「n-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

The n-type layer 3 is provided with an n^+type GaN layer 6, an n^-type GaN layer 7, and an n^-type AlGaN layer 8, and the n^-type AlGaN layer 8 is formed at a portion contacting the p-type GaN layer 4 in the n-type layer 3.例文帳に追加

ｎ型層３は、ｎ^＋型ＧａＮ層６と、ｎ^−型ＧａＮ層７と、ｎ^−型ＡｌＧａＮ層８とを備えており、ｎ型層３において、ｐ型ＧａＮ層４に接する部分にｎ^−型ＡｌＧａＮ層８が形成されている。 - 特許庁

The cathode region of the diode 22 comprises an n^+ diffusion layer 8c, an n^- epitaxial layer 4, an n-type diffusion layer 5 and an n^+ diffusion layer 8b.例文帳に追加

ダイオード２２のカソード領域は、ｎ^+拡散層８ｃと、ｎ^-エピタキシャル層４と、ｎ型拡散層５と、ｎ^+拡散層８ｂとで構成されている。 - 特許庁

An n-type ZnMgO layer is formed on the surface of the n-type ZnO layer (c).例文帳に追加

（ｃ）ｎ型ＺｎＯ層表面上に、ｎ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁

A second N base layer 3 and a first N^- base layer 22 are epitaxially grown on a N^+ drain layer 21 successively, a P base region 23 is selectively formed on its surface, and a N^+ source region 24 is selectively formed on a surface in it.例文帳に追加

N^+ドレイン層21上に第２のNベース層3及び第１のN^-ベース層22を順次エピタキシャル成長し、その表面部分にPベース領域23を選択的に形成し、その中の表面部分にN^+ソース領域24を選択的に形成する。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

The n-type defect layer practically functions as an n-type high n+ buffer layer 2b.例文帳に追加

このｎ型欠陥層は実質的にｎ型高ｎ^＋バッファ層２ｂとして機能する。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor substrate held between the n+ cathode layer 2 and an n+ anode layer 3 becomes an n- drift layer 1.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層２とｎ^+ アノード層３に挟まれたｎ型半導体基板がｎ^- ドリフト層１となる。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

A n-type impurity concentration of the second n-type layer 112 is higher than those of the first n-type layer 111 and the third n-type layer 113.例文帳に追加

第２ｎ型層１１２のｎ型不純物濃度は、第１ｎ型層１１１、第３ｎ型層１１３のｎ型不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.例文帳に追加

ｎ型構造層は、第一ｎ層、第二ｎ層、第三ｎ層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二ｎ層の光学的帯域ギャップの幅は、第一ｎ層及び第三ｎ層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

An N-type buffer layer 6 is provided between the N^--type drift layer 1 and the P-type anode layer 2.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１とＰ型アノード層２の間にＮ型バッファ層６が設けられている。 - 特許庁

Then an n- buffer layer 22 and a p+ collector layer 23 are formed on the surface of the n- drift layer 21.例文帳に追加

ｎ^−ドリフト層２１の表面にｎ^＋バッファ層２２とｐ^＋コレクタ層２３を形成する。 - 特許庁

A p+ layer 16 is provided on the n+ layer 15 and the n++ buffer layer 20.例文帳に追加

ｐ＋層１６は、ｎ＋層１５およびｎ＋＋バッファ層２０の上に設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a p^+ collector layer 2, an n^+ buffer layer 3, and an n^- high resistance layer 4 are formed.例文帳に追加

さらに、ｐ＋コレクタ層２、ｎ＋バッファ層３、およびｎ−高抵抗層４を形成する。 - 特許庁

A depletion layer formed between the N--type layer 5 and the body region 9 extends to the N--type layer 5.例文帳に追加

Ｎ^-層５とＰボディ領域９との間に形成される空乏層はＮ^-層５側に延びる。 - 特許庁

An intermediate layer made of Ga(N)AsSb is introduced into an interface between a GaInNAs or GaInAs well layer and an upper barrier layer.例文帳に追加

GaInNAs、或いはGaInAs井戸層と、上側障壁層との界面に、Ga(N)AsSbからなる中間層を導入する。 - 特許庁

A top-side N-type layer substrate becomes the N+ layer only where the support substrate layer is etched.例文帳に追加

表面側のＮ型層基板は、支持用基板層がエッチングされた箇所だけＮ＋層となる。 - 特許庁

The growing layer 102 has an n-layer 103, an inclination part 104 and an n^--layer 105.例文帳に追加

成長層１０２は、Ｎ層１０３、傾斜部１０４、およびＮ^−層１０５を有している。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING N-TYPE CONDUCTIVE LAYER IN ZINC OXIDE SURFACE LAYER例文帳に追加

酸化亜鉛表層にｎ型伝導層を形成する方法 - 特許庁

This active layer is an n^+ type field stop layer 5.例文帳に追加

この活性層が、ｎ^+型フィールドストップ層５である。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes the p^- layer 7 and the n^- layer 6.例文帳に追加

半導体基板は、ｐ^-層７とｎ^-層６とを含む。 - 特許庁

A depletion layer is generated only in the N-InAsP window layer 4.例文帳に追加

空乏層は、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４内のみに発生する。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided on the n-type layer.例文帳に追加

前記発光層は、前記ｎ形層の上に設けられている。 - 特許庁

A PIN diode includes an n- drift layer 6, a p anode layer 8, an n buffer layer 12, an n+ layer 16, a front surface electrode and a rear surface electrode.例文帳に追加

ＰＩＮダイオードは、ｎ-ドリフト層６、ｐアノード層８、ｎバッファ層１２、ｎ+層１６、表面電極および裏面電極を備えている。 - 特許庁

The total layer thickness of an n-clad layer including the first n-clad layer and the second n-clad layer is 2 μm or more.例文帳に追加

第１のｎクラッド層と第２のｎクラッド層からなるｎクラッド層全体の層厚は２μｍ以上である。 - 特許庁

An n+-type source layer 4 is formed on the surface of the p-type well layer 2, and an n+-type drain layer 6 is formed on the surface of the n-type drift layer 3.例文帳に追加

ｐ型ウエル層２の表面にｎ^+ 型ソース層４が形成され、ｎ型ドリフト層３の表面にｎ^+ 型ドレイン層６が形成される。 - 特許庁

The first semiconductor layer 20 is equipped with an N-type contact layer 21, an N-type clad layer 22, and an N-type guide layer 23 successively laminated on a board 10 side.例文帳に追加

第１の半導体層２０は、基板１０の側から順に、ｎ型コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３を有している。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、Ｎ^-型ドリフト層２、Ｐ^+型層３およびＮ^+型層５とＮ^-型チャネル層８とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ−ＧａＮ層１１上にｐ−ＧａＮ層１２とｎ−ＧａＮ層１３、ｐ−ＧａＮ層１２上にｎ^- −ＧａＮ層１４、ｎ−ＧａＮ層１３上にｎ−ＧａＮ層２１、で構成されている。 - 特許庁

Stripes of N RESURF layers, P reserve layers 3, an N RESURF layer 2A and an N^- RESURF layer 4 and have a breakdown voltage in a connecting direction of the P base layer 5 to the N^+ contact layer 10 are formed between the P base layer 5 and the N^+ contact layer 10, thereby forming a multi-RESURF structure.例文帳に追加

Pベース層５とＮ^＋コンタクト層１０との間には、これらを結ぶ方向に耐圧を保持するストライプ状のNリサーフ層、Pリサーフ層３、Nリサーフ層２Ａ、及びＮ^−リサーフ層４が形成され、マルチリサーフ構造を構成している。 - 特許庁

The contact areas 210, 211 are an n+ type GaN layer which is formed by implanting an n type impurity into the semiconductor layer 203 through an ion implantation method.例文帳に追加

コンタクト領域２１０,２１１は、半導体層２０３にn型不純物をイオン注入法により注入して形成したn+型GaN層である。 - 特許庁

An N-well region NWEL and a P-well region PWEL built in as an intermediate layer are alternately aligned on a N-type layer B-N.例文帳に追加

中間層として埋め込まれるＮ型層Ｂ-N上にＮウェル領域ＮＷＥＬ、Ｐウェル領域ＰＷＥＬが交互に配列されている。 - 特許庁

The n-side lead-out electrode includes an n-side metal wiring layer and an n-side metal pillar provided on the n-side metal wiring layer.例文帳に追加

ｎ側引き出し電極は、ｎ側金属配線層とｎ側金属配線層上に設けられたｎ側金属ピラーとを有する。 - 特許庁

A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.例文帳に追加

厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁

An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.例文帳に追加

ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁

N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁

An n-type dopant is added to the second n-type semiconductor layer 19.例文帳に追加

第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。 - 特許庁

An n-type cladding layer 103 is formed over an n-type substrate 101.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１０３はｎ型基板１０１の上方に形成される。 - 特許庁

An n-type electrode 5 is bonded to the n-type contact layer 21.例文帳に追加

ｎ型コンタクト層２１には、ｎ型電極５が接合されている。 - 特許庁

Furthermore, an N+ collector diffusion layer 16 is formed to surround them.例文帳に追加

更にそれらを囲むように、N+コレクタ拡散層１６を形成する。 - 特許庁

An n side electrode 18 is formed on the lower face of the n-type GaN layer 11.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ層１１の下面にｎ側電極１８を形成する。 - 特許庁