「low threshold current」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a surface light emitting laser element which has a low threshold current and high slope efficiency.例文帳に追加

閾値電流が低く、スロープ効率の高い面発光レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a luminous element which is high in luminous efficiency and low in an operating current or threshold current.例文帳に追加

発光効率が高く動作電流またはしきい値電流が低い発光素子を提供することである。 - 特許庁

For this reason, it is feasible to make use of emission by a band transition enabling the low threshold current.例文帳に追加

これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁

For this reason, it is feasible to make use of emission by a band transition enabling a low threshold current.例文帳に追加

これ故に、低しきい値電流を可能にするバンド遷移の発光を利用できる。 - 特許庁

To provide a normally-off semiconductor device having high threshold voltage and low leakage current.例文帳に追加

高いしきい値電圧と低いリーク電流のノーマリーオフの半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a laser diode having a stronger mode stability and a low threshold current operation.例文帳に追加

より強いモード安定性及び低閾値電流動作を有するレーザダイオードの提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having a higher slope efficiency for enabling low power consumption (low threshold current) operation.例文帳に追加

高いスロープ効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To realize a self-exciting oscillation semiconductor laser with a low threshold current, which can be operated with low noise at a high temperature and high power.例文帳に追加

高温高出力で低雑音動作が可能な低しきい値電流の自励発振半導体レーザを実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having an excellent vertical light confining efficiency, a low threshold current, and a low resistance.例文帳に追加

縦方向の光閉じ込め効率が良好で、閾値電流が低く、素子抵抗の小さい半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element having low threshold current characteristics and its manufacturing method.例文帳に追加

低閾値電流特性を備えた半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To suppress sub-threshold coefficient and off-leak current of a semiconductor device operating at a low voltage.例文帳に追加

サブスレッショルド係数と低電圧動作化された半導体装置のオフリーク電流を抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device of a well heat dissipation, low threshold current, and small electrostatic capacity.例文帳に追加

放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a single or coupling quantum well laser diode having a high gain and a low threshold current.例文帳に追加

利得が高くしきい値電流が低い、単一または結合量子井戸レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a GaAs semiconductor laser device having the narrow stripe type internal current narrowing structure of low threshold current.例文帳に追加

しきい値電流が低い、狭ストライプ型の内部電流狭窄構造を有するＧａＡｓ系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

Concretely when the line current is greater than a threshold value, the CPU 11 sets the amplifier gain to a Low gain, and when the line current is the threshold value or below, the CPU 11 sets the amplifier gain to a High gain.例文帳に追加

具体的には、回線電流が閾値より大きいと、アンプゲインをＬｏｗに設定し、回線電流が閾値以下であると、アンプゲインをＨｉｇｈに設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit in which components with a high threshold voltage and a low threshold voltage coexist and that realizes low current consumption in power-down and prevents malfunctions.例文帳に追加

スレッショルド電圧の低い素子および高い素子が混在した半導体集積回路においてパワーダウン時の低消費電流を実現し，誤動作を防止すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device low in the increase of a threshold current and low in the decrease of slope efficiency at a high temperature.例文帳に追加

高温におけるしきい値電流の上昇及びスロープ効率の低下の少ない半導体レーザダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a CMOS structure in which a gate leakage current and a threshold voltage are low.例文帳に追加

ゲートリーク電流および閾値電圧が低く、ＣＭＯＳ構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor facet laser of a current injection type wherein oscillation threshold value is low and consumption power is small.例文帳に追加

発振閾値が低く、消費電力の少ない電流注入型半導体ファセットレーザを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting device of low threshold current and high reliability.例文帳に追加

しきい値電流が低く、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体発光装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element having a low oscillation threshold current density and a high manufacturing yield.例文帳に追加

発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

By preventing the non-emitting recombination, the leakage of current is inhibited, and the laser light can be resonated with a low threshold current.例文帳に追加

非発光再結合を防止することにより、電流の漏洩を抑制し、かつ低しきい値電流でレーザ光を発振することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which can be compatible with low threshold current, high output operation, and cost reduction.例文帳に追加

低閾値電流・高出力動作とコスト低減とを両立できる半導体レーザ素子を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element arranged to have an excellent heat dissipation properties, a low threshold current, and a capacitance.例文帳に追加

放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい構成の半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a ridge-type distribution feedback semiconductor laser with low threshold current of laser oscillation and large light emission efficiency.例文帳に追加

レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, together with its manufacturing method, where a threshold current is low, while the half-value width of FFP is small.例文帳に追加

閾値電流が低く，ＦＦＰの半値幅が小さい半導体レーザとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element which comprises a current bottleneck structure with an Al oxide layer, with low threshold current and high quantum efficiency.例文帳に追加

Ａｌ酸化層による電流狭窄構造を有し、しかもしきい値電流が低く、量子効率が高い半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To manufacture a surface-emitting semiconductor laser that can oscillate in a single lateral mode and has a low threshold current and low element resistance with high yield.例文帳に追加

単一横モード発振が可能で、低いしきい値電流、低い素子抵抗を実現する面発光半導体レーザを歩留まり高く製造する。 - 特許庁

To realize a MOSFET, which can increase its on-current and can reduce its off-current, by a method, where the threshold voltage of the ends of a channel region is made low in comparison with the threshold voltage of the center of the channel region.例文帳に追加

チャネル領域のしきい値電圧を中央と比較して端において小さくすることにより、オン電流を増加させ、かつオフ電流を低減できるＭＯＳＦＥＴを実現する。 - 特許庁

To provide a highly reliable surface emission optical laser element having a low threshold current in which single transverse mode oscillation can be realized.例文帳に追加

低い閾値電流を有し、信頼性が高く、単一横モード発振が可能な面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting element improving light-emitting efficiency and having low threshold current density.例文帳に追加

発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

To provide a substrate voltage control technique for suppressing a leakage current due to a low threshold by preventing decrease in an operation speed relating to a low voltage usage.例文帳に追加

低電圧用途に関して、動作速度の低下を防ぎ、低しきい値による漏れ電流を抑制する基板電圧制御技術を提供する。 - 特許庁

To provide an improved Schottky diode structure with no increased cost, which comprises a relatively low turn-on threshold and relatively low leakage current characteristics.例文帳に追加

比較的低いターンオン・スレショルドと比較的低い漏れ電流特性とを有する改良されたショットキ・ダイオード構造をコストを上昇させずに提供すること。 - 特許庁

To provide a low power consumption semiconductor laser element and its manufacturing method capable of low threshold current oscillation, of high efficiency operation, and of inexpensive manufacture.例文帳に追加

低閾値電流発振と高効率動作可能で、かつ、低コストで製造できる低消費電力の半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a highly efficient semiconductor laser in which an optical output that causes an end-face destruction may be sufficiently high and a threshold current may be low.例文帳に追加

端面破壊を生じる光出力が十分高く、しきい値電流の低い高効率な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device which has low current consumption and little variance in the threshold voltage of a memory transistor.例文帳に追加

消費電流が小さく、メモリトランジスタのしきい値電圧のバラツキが小さな不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride system semiconductor laser element capable of making an operating voltage low while making a threshold current small.例文帳に追加

しきい値電流を小さくするとともに、動作電圧を低くすることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

To reduce leak current at bias cut in a power supply standby circuit using a low threshold MOS transistor.例文帳に追加

低しきい値ＭＯＳトランジスタを用いた電源スタンバイ回路において、バイアスカット時におけるリーク電流を低減できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser capable of achieving a high-output single-mode oscillation at a low-threshold current with a simple configuration.例文帳に追加

高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting device characterized in that threshold current is low and the polarization plane of light is controlled, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

閾値電流が低く、しかも光の偏波面が制御された半導体発光素子、およびその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a novel semiconductor laser which can reduce threshold current with a low cost by effectively suppressing the diffusion of an injecting current in a horizontal direction.例文帳に追加

注入電流の横方向への拡散を効果的に抑えることによって閾値電流を低くし、かつ、低コストの新規な半導体レーザ装置を提案すること。 - 特許庁

To perform stable operation of a circuit group constituted of the MOSFET of a low threshold voltage for performing a low voltage operation, thus realizing lower power consumption (to reduce a leakage current).例文帳に追加

低電圧動作を行わせるために低閾値電圧のＭＯＳＦＥＴで構成した回路群の安定動作と低消費電力化（リーク電流の低減）を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein an n-channel MOS transistor of low leakage current and low threshold voltage and a p-channel MOS transistor are formed on one substrate.例文帳に追加

低リーク電流及び低閾値電圧のｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタとが一の基板に形成された半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical device which can be produced with good reproducibility and has high reliability and is useful as a light source of low aspect ratio and of low threshold current.例文帳に追加

再現性良く作製することが可能であり、信頼性が高く、低しきい値電流で低アスペクト比の光源として有用な半導体光デバイス装置を提供すること。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a TFT having characteristics, such as high electron mobility, low threshold voltage, and little leakage current.例文帳に追加

高い電子移動度、低いスレショルド電圧および漏れ電流が少ないなどの特性を有するＴＦＴの製造方法を提供する。 - 特許庁