「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加

また、ｐ仕切り領域とｐウェル領域との間にｎ深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁

The P-type isolation region 2 has the bottom face, reaching the upper face of the P-type impurity diffusion layer 3.例文帳に追加

Ｐ型分離領域２は、Ｐ型不純物拡散層３の上面に達する底面を有している。 - 特許庁

the junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor 例文帳に追加

p型半導体とn型半導体の間の接合 - 日本語WordNet

in a semiconducting crystal, a junction between a p-type region and an n-type region 例文帳に追加

半導体の単結晶中のP型とN型との接合 - EDR日英対訳辞書

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR REGION例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体領域を形成する方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF p-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR SrCu2O2 SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

Ｐ形半導体ＳｒＣｕ２Ｏ２単結晶の製造方法 - 特許庁

The second layer includes p-type AlGaN.例文帳に追加

第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。 - 特許庁

P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型酸化物半導体およびその製造方法 - 特許庁

P-TYPE GALLIUM NITRIDE THIN LAYER AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム薄膜およびその製造方法 - 特許庁

FORMATION OF LOW-RESISTIVITY P-TYPE GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

低抵抗率Ｐ型窒化ガリウムの形成 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型半導体及び半導体デバイス - 特許庁

P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体およびその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING p-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体の形成方法 - 特許庁

P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体とその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE III NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

A p-type micelle solution is prepared similarly.例文帳に追加

ｐ型も同様に分散させミセル溶液を作成する。 - 特許庁

ULTRAVIOLET-EMITTING DEVICE USING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型半導体を用いた紫外発光素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE HAVING P TYPE ACTIVE LAYER例文帳に追加

ｐ型活性層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING p-TYPE SiC SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法 - 特許庁

P TYPE GAAS SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ単結晶およびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GAN SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF AlGaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＡｌＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM TO P-TYPE例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型半導体結晶の製造方法および発光デバイス - 特許庁

p-TYPE TRANSPARENT OXIDE FILM DEPOSITING METHOD, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型透明酸化物膜の成膜方法及び太陽電池 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁

P-TYPE SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P TYPE OHMIC JUNCTION TO NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体へのＰ型オーム性接合形成方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加

また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁

p-TYPE LAYER FOR GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光デバイスのためのｐ型層 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

The P-type first drain region 16 has a P-type impurity concentration higher than those of the P-type second drain region 6 and the P-type third drain region 10.例文帳に追加

Ｐ型第１ドレイン領域１６はＰ型第２ドレイン領域６及びＰ型第３ドレイン領域１０よりも濃いＰ型不純物濃度をもっている。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層の形成方法および装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁