「memory-device」に関連した英語例文の一覧と使い方(135ページ目) - Weblio英語例文検索

A memory device stores the meta-data related to the photographed digital image data.例文帳に追加

メモリ装置は、撮影されたデジタル画像データに関連したメタデータを記憶する。 - 特許庁

To provide a memory device which can sense dual slope and includes plural sense amplifiers.例文帳に追加

デュアルスロープ感知が可能な、複数のセンスアンプを含むメモリ装置を提供する。 - 特許庁

Each memory array includes a state device formed at least at one cross point.例文帳に追加

メモリアレイは、少なくとも１つのクロスポイントに形成された状態素子を含む。 - 特許庁

DATA RECORDING/REPRODUCING DEVICE FOR HOLOGRAPHIC WORM MEMORY AND METHOD THEREOF例文帳に追加

ホログラフィックＷＯＲＭメモリに対するデータ記録／再生装置およびその方法 - 特許庁

A memory device of the server machine 3 stores databases and message boxes of memberships.例文帳に追加

サーバマシン３のメモリ装置に会員のデータベースとメッセージボックスとを記憶しておく。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE ARRAY HAVING HIGH-DENSITY MEMORY CELL ARRAY AND HIERARCHICAL BIT LINE METHOD例文帳に追加

密なメモリセルアレイを有する半導体装置アレイおよび階層ビットライン方式 - 特許庁

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, ITS CONTROL METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING IT例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ、その制御方法、およびそれを用いた半導体装置 - 特許庁

TEST METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加

半導体記憶装置のテスト方法及び製造方法並びに半導体ウェハ - 特許庁

SHARED DEVICE AND MEMORY USING SPLIT BUS AND TIME SLOT INTERFACE BUS ARBITRATION例文帳に追加

スプリットバス及びタイムスロットインターフェースバス調停を用いる共有デバイス並びにメモリ - 特許庁

ADDRESS COUNTER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH THE SAME, AND DATA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

アドレスカウンタ及びこれを有する半導体記憶装置、並びに、データ処理システム - 特許庁

The onboard device includes a telegram generating section 24, a telegram processing section 21, and a nonvolatile memory 22.例文帳に追加

電文発生部２４と、電文処理部２１と、不揮発メモリ２２とを含む。 - 特許庁

The memory device includes an insulation film, an active pattern, a gate insulation film and a gate electrode.例文帳に追加

メモリ素子は、絶縁膜、アクティブパターン、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含む。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加

トンネル磁気抵抗素子の製造方法及び不揮発性記憶装置の製造方法 - 特許庁

To provide a flash memory device having a split string selection line structure.例文帳に追加

分離されたストリング選択ライン構造を有するフラッシュメモリ装置を提供する。 - 特許庁

A flash memory device is used for a system as a bootup storage element.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ装置はブートアップ貯蔵要素としてシステムに使用される。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which plasma damage can be reduced.例文帳に追加

プラズマダメージを低減できる不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

After the game ends, results can be taken out from the memory device DB.例文帳に追加

ゲーム終了後に、メモリデバイスＤＢから結果を取り出すことが可能である。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING DATA THEREIN, AND METHOD OF READING DATA THEREFROM例文帳に追加

半導体記憶装置ならびにそのデータ書込方法およびデータ読出方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device operating fast with a low voltage.例文帳に追加

高速かつ低電圧に動作可能な強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

EXTERNAL MEMORY CONTROL DEVICE AND DATA DRIVEN TYPE INFORMATION PROCESSOR COMPRISING THE SAME例文帳に追加

外部メモリ制御装置およびそれを含んだデータ駆動型情報処理装置 - 特許庁

MEMORY CONTROL DEVICE AND METHOD, IMAGE DATA PROCESSOR, RECORDING MEDIUM, AND PROGRAM例文帳に追加

メモリ制御装置および方法、画像データ処理装置、記録媒体、並びにプログラム - 特許庁

To provide a magnetic memory device and method of writing and reading information.例文帳に追加

磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a memory cell structure which can be miniaturized.例文帳に追加

微細化が可能であるメモリセル構造を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this case, the device cost is reduced because only one buffer memory is needed.例文帳に追加

そして、この場合、バッファメモリは１つだけでよいので、装置コストが低減する。 - 特許庁

To provide a memory device in which complete test of a word line can be performed with a low cost.例文帳に追加

低コストでワード線の完全性検査が可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a test method and a test device testing a flash memory in a short time.例文帳に追加

フラッシュメモリを短時間に試験する試験方法と、試験装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a microcomputer enhanced of reliability.例文帳に追加

信頼性を向上させた半導体記憶装置とマイクロコンピュータを提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device whose circuit area can be reduced.例文帳に追加

回路面積を縮小可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

VEHICLE FUNCTION EXECUTING SYSTEM, VEHICLE SIDE DEVICE, PORTABLE MACHINE, MEMORY MEDIUM, AND INFORMATION CENTER例文帳に追加

車両機能実行システム、車両側装置、携帯機、記憶媒体、情報センタ - 特許庁

SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND PORTABLE INFORMATION TERMINAL EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

半導体不揮発性メモリ装置およびそれを備えた携帯情報端末機器 - 特許庁

SELF-TERMINATION SCEME IN DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE例文帳に追加

二重データレート同期式ダイナミックランダムアクセスメモリデバイスにおける自動終端方式 - 特許庁

METHOD OF OPERATING NOR-TYPE FLASH MEMORY DEVICE WHERE SONOS CELL IS ADOPTED例文帳に追加

ＳＯＮＯＳセルが採用されたＮＯＲ型のフラッシュメモリ素子の動作方法 - 特許庁

HYBRID MULTI-BIT NON-VOLATILE MEMORY DEVICE OF NOR STRUCTURE AND OPERATING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＮＯＲ構造のハイブリッドマルチビットの不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR PROVIDING LOOK-AHEAD COLUMN REDUNDANCY ACCESS IN MEMORY例文帳に追加

メモリ内のルックアヘッドカラム冗長アクセスを提供するための方法及び装置 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND MULTI-PAGE PROGRAM, READ AND COPYBACK PROGRAM METHOD THEREOF例文帳に追加

不揮発性メモリ装置とそのマルチページプログラム、読み出しおよびコピーバックプログラム方法 - 特許庁

MEMORY DEVICE, MAGNETIC DISK DRIVE SYSTEM AND METHOD OF DETERMINING PRESSURE OF INTERNAL ENVIRONMENT例文帳に追加

記憶装置、磁気ディスク・ドライブ・システムおよび内部環境の圧力決定方法 - 特許庁

The memory structure (20) is constituted of the memory storage element (23), the control element (25) comprising a tunnel-junction device electrically coupled to the memory storage element and configured to control the state of the memory storage element, and a reference element (930).例文帳に追加

メモリ構造(20)は、メモリ記憶素子(23)と、メモリ記憶素子に電気的に結合され、かつ、メモリ記憶素子の状態を制御するよう構成されたトンネル接合デバイスからなる制御素子(25)と、基準素子(930)とから構成される。 - 特許庁

In the nonvolatile memory device including multiple memory blocks, the multiple memory blocks are configured to share the source selection transistor for being applied with the voltage via the source selection line for every two memory blocks.例文帳に追加

複数のメモリブロックを含んでなる不揮発性メモリ装置において、複数のメモリブロックは、２つのメモリブロックごとに、ソース選択ラインを介して電圧の印加を受けるソース選択トランジスタを共有して構成される。 - 特許庁

When receiving the memory ID and the equipment ID transmitted from the mobile 1, a WWW server device 4 stores the received memory ID with correlating the memory ID to the equipment ID which is received with the memory ID concerned.例文帳に追加

ＷＷＷサーバ装置４は、移動機１から送信されてくるメモリＩＤ及び機器ＩＤを受信すると、受信したメモリＩＤを当該メモリＩＤとともに受信した機器ＩＤに対応づけて記憶する。 - 特許庁

To provide a memory controlling method for an option device using an inexpensive memory such as a flash ROM as a memory means for storing data such as printing information without the need of using an expensive memory such as an EEPROM.例文帳に追加

プリント情報等のデータを記憶する記憶手段として、高価なＥＥＰＲＯＭ等のメモリを使用せずに、安価なフラッシュＲＯＭ等のメモリで代用することができるオプション装置のメモリ制御方法を提供する。 - 特許庁

A buffer memory is configured of two stages, that is, a first buffer memory matched with the transfer unit of data with an external device and a second buffer memory matched with the write-in unit of a nonvolatile memory for temporarily storing data.例文帳に追加

データを一時的に格納するためにバッファメモリを、外部装置とのデータの転送単位にあわせた第１のバッファメモリと、不揮発性メモリの書き込み単位にあわせた第２のバッファメモリの２段階で構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a redundancy circuit in which a verification time is reduced and defect caused by interference between a regular memory cell and a memory cell to which a redundancy memory cell is adjacent can be detected.例文帳に追加

検証時間を減少させると共に、正規メモリセルとリダンダンシーメモリセルが隣接したメモリセルの相互間の干渉による不良を検出できるリダンダンシー回路を有する半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To stabilize and compact the circuit operation of a semiconductor memory device, in which memory elements are arranged in the shape of an array such as a memory or the like and a multitude of transistors are arranged regularly around the memory elements.例文帳に追加

本発明の目的は、メモリ等の様にアレイ状に記憶素子が配置され、その周囲にトランジスタが規則的に多数配置された半導体記憶装置の回路動作の安定化およびコンパクト化を図ることである。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a memory cell array on which a memory cell MC is disposed and a control circuit 104 for applying a voltage to a bit line 4 and a word line 3 so that a predetermined potential difference is given to the selection memory cell MC.例文帳に追加

半導体記憶装置は、メモリセルＭＣが配置されたメモリセルアレイと、選択メモリセルＭＣに所定の電位差がかかるよう、ビット線４及びワード線３に電圧を印加する制御回路１０４とを備える。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device 100 uses a sense amplifier circuit 22 and a comparator 25 to verify a particular memory cell after applying a write voltage to the memory cell in a memory block MB for a prescribed period at write to the memory cell.例文帳に追加

半導体記憶装置１００は、メモリブロックＭＢ内の特定のメモリセルへの書込動作時に、所定期間書込電圧を印加した後、センスアンプ回路２２およびコンパレータ２５を用いて、ベリファイ動作を行なう。 - 特許庁