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hi-Zの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 20



例文

When an Hi-z comparison signal 14 is inputted from the outside, an FF 7 starts an Hi-z comparing operation.例文帳に追加

FF7は外部からHi-z比較信号14が入力すると、Hi-z比較動作を開始させる。 - 特許庁

All string and character arguments are represented by Python strings,for instance,winopen('Hi There!')androtate(900, 'z'). 例文帳に追加

全ての文字列と文字の引数は、Pythonの文字列に相当します。 例えば、winopen('Hi There!')とrotate(900, 'z')。 - Python

An FF 6 outputs the holding level of the FF 5 to the outside as an Hi-z judgement signal 15.例文帳に追加

FF6はFF5の保持レベルをHi-z判定信号15として外部へ出力する。 - 特許庁

When values of the addresses AD, ADE are coincident, the Hi-Z control circuit 29 outputs a Hi-Z control signal SHZ to an I/O control circuit 21, thereby, an I/O terminal is controlled in a Hi-Z state.例文帳に追加

Hi−Z制御回路28は、互いのアドレスAD,ADEの値が一致する場合にI/O制御回路21にHi−Z制御信号SHZを出力し、これによりI/O端子はHi−Z状態に制御される。 - 特許庁

例文

After that, a signal of Low is outputted from an OR circuit 203, this Low signal is reversed by an output circuit 204, and the QFC signal of Hi-z is outputted from a QFC pin 205.例文帳に追加

その後、OR回路203からLowの信号が出力され、このLowの信号が出力回路204にて反転され、QFCピン205からHi-zのQFC信号が出力される。 - 特許庁


例文

It is determined within an LSI that a terminal which can not have Hi-Z (high impedance) during normal use by a user has Hi-Z (high impedance) at the time of testing and then the LSI goes into a test mode.例文帳に追加

通常ユーザーが使用時にはHi−Zになり得ない端子が、検査時にHi−ZであることをLSI内部で判別してテストモードに移行するように構成したものである。 - 特許庁

When the drive control circuit 6 recognizes that the short-circuiting has occurred when the motor M is stopped, the drive control circuit brings the two bridge circuits 7, 8 into Hi-Z states, and conducts processing for electrically separating the motor M from a power supply Vcc.例文帳に追加

駆動制御回路6は、モータMが停止している際に天絡が生じた事を認識すると、2つのブリッジ回路7,8をともにHi−Z状態にして、モータMを電源Vccから電気的に切り離す処理を行う。 - 特許庁

Thereby, output of bits other than the prescribed bit in an output pad PA is kept at Hi-Z.例文帳に追加

これにより、出力パッドPAにおける前記所定のビット以外の出力をHi−Zに維持する。 - 特許庁

A method for testing a sub-word line drive circuit for receiving a sub-word selection signal supplied through a sub-word selection line includes a technology for supplying a Hi-Z signal and a Hi signal to the sub-word line drive circuit by improved FXT output circuit and FXB output circuit.例文帳に追加

サブワード選択線を介して供給されるサブワード選択信号を受けるサブワード線駆動回路のテスト方法において、改良されたFXT出力回路とFXB出力回路により、Hi−Z信号とHi信号をサブワード線駆動回路に供給する技術を含む。 - 特許庁

例文

A bus connection circuit 21 includes: a buffer 24 which detects an I2C terminal level on the peripheral component side; an SW25 which separates the peripheral component from an I2C bus of the whole system; an I2C failure detection control module 26; a Pull Up resistor 34 for checking whether or not the peripheral component side becomes a Hi-Z state; and a Pull Down resistor 35.例文帳に追加

本発明のバス接続回路21は、周辺部品側のI2C端子レベルを検出するバッファ24と、周辺部品とシステム全体のI2Cバスとを切り離すSW25と、I2C故障検出制御モジュール26と、周辺部品側がHi-Z状態になっているかを確認するためのPull Up抵抗34と、Pull Down抵抗35と、を備える。 - 特許庁

例文

An address generating circuit 27 outputs a generated address AD generated any time from the start address ADS based on a read-enable signal REB to a Hi-Z control circuit 28, an address comparator 28a of the Hi-Z control circuit 28 compares successively its generated address with the finish address ADE.例文帳に追加

アドレス発生回路27は、リードイネーブル信号REBに基づいて開始アドレスADSから随時生成した生成アドレスADをHi−Z制御回路28に出力し、該Hi−Z制御回路28のアドレス比較器28aは、その生成アドレスADと終了アドレスADEとを順次比較する。 - 特許庁

To provide a signal masking circuit and a semiconductor integrated circuit, preventing a read data strobe signal from becoming a Hi-Z state at masking and gating of the read data strobe signal.例文帳に追加

本発明は、リードデータストローブのマスク及びゲーティングの時点において、リードデータストローブがHi−Z状態となることを防止する信号マスキング回路及び半導体集積回路を提供することを目的とする。 - 特許庁

Virtual three-dimensional coordinates (x_i, y_i, z_i), which satisfy collinear conditions are calculated from a horizontal angle θ_hi and an altitude angle θ_pi of the surveyed point P_i (S202).例文帳に追加

測定された測点P_iの水平角θ_hi、高度角θ_piから、共線条件を満たす仮想的な3次元座標(x_i,y_i,z_i)を算出する(S202)。 - 特許庁

An input buffer section 1 selects whether to output an input data signal DATA or to output a high-impedance (Hi-Z) signal in response to first control clocks N3 and N4.例文帳に追加

入力バッファ部1は、第1制御クロックN3、N4に応じて、入力データ信号DATAを出力するか、ハイインピーダンス(Hi−Z)信号を出力するかを選択する。 - 特許庁

An inter-master-slave switch 3 selects whether to output the high-impedance (Hi-Z) signal or to output the data signal output from the master flip-flop section 1 in response to the second control clocks N1 and N2.例文帳に追加

マスタ−スレーブ間スイッチ3は、第2制御クロックN1、N2に応じて、ハイインピーダンス信号(Hi−Z)を出力するか、マスタフリップフロップ部1から出力されたデータ信号を出力するかの選択をする。 - 特許庁

To provide a memory circuit with which a QFC signal is transited from Low to Hi-z when burst operation is forcedly finished by an input of a pre-charge command.例文帳に追加

プリチャージコマンドの入力によりバースト動作が強制終了される場合に、QFC信号をLowからHi−zに遷移させるメモリ回路を提供する。 - 特許庁

Also, the application of the potential in the segment to hold the display is stopped in the high impedance state Hi-Z so that the power saving can be achieved.例文帳に追加

また、ハイインピーダンス状態Hi−Zでは、表示を保持すべきセグメントにおける電位の印加が停止されるため、省電力化を図ることができる。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit includes an A/D convertor 10bit A/D_Conv and a diagnostic signal generating circuit BIDT Cirt for generating output signals O of four states, or high level (H), low level (L), medium level (M), and high-impedance (Hi-Z) in response to 2-bit input signals C, B.例文帳に追加

半導体集積回路は、A/D変換器10bit A/D_Convと、2ビットの入力信号C、Bに応答して高レベル(H)、低レベル(L)、中間レベル(M)、高インピーダンス(Hi−Z)の4状態の出力信号Oを生成する診断信号生成回路BIDT Cirtとを含む。 - 特許庁

A potential difference between pulses which may be generated in switching of an L potential with an H potential can be inhibited by having inserted a high impedance state Hi-Z to each pulse of a driving signal COM in the electrophoretic display panel and a driving signal SEG3 corresponding to the segment which should hold a display, respectively.例文帳に追加

電気泳動表示パネルにおける駆動信号COM、および表示を保持すべきセグメントに対応する駆動信号SEG3の各パルスにそれぞれ、ハイインピーダンス状態Hi−Zを挿入したことにより、L電位とH電位との切り替わり時に生じ得るパルス間の電位差を抑止できる。 - 特許庁

例文

The hold voltage Vhold is applied to an upper electrode 14, while the grounding voltage Vss is applied to a lower electrode 15, and subsequently the voltage BE on the lower electrode 15 is used as the test voltage Vtest to separate the hold voltage Vhold on the upper electrode 14 so that the voltage TE on the upper electrode 14 may be placed in a high impedance state (hi-Z).例文帳に追加

上部電極14にはホールド電圧Vholdを、下部電極15には接地電圧Vssを印加し、その後、下部電極15の電圧BEを試験電圧Vtestとしてから上部電極14のホールド電圧Vholdを切り離して上部電極14の電圧TEを高インピーダンス状態(hi−Z)とする。 - 特許庁

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