「ldd structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタとその製造方法 - 特許庁

Therefore, the concentration of electric field in the pn junction part is relieved and the merits of an LDD structure are utilized effectively.例文帳に追加

このため、ｐｎ接合部における電界の集中が緩和され、LDD構造の利点が有効に生かされる。 - 特許庁

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに１回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a higher driving capacity than with a single LDD structure by improving hot carrier resistance compared to a concentional MOSFET of single LDD layer and double LDD layer structure.例文帳に追加

従来の１重ＬＤＤ層及び２重ＬＤＤ層構造のＭＯＳＦＥＴよりもホットキャリア耐性を改善し、１重ＬＤＤ層構造のものよりも高駆動能力化する。 - 特許庁

GOLD structure and LDD structure can separately be used according to circuit specifications.例文帳に追加

回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

A single LDD structure 224 is positioned between a source/drain structure 2211 and 2221.例文帳に追加

単一ＬＤＤ構造２２４がソース／ドレイン構造２２１１，２２２１の間に配置される。 - 特許庁

The GOLD structure and the LDD structure can be used appropriately for circuit specifications.例文帳に追加

回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-alignment structure.例文帳に追加

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁

The switching transistor has a lightly doped drain (LDD) structure or an offset structure and the current transistor has a self-aryne structure.例文帳に追加

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁

The switching transistor is made to have an LDD(lightly-doped drain) structure or an offset structure, and the current transistor is made to have a self-aligned structure.例文帳に追加

スイッチングトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁

The GOLD structure is formed in less number of processes, and generation of asymmetry of the left and right LDD regions is prevented, thereby variations of property of the GOLD structure is prevented.例文帳に追加

少ない工程数でGOLD構造を形成し、左右のLDD領域における非対称性の発生を抑えて特性のばらつきを抑制することができる。 - 特許庁

To improve transistor characteristics of the polysilicon thin film transistor of an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のポリシリコン薄膜トランジスタのトランジスタ特性を改善する。 - 特許庁

A source of LDD structure and a drain are formed on the active layer 101.例文帳に追加

能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース・ドレインが形成されている。 - 特許庁

To prevent occurrence of variations of property of a Gate-Overlapped LDD (GOLD) structure caused by generation of asymmetry of left and right LDD regions resulting from overlapping accuracy, in a photoengraving process at the time of gate electrode formation, in the manufacturing method of the GOLD structure for improving reliability.例文帳に追加

信頼性向上のためのGate-Overlapped LDD(GOLD)構造の製造方法において、ゲート電極形成時の写真製版工程で、重ね合わせ精度に起因して左右のLDD領域に非対称性が発生することによって、特性のばらつきが発生することを抑制する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNMENT LDD STRUCTURE AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

セルフアライメントＬＤＤ構造を備えた薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

Thus the GOLD structure and the LDD structure can be properly used corresponding to a circuit type.例文帳に追加

このように回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-reliability thin film transistor with less characteristics variation wherein the offset structure or LDD structure can be formed in a simple process.例文帳に追加

簡略な工程でオフセット構造、あるいはLDD構造を形成でき、特性変動の少ない信頼性の高い薄膜トランジスタの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

A transistor with LDD structure is used as a driving transistor for driving an organic EL element.例文帳に追加

有機ＥＬ素子を駆動する駆動トランジスタとして、ＬＤＤ構造のトランジスタを用いる。 - 特許庁

POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

自己整合ＬＤＤ構造を備えたポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

To provide a lightly doped drain(LDD) structure and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明は、軽度にドープされたドレイン (ＬＤＤ) 構造とその製造方法とに関する。 - 特許庁

An MOS structure is formed of the LDD region and the metal electrodes, and when the transistor is turned on, the MOS is also turned on and the resistance of LDD is reduced.例文帳に追加

ＬＤＤ領域と金属電極とでＭＯＳ構造が形成され、トランジスタがＯＮになると、ＭＯＳもＯＮになりＬＤＤの抵抗が下がる。 - 特許庁

Alternatively, the switching transistor and the current transistor have the LDD structure or the offset structure and the LDD length or the offset length of the switching transistor is made longer than that of the current transistor.例文帳に追加

あるいは、スイッチングトランジスタおよびカレントトランジスタは、ＬＤＤ構造またはオフセット構造とし、スイッチングトランジスタの、ＬＤＤ長またはオフセット長を、カレントトランジスタよりも、長くする。 - 特許庁

Thus, a NMOS transistor having a source-drain region of the LDD structure is formed.例文帳に追加

これによりＬＤＤ構造のソース・ドレイン領域を有するＮＭＯＳトランジスタが形成される。 - 特許庁

To both optimize antireflection effects and microfabricate a transistor having an LDD structure.例文帳に追加

反射防止効果の最適化と、ＬＤＤ構造を有するトランジスタの微細化とを両立する。 - 特許庁

To provide good saturation characteristics in a thin film transistor of an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタにおいて、良好な飽和特性を得ることができるようにする。 - 特許庁

A second gate layer 46 is subjected to pattern formation to the first gate layer and extended to cover a prescribed region of the gate insulation layer 40 and to cover the LDD structure 36.例文帳に追加

第二ゲート層４６は前記第一ゲート層にパターン形成され、延伸して前記ゲート絶縁層４０の所定領域を被覆し、その下の前記LDD 構造３６を被覆する。 - 特許庁

Further, a LDD spacer 540 is formed on the side wall of the select gate 506, and a drain diffusion region has a LDD structure with a HALO region 536.例文帳に追加

更には選択ゲート５０６の側壁にＬＤＤスペーサ５４０が形成され、ドレイン拡散領域はＨＡＬＯ領域５３６を有するＬＤＤ構造となっている。 - 特許庁

Therefore, the first wiring has a GOLD structure, with applying gate voltage on it, and the first wiring has an LDD structure, without applying the gate voltage on it.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

When a gate voltage is applied to the first wiring, a GOLD structure is obtained and turns into LDD structure, if voltage is not applied.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

Thereby the first wiring has GOLD structure when gate voltage is applied thereto and has LDD structure when the gate voltage is not applied thereto.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

Consequently, if gate voltage is applied to the first wiring, a GOLD structure is obtained, and if gate voltage is not applied to the first wiring, the LDD structure is obtained.例文帳に追加

このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for improving productivity of a MOS-type semiconductor transistor having an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造をもつＭＯＳ型半導体トランジスタの生産性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

To form an LDD structure in self-alignment process and to prevent variations in the thickness of a gate insulating film.例文帳に追加

自己整合的にＬＤＤ構造を形成でき、しかも、ゲート絶縁膜の厚さばらつきを防止できる。 - 特許庁

The present invention reduces short channel effects but does not include a lightly doped drain region (LDD structure).例文帳に追加

本発明は、ショートチャネルの影響を低減し、薄くドープしたドレイン領域（ＬＤＤ構造）を有さない。 - 特許庁

To manufacture a thin-film semiconductor device which is provided with an LDD structure and micronized through a simple process.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜半導体装置を微細化可能な簡単な工程で製造する事。 - 特許庁

To manufacture an insulating gate field effect transistor of an extension drain structure or an LDD structure in a small number of processes with good yield.例文帳に追加

エクステンションドレイン構造又はＬＤＤ構造の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを少ない工程数で歩留り良く製作する。 - 特許庁

This TFT having an LDD structure is constituted such that a region where the LDD region and a gate electrode are overlapped and a region where these are not overlapped are provided in one TFT.例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有するＴＦＴにおいて、そのＬＤＤ領域がゲート電極とオーバーラップする領域と、オーバーラップしない領域とが一つのＴＦＴに設けられた構造とした。 - 特許庁

Further, the high withstand voltage system MOS transistor 31 has an LDD structure 35 having an LDD length in response to the side wall length of the thick film gate side wall insulating film 34.例文帳に追加

また、高耐圧系のＭＯＳトランジスタ３１は、厚膜ゲート側壁絶縁膜３４の側壁長に応じたＬＤＤ長を有するＬＤＤ構造３５を有して構成されている。 - 特許庁

To limit the formation region for an LDD(lightly doped drain) structure and prevent an increase in the space factor of a semiconductor substrate.例文帳に追加

ＬＤＤ構造の形成領域を制限して半導体基板の占有面積の増加を防止する。 - 特許庁

Source 60 and drain 70 of LDD structure have an asymmetric structure and impurity concentration of an N^- layer 63 is set higher than that of an N^-- layer 73.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のソース６０及びドレイン７０を非対称構造にし、Ｎ^-層６３の不純物濃度をＮ^--層７３よりも高くする。 - 特許庁

To provide a method for simplifying the manufacturing process of a semiconductor device having an LDD or a GOLD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ又はＧＯＬＤ構造を有する半導体装置の製造工程を簡略化する方法を提供する。 - 特許庁

N-type impurities are injected to the polysilicon film 123, and the n-type source/ drain region of LDD structure is formed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１２３にｎ型不純物を注入し、ＬＤＤ構造のｎ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To lower the parasitic resistance of a source/drain region by greatly improving a margin of junction leakage of an MOSFET, having an LDD structure and a salicide structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造とサリサイド構造を有するＭＯＳＦＥＴの接合リークのマージンを大幅に向上させ、ソース・ドレイン領域の寄生抵抗を低減させる。 - 特許庁

To provide a TFT wherein an LDD structure or an offset structure can be formed by a simple process and the length and/or the impurity concentration thereof can easily be controlled.例文帳に追加

簡単な工程でＬＤＤ構造またはオフセット構造を形成できると共に、その長さや不純物濃度を制御し易いＴＦＴを提供する。 - 特許庁