「lamp cvd」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9.例文帳に追加

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。 - 特許庁

In a vacuum ultraviolet light CVD system, a light-shielding mask 19 for reducing the illuminance of vacuum ultraviolet light in the central part of a semiconductor wafer 11 is arranged between a lamp house 15 for illuminating a uniform illuminance distribution of the vacuum ultraviolet light to the surface of this semiconductor wafer 11 and a glass window 14.例文帳に追加

半導体ウエハ１の表面に均一な照度分布の真空紫外光を照射するランプハウス１５と、ガラス窓１４との間に、この半導体ウエハ１の中央部における照度を低下させるための遮光マスク１９を配置する。 - 特許庁

A hot wire CVD apparatus has a reaction chamber 5 for treating a substrate W, a gas introduction port 1 for supplying a reaction gas into the reaction chamber 5, the electrical heating element 30 for decomposing the reaction gas at temperature being higher than that in the substrate and for generating active species, and a lamp 20 for indirectly heating the electrical heating element 30.例文帳に追加

ホットワイヤＣＶＤ装置は、基板Ｗに処理を施す反応室５と、反応室５内に反応ガスを供給するガス導入口１と、基板温度よりも高温で反応ガスを分解して活性種を生成する発熱体３０と、発熱体３０を間接加熱するためのランプ２０とを有する。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

Ｐ型ＧａＡｓキャップ層上にプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ_2絶縁膜を形成して、そのＳｉＯ_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

The thermal CVD system 20 prevents the gaseous raw material introduced into a reaction chamber 22 from attaining a growth temperature before the gas arrives at the substrate and achieves the mitigation of the growth rate on the substrate by using a heating lamp 23, such as an IR lamp, as a heating source of the substrate W, and operating the substrate W in the reaction chamber 22 to locally heat the substrate.例文帳に追加

本発明の熱ＣＶＤ装置２０は、基板Ｗの加熱源に赤外線ランプ等の加熱ランプ２３を用い、反応室２２内の基板Ｗを局所的に加熱操作することで、反応室２２に導入された原料ガスが基板に到達する前に成長温度に達することを防止し、基板上における成長速度の緩和を図る。 - 特許庁