memory- accessの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5653件
DEVICE AND METHOD FOR ARBITRATING MEMORY ACCESS例文帳に追加
メモリアクセス調停装置およびメモリアクセス調停方法 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気抵抗効果素子および磁気ランダムアクセスメモリ装置 - 特許庁
When receiving the memory access request of a bus master A11 during the memory access processing of the bus master B12, the signal generation part 23 temporarily stops the memory access processing of the bus master B12, and processes the memory access request of the bus master A11.例文帳に追加
記信号生成部23は、バスマスタB12のメモリアクセス処理中に、バスマスタA11のメモリアクセス要求を受け取ると、バスマスタB12のメモリアクセス処理を一旦停止し、バスマスタA11のメモリアクセス要求を処理する。 - 特許庁
MEMORY CONTROLLER, INFORMATION PROCESSING SYSTEM AND READ ACCESS METHOD例文帳に追加
メモリコントローラ、情報処理システム及びリードアクセス方法 - 特許庁
TEST SYSTEM FOR ADDRESS MULTIPLEXER MEMORY WITH SERIAL ACCESS FUNCTION例文帳に追加
シリアルアクセス機能付きアドレスマルチプレクサメモリのテスト方式 - 特許庁
A DMAC (direct memory access controller) 43 reads out data in a rectangular area in a logical two-dimensional space of a two-dimensional data access memory 10 from the two-dimensional data access memory 10, and writes the data read out in a one-dimensional data access memory 41.例文帳に追加
DMAC43は、2次元データ・アクセス・メモリ10の論理2次元空間における矩形領域のデータを2次元データ・アクセス・メモリ10から読み出し、読み出したデータを1次元データ・アクセス・メモリ41に書き込む。 - 特許庁
METHOD FOR INITIALIZING MAGNETIC ORIENTATION OF MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリセルの磁気配向初期化方法 - 特許庁
EXTERNAL STORAGE DEVICE AND ITS MEMORY ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加
外部記憶装置およびそのメモリアクセス制御方法 - 特許庁
METHOD OF FABRICATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) DEVICE例文帳に追加
抗磁ランダムアクセスメモリ(MRAM)装置の製造方法 - 特許庁
DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME例文帳に追加
ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ装置とその検査方法 - 特許庁
This device is a magnetic random access memory(MRAM) device (100).例文帳に追加
メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100)。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR HIGH SPEED DATA ACCESS例文帳に追加
高速にデータアクセスをするための半導体メモリ装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND MEMORY ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加
半導体集積回路及びメモリアクセス制御方法 - 特許庁
PROCESSOR RESET GENERATED THROUGH MEMORY ACCESS INTERRUPTION例文帳に追加
メモリ・アクセス割込みを介して生成されるプロセッサ・リセット - 特許庁
This memory controller divides a memory access request, decides priority of the memory access requests, and distribute them to a high-priority command buffer 105 holding the high-priority memory access request and a low-priority command buffer 106 holding the low-priority memory access request.例文帳に追加
メモリアクセス要求を分割してメモリアクセス要求の優先度を判定し、優先度の高いメモリアクセス要求を保持する高優先度コマンドバッファ105と、優先度の低いメモリアクセス要求を保持する低優先度コマンドバッファ106とに振り分ける。 - 特許庁
A random access memory device includes an array of individual memory cells arranged into rows and columns, and each memory cell has a corresponding access device.例文帳に追加
ランダム・アクセス・メモリ・デバイスは、行及び列に配置された個々のメモリセルのアレイを含み、各々のメモリセルは、対応するアクセス・デバイスを有する。 - 特許庁
MEMORY ACCESS CONTROL SYSTEM, DEVICE MANAGING DEVICE, PARTITION MANAGING DEVICE, MEMORY PACKAGED DEVICE, MEMORY ACCESS CONTROL METHOD AND PROGRAM STORAGE MEDIUM例文帳に追加
メモリアクセス制御システム、デバイス管理装置、パーティション管理装置、メモリ搭載デバイス、およびメモリアクセス制御方法、並びにプログラム記憶媒体 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device performing an operational margin test suitable for a mechanism of TTRAM (Twin-Transistor Random Access Memory) which is one of capacitorless memory.例文帳に追加
キャパシタレスメモリの1つであるTTRAM(Twin-Transistor Random Access Memory)のメカニズムに適した動作マージンテストを行なう半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加
磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
MEMORY ACCESS CONTROL DEVICE AND METHOD, AND COMMUNICATION DEVICE例文帳に追加
メモリアクセス制御装置および方法、並びに、通信装置 - 特許庁
GENERATION OF REFERENCE SIGNAL FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成 - 特許庁
UNI-TRANSISTOR RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加
ユニ・トランジスタランダムアクセスメモリ装置及びそれの制御方法 - 特許庁
MAGNETIC ELEMENT AND INTERGRATED CIRCUIT, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁
DATA PROCESSING SYSTEM AND METHOD FOR ALLOCATING ACCESS TO MEMORY例文帳に追加
データ処理システム及びメモリにアクセスを割当てる方法 - 特許庁
MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加
磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁
IMAGE PROCESSING APPARATUS AND MEMORY ACCESS METHOD FOR IMAGE DATA例文帳に追加
画像処理装置および画像データのメモリアクセス方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH ADDRESS CONVERSION MEMORY ACCESS MECHANISM例文帳に追加
アドレス変換メモリアクセス機構を備える半導体装置 - 特許庁
STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
スタティック型ランダムアクセスメモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
OPERATING SYSTEM FOR NON-UNIFORM MEMORY ACCESS MULTIPROCESSOR SYSTEM例文帳に追加
非一様メモリ・アクセス・マルチプロセッサ・システム用オペレーティング・システム - 特許庁
MEMORY ACCESS CONTROLLER AND COMPUTING SYSTEM HAVING IT例文帳に追加
メモリアクセス制御装置およびこれを有する演算システム - 特許庁
When A>B, the transmission (memory access) is halted (S1005).例文帳に追加
A>Bの場合、転送(メモリアクセス)を停止する(S1005)。 - 特許庁
SYNCHRONOUS MEMORY ACCESS ADJUSTMENT CIRCUIT AND ADJUSTMENT METHOD THEREOF例文帳に追加
同期メモリアクセス調整回路及びその調整方法 - 特許庁
NETWORK SYSTEM, PROGRAMMABLE DISPLAY DEVICE AND MEMORY ACCESS METHOD例文帳に追加
ネットワークシステム、プログラマブル表示装置およびメモリアクセス方法 - 特許庁
DATA PROCESSOR, MEMORY CONTROLLER, AND ITS ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加
データ処理装置、メモリコントローラ及びそのアクセス制御方法 - 特許庁
To increase access speed for a memory in a data processing system.例文帳に追加
データ処理システムにおけるメモリアクセスを高速化する。 - 特許庁
ARCHITECTURE OF SPACE TIME SWITCH USING RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
ランダム・アクセス・メモリを用いた空間・時間スイッチのアーキテクチャ - 特許庁
NONUNIFORM MEMORY ACCESS COMPUTER SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREFOR例文帳に追加
非一様メモリ・アクセス・コンピュ—タ・システム及びその操作方法 - 特許庁
To provide a multiport memory access (MPMA) control module.例文帳に追加
マルチポートメモリアクセス(MPMA)制御モジュールを提供する。 - 特許庁
PACKET SWITCH AND PACKET MEMORY ACCESS METHOD TO BE USED FOR THE SAME例文帳に追加
パケットスイッチ及びそれに用いるパケットメモリアクセス方法 - 特許庁
COLOR IMAGE PROCESSOR AND IMAGE MEMORY ACCESS CONTROL METHOD例文帳に追加
カラー画像処理装置および画像メモリアクセス制御方法 - 特許庁
To provide an image forming apparatus which reduces memory access.例文帳に追加
メモリアクセスを低減する画像形成装置を提供する。 - 特許庁
FIBER CHANNEL CONNECTION STRAGE SUBSYSTEM AND ITS ACCESS MEMORY例文帳に追加
ファイバチャネル接続ストレージサブシステム及びそのアクセス方法 - 特許庁
To provide a semiconductor storage device which matches an access time of a large-capacity nonvolatile memory and an access time of a random access memory, and includes the large-capacity nonvolatile memory.例文帳に追加
大容量の不揮発性メモリのアクセス時間とランダム・アクセス・メモリのアクセス時間との整合を図り、大容量不揮発のメモリを含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
DATA SENSING METHOD FOR FERROELECTRIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
強誘電体ランダムアクセスメモリ装置のデータ感知方法 - 特許庁
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| この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。 |
| Copyright (c) 2001 Robert Kiesling. Copyright (c) 2002, 2003 David Merrill. The contents of this document are licensed under the GNU Free Documentation License. Copyright (C) 1999 JM Project All rights reserved. |
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