| 例文 |
grvを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 11件
Moreover, the trench groove GRV is filled with a light-shielding member so that light can be prevented from impinging on the p-n junction formed on the inside surface of the trench groove GRV.例文帳に追加
更に、上記トレンチ溝GRVに遮光部材が埋め込まれることで、トレンチ溝GRV内面に形成されたpn接合部への光の入射を防止できる。 - 特許庁
A part as wide as prescribed from the periphery of the trench groove GRV is cut off by dicing so that the p-n junction formed in the inside of the trench groove GRV is not damaged mechanically.例文帳に追加
また、トレンチ溝GRVから所定幅外周をダイシングによりカットするので、トレンチ溝GRVの内面に形成されたpn接合部に機械的損傷を与えることがない。 - 特許庁
The third lens group Gr3 includes a positive lens component GrP and a cemented lens GrV having positive power.例文帳に追加
第3レンズ群Gr3は正レンズ成分GrPと正のパワーを有する接合レンズGrVとを含む。 - 特許庁
By moving the cemented lens GrV in a direction perpendicular to an optical axis AX, the image blur is corrected.例文帳に追加
接合レンズGrVを光軸AXに垂直な方向に移動させることにより像ブレを補正する。 - 特許庁
The assist grain Ga is calculated by Ga=1-GRv×GRi based on an electric current reduction gain GRi and a vehicle speed gain GRv, and the electric current reduction gain GRi is set as follows by an electric current reduction gain calculating part 127.例文帳に追加
アシストゲインGaは、電流低減ゲインGRiと車速ゲインGRvに基づきGa=1−GRv×GRiにより算出され、電流低減ゲインGRiは電流低減ゲイン演算部127により次のように設定される。 - 特許庁
The trench GRV is made, after p-n junction of the photodiodes PD1, PD2 is formed so as to traverse the p-n junction in the thickness direction.例文帳に追加
トレンチ溝GRVは、ホトダイオードPD1,PD2におけるpn接合の形成後に、このpn接合を厚み方向に横断するように形成されている。 - 特許庁
Since the p-n junction of the photodiode extends to the inner surface of the trench GRV, substantial light-receiving region can be widened.例文帳に追加
したがって、ホトダイオードのpn接合がトレンチ溝GRVの内面に接触するまで延びることとなり、実質的な受光領域を広くすることができる。 - 特許庁
Since an isolation trench GRV is formed between a plurality of photodiodes PD1, PD2 in the photodiode array, crosstalks among respective photodiodes can be suppressed.例文帳に追加
このホトダイオードアレイによれば、複数のホトダイオードPD1,PD2間に素子分離用のトレンチ溝GRVが形成されているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制できる。 - 特許庁
Furthermore, the photosensitive region 1a can be protected by a protective block composed of a p-type semiconductor layer 1p and an n-type semiconductor layer 1n left on the periphery of the trench groove GRV.例文帳に追加
更に、トレンチ溝の外周に残されたp型半導体層1p及びn型半導体層1nからなる保護ブロックによって、光感応領域1aを保護できる。 - 特許庁
When dividing the third lens group Gr3 to an object side part and an image side part, the image side part is set as a blurring correction group GrV and made to be eccentric in a perpendicular direction to an optical axis AX, whereby blurring is corrected.例文帳に追加
第3レンズ群Gr3を物体側部分と像側部分とに分けたとき、その像側部分を手ぶれ補正群GrVとして光軸AXに対し垂直方向に偏芯させることにより手ぶれ補正を行う。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|