| 例文 |
mos2を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 20件
When the overheat of a MOS1 or a MOS2 is detected by an overheat detecting circuit 33, SWreg control circuits 12 and 22 of the respective ch turn off the MOS1 and MOS2.例文帳に追加
過熱検出回路33によりMOS1又はMOS2の過熱が検出されると、各chのSWreg制御回路12,22はそれぞれMOS1,2をオフする。 - 特許庁
Moreover, it is suitable that P and MoS2 are added to the bronze series sintered alloy, and sintering is executed.例文帳に追加
更に、前記合金粉末にPやMoS_2を添加して焼結すると好適である。 - 特許庁
As a result of repeating this operation, the MOS transistors are turned off, in the order MOS4, MOS3, MOS2, and MOS1.例文帳に追加
この繰り返しにより、MOS4、MOS3、MOS2、MOS1の順でオフされる。 - 特許庁
The overlay is composed of an upper layer containing the solid lubricant made from MoS2, and a lower layer containing the solid lubricant and/or a hard material (if the solid lubricant is MoS2, its contents are smaller in the lower layer than in the upper layer).例文帳に追加
MoS_2からなる固体潤滑剤を含む上層と、固体潤滑剤及び/又は硬質物を含む下層(但し固体潤滑剤がMoS_2 である場合はその含有量が上層よりも相対的に少ない)からオーバレイを構成する。 - 特許庁
Solid lubricant such as graphite and MoS2 along with the hard particle can be included 0.5-25 vol.% in total.例文帳に追加
また、グラファイトやMoS_2等の固体潤滑剤を、硬質粒子と併せた合計で0.5〜25体積%含有させるようにしても良い。 - 特許庁
A series capacitance element is formed by serially connecting a MOS capacitor MOS1 and a MOS capacitor MOS2 to each other between high potential and low potential.例文帳に追加
高電位と低電位の間にMOS容量MOS1とMOS容量MOS2とを直列に接続して直列容量素子を形成する。 - 特許庁
Grains of one or ≥2 solid lubricants selected from sulfides such as MnS and MoS2, and fluorides such as CaF2 can be dispersed by 0.1 to 5.0 wt.%.例文帳に追加
MnS 、MoS_2などの硫化物およびCaF_2などの弗化物のうちから選ばれた1種または2種以上の固体潤滑剤粒子を0.1 〜5.0 重量%分散させてもよい。 - 特許庁
The solid lubricating film 12 is formed at least one of two surfaces which are exposed to impact and friction, and constituted of a MoS2-based first layer film 14 formed into a film by a dry film forming on a base material 13 and a MoS2-based second layer film 15 formed into a film by applying a quick drying material onto the first layer film.例文帳に追加
衝撃、摩擦が作用する2面の少なくとも一方に固体潤滑膜12を形成し、該固体潤滑膜は母材13に乾式膜成形により成形したMoS2 系の第1層膜14と、該第1層膜上に速乾性材質を塗布して膜成形したMoS2 系の第2層膜15から構成された。 - 特許庁
Also, an Nch-MOS transistor MOS2 is turned off in the stand-by state, and the currents are made to flow through only the high resistance R1 so that the power consumption can be sharply reduced.例文帳に追加
また、スタンバイ時はNch−MOSトランジスタMOS2がオフになり、高抵抗R1のみに電流が流れるので、消費電力を大幅に抑えることができる。 - 特許庁
The filler 8 is in the form of a sphere made by coating a spherical glassy carbon 10, serving as a core, and covering other filler members 12 comprising e.g. WC and MoS2 with a nonconductive binder 14.例文帳に追加
砥石用フィラー8は球状のグラッシーカーボン10を核としてWCやMoS2等の他のフィラー部材12を非導電性のバインダー14で覆った球状とする。 - 特許庁
Metallic sulfides such as TiS, ZrS, VS, NbS, CrS, FeS, MnS, MoS2 and TaS and/or multiple carbosulfides such as Ti2CS, Zr2CS, Nb2CS2, Ta2CS2 and Ti4V6C5S6 is dispersed into a Cu base.例文帳に追加
Cu基地中に、TiS,ZrS,VS,NbS,CrS,FeS,MnS,MoS____2 ,TaS等の金属硫化物および/または Ti_2CS, Zr_2CS, Nb_2CS_2 , Ta_2CS_2 , Ti_4V_6 C_5 S_6 等の複合炭硫化物を分散させる。 - 特許庁
Specifically, a high-concentration semiconductor region HS1 constituting a lower electrode of the MOS capacitor MOS1 is connected to a high-concentration semiconductor region HS2 constituting a lower electrode of the MOS capacitor MOS2.例文帳に追加
具体的に、MOS容量MOS1の下部電極を構成する高濃度半導体領域HS1とMOS容量MOS2の下部電極を構成する高濃度半導体領域HS2とを接続する。 - 特許庁
In addition, an electrode E1 constituting an upper electrode of the MOS capacitor MOS1 is connected to the low potential (for instance, GND), and an electrode E3 constituting an upper electrode of the MOS capacitor MOS2 is connected to the high potential (for instance, power potential).例文帳に追加
さらに、MOS容量MOS1の上部電極を構成する電極E1を低電位(例えば、GND)に接続し、MOS容量MOS2の上部電極を構成する電極E3を高電位(例えば、電源電位)に接続する。 - 特許庁
The solid lubricating film as the 2nd layer is an MoS2 film, a WS2 film, an NbS2 film, a mica film, an Sb203 film, a BN film, a WSe film, an MoSe2 film, an Au film or an Ag film formed by an ion plating method, sputtering method or a shot peening method.例文帳に追加
第2層の固体潤滑膜は、イオンプレーティング法、スパッタリング法か、ショットピーニング法によって形成された、MoS_2膜、WS_2膜、NbS_2膜、雲母膜、Sb_2O_3膜、BN膜、WSe膜、MoSe_2膜、Au膜、または、Ag膜である。 - 特許庁
The field-effect transistors MOS1 and MOS2 are switched on in a way that the adjusting resistances R1 and R2 are short-circuited via the two sets of short-circuit wiring L1 and L2 to adjust the resistance made by the shunt resistance and the adjusting resistances R1 and R2.例文帳に追加
そして、電界効果型トランジスタMOS1、MOS2をオンすることにより短絡用回路配線L1、L2によって調整用抵抗R1、R2を短絡させ、シャント抵抗Rsと調整用抵抗R1、R2とにより構成される抵抗値を調整する。 - 特許庁
When manufacturing the rare earth bonded magnet comprising a rare earth magnet powder and a bonding resin, a polymide polyamide-imide or coated film, including fluoride resins, MoS2, and graphite solid lubricant grains is formed by spray-tumbler method with a film thickness of 5-30 μm as the uppermost surface layer.例文帳に追加
希土類磁石粉と結合樹脂からなる希土類ボンド磁石を製造する場合において、最表面層としてフッソ樹脂、MoS_2、グラファイト固体潤滑剤粒子を含むポリイミド又はポリアミドイミド皮膜を膜厚5〜30μmでスプレータンブラー法により形成する。 - 特許庁
In this bearing structure used under the circumstance of very low temperature, a shaft 1 and a sliding bearing member 2 made of austenite stainless steel including Cr, Ni and Mo are used, and baking-type solid lubricating films 11 mainly composed of MoS2 are formed on sliding faces S1, S2 of the shaft 1 and the sliding bearing member 2.例文帳に追加
極低温環境下で使用する軸受け構造において、軸1及びすべり軸受け材2をCr,Ni,Moを含有するオーステナイト系ステンレス鋼で形成し、軸1及びすべり軸受け材2の摺動面S_1 ,S_2 にMoS_2 を主成分とする焼成型固体潤滑被膜11を形成したものである。 - 特許庁
The Ni-Cu alloy composite plating solution 29 contains at least one selected from C, h-BN and MoS2 as self-lubricating particles 5, contains at least one selected from SiC, Si3N4, Al2O3, c-BN and diamond as hard particles 6, contains a cationic surfactant as a surfactant, and contains sodium saccharate as a hardness increasing agent.例文帳に追加
このNi−Cu合金複合メッキ液29は、自己潤滑粒子5としてC、h−BN、MoS_2のうちの少なくとも一つを含有し、硬質粒子6としてSiC、Si_3N_4、Al_2O_3、c−BN、ダイヤモンドのうちの少なくとも一つを含有し、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を含有し、硬度上昇剤としてサッカリン酸ナトリウムを含有する。 - 特許庁
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