「laser lithography」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LASER LITHOGRAPHY METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK例文帳に追加

レーザー描画方法およびフォトマスク製造方法 - 特許庁

INJECTION SEEDED F2 LITHOGRAPHY LASER例文帳に追加

注入シード方式Ｆ２リソグラフィレーザ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING REFRACTIVE INDEX CONTROL TYPE LASER LITHOGRAPHY WAVEGUIDE例文帳に追加

屈折率制御型レーザ描画導波路の製造方法 - 特許庁

LASER LENGTH-MEASURING SYSTEM FOR ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

電子ビーム描画装置のレーザ測長システム - 特許庁

LITHOGRAPHY LASER LIGHT SOURCE WITH BEAM DELIVERY例文帳に追加

ビームデリバリーを備えたレーザリソグラフィー光源 - 特許庁

PROCESS-MONITORING SYSTEM FOR LITHOGRAPHY LASER例文帳に追加

リソグラフィ・レーザ用プロセス監視システム - 特許庁

SYNTHETIC QUARTZ GLASS MEMBER FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材 - 特許庁

VERY NARROW BAND INJECTION SEEDED F2 LITHOGRAPHY LASER例文帳に追加

極めて狭い帯域を有するリソグラフィー用種注入Ｆ２レーザ - 特許庁

PRODUCTION OF SYNTHETIC QUARTZ GLASS FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレ—ザ—リソグラフィ—用合成石英ガラスの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING UNIT CELL OF TWO-DIMENSIONAL CODE IN LASER LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

レーザー露光装置における２次元コードの単位セル作成方法 - 特許庁

OPTICAL HEAD DEVICE, LASER LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD FOR DRAWING PATTERN例文帳に追加

光学ヘッド装置、レーザ描画装置及びパターン描画方法 - 特許庁

The photoresist composition can especially be used as a chemical amplification type photoresist composition suitable for ArF or KrF excimer laser lithography, ArF immersion exposure lithography, EB exposure lithography, and EUV exposure lithography.例文帳に追加

特に、ＡｒＦやＫｒＦなどのエキシマレーザリソグラフィならびにＡｒＦ液浸露光リソグラフィ、ＥＢ露光リソグラフィ、ＥＵＶ露光リソグラフィに好適な化学増幅型フォトレジスト組成として用いることができる。 - 特許庁

METHOD OF MAKING <200 NM WAVELENGTH FLUORIDE CRYSTAL LITHOGRAPHY/LASER OPTICAL ELEMENT例文帳に追加

２００ｎｍより短波長で使用されるフッ化物結晶リソグラフィ／レーザ光学素子の作成方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC QUARTZ GLASS MEMBER FOR ArF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー用合成石英ガラス部材の製造方法 - 特許庁

To provide a lithography apparatus which decreases influences of tensile stress in a laser diode bar.例文帳に追加

レーザダイオードバーの引っ張り応力の影響を低減する描画装置を提供する。 - 特許庁

The system for monitoring lithography laser of integrated circuit manufacturing equipment is provided.例文帳に追加

集積回路製造設備におけるリソグラフィ・レーザを監視するためのシステムである。 - 特許庁

A tunable injection seeded very narrow band F2 lithography laser is provided.例文帳に追加

同調可能注入シード方式超狭帯域Ｆ_2リソグラフィレーザが提供される。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR REDUCING SPECKLE OF LASER BEAM AND LITHOGRAPHY EQUIPMENT例文帳に追加

レーザビームのスペックル低減方法及びその装置、及びリソグラフィ装置 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DEFLECTION OF LASER BEAM IN STEREO LITHOGRAPHY SYSTEM例文帳に追加

光造形システムにおけるレーザビームの偏向制御方法及びその装置 - 特許庁

To provide a laser in more detail an injection seeded laser which is used for integrated-circuit lithography.例文帳に追加

本発明は、レーザに関し、より詳細には、集積回路リソグラフィに使用する注入シード方式レーザに関する。 - 特許庁

A laser lithography equipment comprises a mask 2 having a pattern, laser light source 52 for writing from which laser light for lithography is irradiated on the mask 2, projection optical system 4 for imaging and projecting a pattern image of the mask 2 on a substrate 65 for wiring, substrate holding and moving mechanism 66 for holding and moving the substrate 65 for lithography, and control system 5.例文帳に追加

パタンを有するマスク２と、マスク２を描画用レーザ光により照明する描画用レーザ光源５２と、マスク２のパタン像を描画用基板６５に結像投影する投影光学系４と、描画用基板６５を保持し、描画用基板６５を移動させる基板保持移動機構６６と、制御システム５とを備える。 - 特許庁

To provide a (co)polymer for a resist which ensures high sensitivity and/or resolution, when it is used in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for analyzing the distribution of a copolymer composition of a copolymer for a resist rapidly, simply and accurately in DUV excimer laser lithography or electron beam lithography.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等において、迅速、簡便、正確になレジスト用共重合体の共重合組成分布分析方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a laser aligner for lithography that makes possible a lithography exposure of sub-micron units such as a pattern line width of 0.3 μm corresponding to a 64-bit DRAM having high integration density.例文帳に追加

高集積密度の高い６４ビットＤＲＡＭに対応するパターン線巾０．３μｍというサブミクロン単位の描画露光が可能となるリソグラフィ用レーザ露光装置を提供する事を目的とする。 - 特許庁

To provide a synthetic quartz glass member which can enhance the transmittance of optical lithography device using an ArF excimer laser as a light source to exhibit sufficient practicality, and to provide an optical lithography device using the same.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザを光源とする光リソグラフィー装置の透過率を高めて十分な実用性を発揮させることが可能な合成石英ガラス部材及びこれを用いた光リソグラフィー装置を提供する。 - 特許庁

To provide a (co)polymer for a resist giving high sensitivity and/or resolution, when used in DUV excimer laser lithography, electron beam lithography or the like.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィー等に用いた場合に、高い感度および／または解像度が得られるレジスト用（共）重合体の提供。 - 特許庁

To provide a high performance pellicle for lithography having high transmittance to fluorine excimer laser light of 158 nm wavelength.例文帳に追加

フッ素エキシマレーザー光（波長：１５８ｎｍ）に対して透過率の高い、高性能なリソグラフィー用ペリクルを提供する。 - 特許庁

To provide a resist material useful for a semiconductor lithography using a short wavelength such as an F2 excimer laser.例文帳に追加

Ｆ２エキシマレーザーの如き短波長を用いた半導体リソグラフィーに有用なレジスト材料を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition excellent in transmittance to light of ≤170 nm wavelength and suitable especially for F_2 excimer laser lithography.例文帳に追加

１７０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ２エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a resist composition which has excellent transmittance to light of a wavelength below 170 nm and is particularly suitable for F_2 excimer laser lithography.例文帳に追加

１７０ｎｍ以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ_２エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The method is used for forming an extremely fine pattern by using short wavelength light from an ArF excimer laser or by liquid immersion lithography.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマーレーザーなどの短波長光や液浸リソグラフィーなどの非常に微細なパターンを形成する場合に用いられる。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type resist composition excellent in transmittance to light of ≤170 nm wavelength and suitable particularly for F_2 excimer laser lithography.例文帳に追加

１７０nm以下の波長の光に対する透過率に優れ、特にＦ_2 エキシマレーザーリソグラフィに適したレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The ultraviolet light is ArF excimer laser light, and is used for an ArF lithography exposure apparatus.例文帳に追加

前記紫外光がＡｒＦエキシマレーザー光であり、ＡｒＦリソグラフィー露光装置に使用される。 - 特許庁

Each of the optical additional film and the optical element for F2 laser lithography has at least a thin film of fluorine-containing quartz.例文帳に追加

本発明では、フッ素を含有する石英、の薄膜を少なくとも有してなるF_2レーザーリソグラフィー用の光学付加膜及び光学素子を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer for resist generating little line edge roughness and forming little defect in DUV excimer laser lithography, etc.例文帳に追加

ＤＵＶエキシマレーザーリソグラフィー等において、ラインエッジラフネスが小さく、ディフェクトの生成も少ないレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a fluorine-doped quartz glass having a high transmittance in a wavelength of 157 nm suitable for a F2 laser lithography.例文帳に追加

Ｆ_2レーザリソグラフィに適する１５７ｎｍ波長域での透過率が高いフッ素ドープ石英ガラスが容易に得られる製造方法の提供。 - 特許庁

An optical device for F2 laser lithography using the optical additional film such as a reflecting film or an antireflection film or the optical element is provided.例文帳に追加

また、これらの反射膜、反射防止膜、光学素子を用いたF_2レーザーリソグラフィー用の光学装置を提供する。 - 特許庁

To provide an injected seeded laser for use in integrated circuit lithography in which the wavelength can be regulated variably with a degree of freedom.例文帳に追加

自由度を持って波長の可変調整を可能とする集積回路リソグラフィーに使用される種注入レーザの提供。 - 特許庁

The stamper 30 is manufactured by utilizing lithography, a processing method using a diamondbyte and a laser process.例文帳に追加

スタンパ３０は、リソグラフィー、ダイアモンドバイトを用いた加工方法及びレーザー工程を利用して製造されたものである。 - 特許庁

The excimer laser system is especially useful in the lithography environments wherein the photoresists having a wide sensitivity range are used.例文帳に追加

本発明は、広い感度範囲をもつフォトレジストが使われるリソグラフィー環境において特に有益である。 - 特許庁

To provide a resist composition for reducing a developing defect, in an ArF excimer laser lithography or the like.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィー等において、現像欠陥（ディフェクト）が少ないレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In an appropriate embodiment, an ArF excimer laser which is designed specifically to a light source used for integrated circuit lithography is disclosed.例文帳に追加

好適な実施例として、集積回路リソグラフィー用の光源に特定して設計されたＡｒＦエキシマレーザーが提示されている。 - 特許庁

To reduce both a cyclic variation factor and irregular variation factor in multiple lithography using a charged particle beam or a laser beam.例文帳に追加

荷電粒子線またはレーザビームを用いた多重描画において周期性のある変動要因と不規則な変動要因の両者を低減する。 - 特許庁

To provide a high precision and low defect photomask for KrF excimer laser lithography capable of being manufactured in a reduced number of processes.例文帳に追加

少ない工程数で製造でき、高精度、低欠陥のＫｒＦエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスクを提供する。 - 特許庁

A preferred embodiment in an ArF excimer laser system is configured as a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) and specifically designed for use as a light source for integrated-circuit pattern lithography.例文帳に追加

好適な実施形態は、MOPAとして構成され、特に集積回路パターン転写用の光源用として設計されたArFエキシマレーザシステムである。 - 特許庁