「mobility gap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A MREL is a layer of a low band gap, high electron mobility semiconductor such as ZnO or a semimetal having those characteristics such as Bi.例文帳に追加

ＭＲＥＬは、バンドギャップが小さく電子移動度が高い層であり、例えばＺｎＯなどの半導体やＢｉなどの半金属からなる層が該当する。 - 特許庁

In the high electron mobility transistor, which has a heterostructure consisting of an In_xGa_1-xN channel layer/In_yAl_zGa_1-y-zN wide band gap layer, the Al crystal ratio of the wide band gap layer is reduced with separation from hetero-interface, to accelerate the electronic mobility of the two-dimensional electron gas flowing through a channel layer.例文帳に追加

Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＮチャネル層／Ｉｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_１−ｙ−_ｚＮワイドバンドギャップ層からなるヘテロ構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、そのワイドバンドギャップ層のＡｌ混晶比をヘテロ界面から離れるに従って小さくすることにより、チャネル層を流れる２次元電子ガスの電子移動度を高速化する。 - 特許庁

To provide a high electron mobility ZnO device having a "semiconductor with large band gap/semiconductor with small band gap/substrate" structure suitable for HEMT structure in which a two-dimensional electron gas layer is utilized as a channel layer.例文帳に追加

本発明は、ＨＥＭＴ構造に適した“大きなバンドギャップの半導体／小さなバンドギャップの半導体／基板”構造で、２次元電子ガス層をチャンネル層として利用する構造の高電子移動度ＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。 - 特許庁

The layer 13 has an AlxIn1-xSb (0<x≤1) or GaAsxSb1-x (0≤x≤1) composition having a large band gap and electron mobility which is smaller than that of the InxGa1-xAsySb1-y thin film 2.例文帳に追加

この中間層は、バンドギャップが大きく、かつ、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yｂ_1-y薄膜より電子移動度が小さい、Ａｌ_xＩｎ_1-xＳｂ（０＜ｘ≦１）またはＧａＡｓ_xＳｂ_1-x（０≦ｘ≦１）の組成のものである。 - 特許庁

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping.例文帳に追加

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which reduces the size of a band gap, and suppresses electron scattering to improve carrier mobility in an channel region using a silicon carbide, and to provide a light-emitting element which emits laser light.例文帳に追加

バンドギャップを小さくすると共に電子散乱が抑制され、炭化珪素を用いたチャネル領域でのキャリア移動度を向上させた半導体素子、並びにレーザを発振する発光素子を提供する。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus includes a solid-state imaging device (photo-detector unit) 1a of a solid-state imaging device chip 1 mounted on a film 11 and a resin 2b, which has mobility, in the gap with the film 11, and the apparatus is sealed, in the surroundings, with solidified resins 2a, 14, etc., to call a sealing body.例文帳に追加

本発明の固体撮像装置は、フィルム１１上に搭載された固体撮像素子チップ１の固体撮像素子（受光素子部）１ａと、フィルム１１との間に流動性を有する樹脂２ｂを備え、その周囲を封止体ともいうべき固形状の樹脂２ａ、１４等で封止されている。 - 特許庁

An arithmetic part 16 when performing the earthquake response analysis using at least an excessive gap water pressure rate and shear rigidity of the ground to be analyzed derives shear rigidity using a function predetermined such that a calculated value is smaller as shear strain increases before transition to cyclic mobility when the ground is liquefied, and larger as the shear strain increases after the transition to the cyclic mobility.例文帳に追加

演算部１６により、少なくとも解析対象とする地盤の過剰間隙水圧比及びせん断剛性を用いて地震応答解析を行うに際し、地盤が液状化に至る際のサイクリック・モビリティに移行する前はせん断ひずみが大きくなるほど算出値が小さくなり、サイクリック・モビリティに移行した後はせん断ひずみが大きくなるほど算出値が大きくなるように予め定められた関数によりせん断剛性を導出する。 - 特許庁

The high electron mobility transistor comprises the electron transit layer made of a GaN compound semiconductor layer, and an electron supply layer made of a GaN compound semiconductor layer having a larger band gap energy than that of the electron transit layer in such a manner that the electron transit layer contains an In of 1×10^19 to 5×10^20 cm^-3.例文帳に追加

電子走行層がＧａＮ系化合物半導体層からなり、電子供給層が電子走行層よりバンドギャップエネルギーの大きいＧａＮ系化合物半導体層からなる高電子移動度トランジスタであって、前記電子走行層はＩｎを１×１０^19ｃｍ^-3以上、５×１０^20ｃｍ^-3以下含む。 - 特許庁