲート電極７、ゲート絶縁膜１５０、およびソース／ドレイン領域５，６によって構成されている。 - 特許庁

A first photomask is used first to form a gate line 1, a gate electrode 1a, and a source line lower-layer part 3a.例文帳に追加

まず、第１のフォトマスクを用いて、ゲート線１、ゲート電極１ａ及びソース線下層部３ａを形成する。 - 特許庁

On the substrate, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and a gate dielectric layer are formed, in advance.例文帳に追加

この基板上にはゲート電極、ソース電極及びドレイン電極並びにゲート誘電体層を形成しておく。 - 特許庁

A gate electrode 124 is covered with a gate insulating film 140 on which a source electrode 193 and a drain electrode 195 are formed.例文帳に追加

ゲート電極（124）がゲート絶縁膜（140）で覆われ、その上にソース電極（193）とドレイン電極（195）とが形成されている。 - 特許庁

A source side selection transistor SSTr includes: a source side columnar semiconductor layer 47b extending upward from the columnar portions; a second source side gate insulating layer 46d and a first source side gate insulating layer 46b for surrounding the source side columnar semiconductor layer 47b; and a source side conductive layer 42b for surrounding the first source side gate insulating layer 46b.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＳＴｒは、柱状部から上に延びるソース側柱状半導体層４７ｂ、ソース側柱状半導体層４７ｂを取り囲む第２ソース側ゲート絶縁層４６ｄ、第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂ、及び第１ソース側ゲート絶縁層４６ｂを取り囲むソース側導電層４２ｂを備える。 - 特許庁

Voltage V_GS between a gate and a source of a first MOS transistor Q1 is impressed to the gate and the source of second and third MOS transistors Q2 and Q3, respectively.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタＱ１のゲート−ソース間電圧Ｖ_GSを第２および第３のＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ３それぞれのゲート−ソース間に印加する。 - 特許庁

A gate terminal of the p-type transistor P0 is connected to the source terminal.例文帳に追加

また、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子は、ソース端子に接続されている。 - 特許庁

To the source of the transistor Tr_7, the gate of a transistor Tr_2 is connected.例文帳に追加

トランジスタＴｒ_7のソースには、トランジスタＴｒ_2のゲートが接続されている。 - 特許庁

By back-filling the source and drain regions with an insulating material, leakage currents between the gate and source and the gate and drain are greatly reduced.例文帳に追加

ソース及びドレイン領域を絶縁材料で埋め戻すことによってゲート及びソース間並びにゲート及びドレイン間のリーク電流が飛躍的に低減される。 - 特許庁

The organic field effect transistor (OFET) has a gate, a source and a drain.例文帳に追加

有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）はゲート、ソース及びドレインを有する。 - 特許庁