| 意味 | 例文 |
memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14054件
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND TESTING METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体集積回路、半導体記憶装置及び半導体記憶装置のテスト方法 - 特許庁
MEMORY ACCESS DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, MEMORY ACCESS CONTROL METHOD, COMPUTER PROGRAM AND RECORDING MEDIUM例文帳に追加
メモリアクセス装置、半導体デバイス、メモリアクセス制御方法、コンピュータプログラム及び記録媒体 - 特許庁
ELECTRODE FOR PHASE CHANGE MEMORY, METHOD OF FORMING THE ELECTRODE, AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE例文帳に追加
相変化メモリ・デバイスのための電極、電極を形成する方法、および相変化メモリ・デバイス - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND METHOD FOR WRITING DATA INTO NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
不揮発性の半導体メモリ、および不揮発性の半導体メモリへのデータ書き込み方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY AND CAPACITOR FORMED IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリの形成方法及びダイナミックランダムアクセスメモリ内に形成されたキャパシタ - 特許庁
MEMORY CELL PROGRAMMING METHOD FOR SIMULTANEOUSLY PROGRAMMING MANY MEMORY BLOCK GROUPS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
多数のメモリブロックグループを同時にプログラミングするメモリセルプログラミング方法及び半導体装置 - 特許庁
SUPERDENSE DATA MEMORY USING PHASE CHANGE DIODE MEMORY CELL, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME例文帳に追加
相変化ダイオードメモリセルを使用する超高密度データ記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS DATA INPUT/OUTPUT CONTROL METHOD, AND MEMORY APPLICATION SYSTEM例文帳に追加
不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入/出力制御方法及びメモリ応用システム - 特許庁
MEMORY TEST CIRCUIT, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND OPERATION CONTROL METHOD FOR MEMORY TEST CIRCUIT例文帳に追加
メモリテスト回路、半導体集積回路装置、およびメモリテスト回路の動作制御方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DIVIDED CELL ARRAY, AND ACCESSING METHOD FOR MEMORY CELLS OF THIS DEVICE例文帳に追加
分割されたセルアレーを有する半導体メモリ装置及びこの装置のメモリセルアクセス方法 - 特許庁
BUFFER MEMORY MANAGEMENT SYSTEM, INFORMATION PROCESSOR USING THE SAME AND BUFFER MEMORY MANAGING METHOD例文帳に追加
バッファメモリ管理方式とこれを用いた情報処理装置およびバッファメモリ管理方法 - 特許庁
COMPETITION TYPE GAME DEVICE CHARACTER MEMORY CONTROL METHOD OF COMPETITION TYPE GAME MACHINE AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
対戦型ゲーム装置、対戦型ゲーム装置のキャラクタ記憶制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
CONTROL METHOD FOR ERASING OPERATION OF FLASH MEMORY AND CONTROL DEVICE FOR ERASING OPERATION OF FLASH MEMORY例文帳に追加
フラッシュメモリの消去動作制御方法およびフラッシュメモリの消去動作制御装置 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, METHOD FOR ACCESSING SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
ダイナミックランダムアクセスメモリ素子、ダイナミックランダムアクセスメモリ素子にアクセスする方法、半導体メモリ素子 - 特許庁
SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY HAVING THE SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
半導体不揮発性メモリセルとその製造方法、及びその半導体不揮発性メモリセルを有する半導体不揮発性メモリとその製造方法 - 特許庁
SELF ADJUSTMENT METHOD FOR FORMING A SERIES OF SEMICONDUCTOR MEMORY FLOATING GATE MEMORY CELLS WHICH HAVE GATE SPACER, AND MEMORY ARRAY FORMED BY THE METHOD例文帳に追加
制御ゲートスペーサを有する一連の半導体メモリ浮動ゲートメモリセルを形成する自己調整方法及びそれにより形成されるメモリアレイ - 特許庁
MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリおよびその動作方法およびその製造方法 - 特許庁
INFORMATION MEMORY, INFORMATION WRITING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
情報記憶装置、その情報書き込み方法およびその製造方法 - 特許庁
MEMORY MANAGEMENT METHOD, INFORMATION PROCESSOR, CREATION METHOD OF PROGRAM, AND PROGRAM例文帳に追加
メモリ管理方法、情報処理装置、プログラムの作成方法及びプログラム - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT AND METHOD OF LAMINATING FILM-LIKE MEMBER例文帳に追加
光メモリ素子の製造方法及びフィルム状部材のラミネート方法 - 特許庁
CALIBRATION METHOD FOR POSITION LOCATION SYSTEM, AND SYSTEM AND MEMORY FOR THE METHOD例文帳に追加
ポジションロケーションシステムの較正方法およびそのためのシステムおよびメモリ - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE BY USING ELECTROPLATING METHOD例文帳に追加
電気メッキ方法を用いた半導体メモリ素子のキャパシタの製造方法 - 特許庁
MULTILEVEL PHASE CHANGE MEMORY, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
マルチレベル相変化メモリ、及びその動作方法並びに製造方法 - 特許庁
LOW POWER CONSUMPTION MEMORY MANAGEMENT METHOD AND COMPUTER USING ITS METHOD例文帳に追加
低消費電力メモリ管理方法及びその方法を用いた計算機 - 特許庁
FERROELECTRIC MEMORY ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ETCHING BACK METHOD例文帳に追加
強誘電体メモリ素子及びその製造方法並びにエッチバック方法 - 特許庁
NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, ITS FABRICATING METHOD AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
不揮発性メモリ素子及びその製造方法、並びにその動作方法 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体装置の製造方法、半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING CAPACITOR, MEMORY, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
電極形成方法、キャパシタ製造方法、メモリ装置、及び電子機器 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS FABRICATING METHOD AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置、その製造方法及びその動作方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ITS PROGRAMMING METHOD AND READING METHOD例文帳に追加
不揮発性メモリ装置ならびにそのプログラム方法および読取り方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY DEVICE, ITS PROGRAM METHOD AND PASS/ FAIL INSPECTING METHOD例文帳に追加
不揮発性メモリ装置、そのプログラム方法及びパス/フェイルの検査方法 - 特許庁
FLASH MEMORY DEVICE, DATA PROGRAMMING METHOD THEREOF AND DATA ERASING METHOD例文帳に追加
フラッシュメモリ装置並びにそのデータプログラム方法及びデータ消去方法 - 特許庁
NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS OPERATING METHOD AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置、その動作方法および製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF MEMORY CELL, LASER IRRADIATION APPARATUS, AND LASER IRRADIATION METHOD例文帳に追加
記憶素子の作製方法、レーザ照射装置及びレーザ照射方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT TRANSMITTING STAMPER AND METHOD FOR MANUFACTURING OPTICAL MEMORY ELEMENT例文帳に追加
光透過性スタンパの製造方法及び光メモリ素子の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR WRITING DATA IN FLASH MEMORY, MICROCOMPUTER INCORPORATED WITH THE FLASH MEMORY, AND FLASH MEMORY WRITER FOR WRITING DATA THEREFOR例文帳に追加
フラッシュ・メモリへのデータ書き込み方法、そのフラッシュ・メモリ搭載のマイクロコンピュータ、およびそのデータ書き込み用フラッシュ・メモリ・ライタ - 特許庁
RECORDING AND REPRODUCING METHOD OF MEMORY MEDIUM USED FOR FOREIGN LANGUAGE LEARNING, MEMORY MEDIUM AND REPRODUCING DEVICE OF MEMORY MEDIUM例文帳に追加
外国語学習に用いる記憶媒体の録音再生方法及び記憶媒体並びにこの記憶媒体の再生装置 - 特許庁
PARTIAL SHAPE MEMORY FIBER, KNITTED OR WOVEN FABRIC PRODUCT MADE FROM PARTIAL SHAPE MEMORY FIBER AND METHOD FOR PRODUCING PARTIAL MEMORY FIBER例文帳に追加
部分形状記憶繊維、部分形状記憶繊維製編織物製品、および部分形状記憶繊維の製造方法 - 特許庁
NONVOLATILE MEMORY, MEMORY CARD AND INFORMATION PROCESSOR USING THE SAME, AND SOFTWARE WRITE PROTECT CONTROL METHOD FOR NONVOLATILE MEMORY例文帳に追加
不揮発性メモリ、およびそれを用いたメモリカード、情報処理装置、ならびに不揮発性メモリのソフトウェアライトプロテクト制御方法 - 特許庁
A method and an apparatus are provided for writing data to a magnetic memory cell such as a spin-torque transfer random access memory (STRAM) memory cell.例文帳に追加
スピントルクトランスファランダムアクセスメモリ(STRAM)メモリセルのような磁気メモリセルへデータを書込むための方法および装置。 - 特許庁
To provide a high-speed memory controller having low power consumption, a memory control system, and a method of controlling an amount of a delay in a memory.例文帳に追加
高速、かつ、低消費電力のメモリコントローラ、メモリコントロールシステム及びメモリ遅延量制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a cache memory control circuit making effective use of a cache memory, and a cache memory management method.例文帳に追加
キャッシュメモリを有効に利用することができるキャッシュメモリ制御回路およびキャッシュメモリ管理方法を提供すること - 特許庁
To provide a memory dump acquisition device, a memory dump acquisition method, and a program which can acquire a memory dump at an optional time point.例文帳に追加
任意の時点でのメモリダンプを取得し得る、メモリダンプ取得装置、メモリダンプ取得方法、およびプログラムを提供する。 - 特許庁
INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE THAT SUPPORTS MEMORY MODULE RELATED TO SELECTIVE MODE RESISTER SET COMMAND, MEMORY CONTROLLER AND METHOD例文帳に追加
選択的なモードレジスタセットの命令と関連したメモリモジュールを支援する集積回路メモリ装置、メモリコントローラ及び方法 - 特許庁
FLASH MEMORY REWRITE CIRCUIT, LSI FOR IC CARD, IC CARD, FLASH MEMORY REWRITE METHOD, AND FLASH MEMORY REWRITE PROGRAM例文帳に追加
フラッシュメモリ書き替え回路、ICカード用LSI、ICカード、フラッシュメモリ書き替え方法及びフラッシュメモリ書き替えプログラム - 特許庁
MEMORY APPARATUS INCLUDING PROGRAMMABLE NON-VOLATILE MULTI-BIT MEMORY CELL, AND APPARATUS AND METHOD FOR DEMARCATING MEMORY STATE OF THE CELL例文帳に追加
プログラマブル不揮発性複数ビットメモリセルを有する記憶装置およびそのセルの記憶状態を分界する装置と方法 - 特許庁
FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY, FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY, AND MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC NONVOLATILE MEMORY ARRAY例文帳に追加
強誘電体不揮発性メモリ、強誘電体不揮発性メモリアレイ、及び強誘電体不揮発性メモリアレイの作製方法 - 特許庁
To provide a semiconductor memory that is advantageous to high-speed access to a memory cell, and also to provide a control method of the semiconductor memory.例文帳に追加
メモリセルへのアクセスの高速化に対して有利な半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁
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