「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

A solar cell manufacturing method includes the steps of coating a front surface of a semiconductor substrate with a dispersing agent containing either a p-type dopant or an n-type dopant, performing heat treatment on the dispersing agent to solidify the dispersing agent, partially removing and patterning the solidified dispersing agent, and dispersing the dopant from the patterned dispersing agent to form a dispersion layer on the front surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の表面上にｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントのいずれか一方を含む拡散剤を塗布する工程と、拡散剤を熱処理することによって固化させる工程と、固化した拡散剤の一部を除去して拡散剤をパターンニングする工程と、パターンニングされた拡散剤からドーパントを拡散させることにより半導体基板の表面に拡散層を形成する工程と、を含む、太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳＦＥＴは、Ｎ型半導体基板１の表面上に等間隔に配置されたＦＥＴセル１０及びダイオードセル１１を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、Ｎ型基板１よりも不純物濃度の低いＮ型領域８を形成するか、もしくはＰ型領域９を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode.例文帳に追加

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたｐ型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたｎ型不純物が注入されているというものである。 - 特許庁

The thermoelectric element comprises a first substrate applied with an electrode, a second substrate, and columnar P type and N type thermoelectric materials electrically bonded alternately wherein the electrode patterned on the substrate has a recess.例文帳に追加

本発明では電極が施されている第1の基板と、第2の基板と、これらに挟まれるように、電気的に交互に接合された柱状のP型熱電材料及びN型熱電材料と、から構成されている熱電素子において、基板にパターンニングされた電極が凹部を有していることによって、熱電材料を所定の位置に正確かつ容易に位置あわせできるだけでなく、設置後接合前の段階における振動、衝撃によってずれを生じてしまう不安定な状態を解消することができる。 - 特許庁

A bonding pad is formed on part of the translucent ohmic electrode layer, and a current block layer is provided between the translucent ohmic electrode layer and the high defect density part of the p-type layer, the bonding pad being disposed above the current block layer.例文帳に追加

該ｐ型層は、高欠陥密度部と、該高欠陥密度部よりも欠陥密度の低い低欠陥密度部とを有しており、透光性オーミック電極層が、該ｐ型層の該高欠陥密度部上から該低欠陥密度部上にわたって形成されており、ボンディングパッドが、該透光性オーミック電極層上の一部に形成されており、該透光性オーミック電極層と該ｐ型層の該高欠陥密度部との間には電流ブロック層が設けられており、該ボンディングパッドは該電流ブロック層の上方に配置されている。 - 特許庁

The display device includes: a panel having a display region displaying an image and a peripheral region; a plurality of thin film transistors fabricated in the display region; p-type thin film transistors 120c, 141c and n-type thin film transistors 120b, 141b fabricated in the peripheral region; and at least one photodiode 500 having a horizontal structure fabricated in the display region or the peripheral region.例文帳に追加

画像を表示する表示領域と周辺領域を有するパネルと、前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターと、前記周辺領域に形成されたｐ型薄膜トランジスター１２０ｃ、１４１ｃ及びｎ型薄膜トランジスター１２０ｂ、１４１ｂと、前記表示領域または前記周辺領域に形成された少なくとも１つの水平構造を有するフォトダイオード５００と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the gallium nitride compound semiconductor laminate, a n-type layer, a luminous layer, and a p-type layer are formed on a substrate; the laminate is of a multi-quantum structure where the luminous layers are alternately laminated with well layers and barrier layers; and the well layer configuring the multi-quantum structure comprises well layers of uneven thicknesses and well layers of even thicknesses.例文帳に追加

基板上にｎ型層、発光層およびｐ型層を有し、該発光層が交互に井戸層と障壁層で積層された多重量子構造であり、かつ、該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれて配置された窒化ガリウム系化合物半導体積層物において、該多重量子構造を構成する井戸層は厚さが不均一な井戸層と厚さが均一な井戸層とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体積層物。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a first wire formed on a semiconductor substrate by laminating a P-type polysilicon film 124 and a first silicide film 125, a second wire formed on the semiconductor substrate connected to the first wire by laminating a N-type polysilicon film 104 and a second silicide film 105, and a connecting wire 112 formed in the boundary area of the first and second wires and electrically connecting the two wires.例文帳に追加

半導体基板上に形成され、Ｐ型ポリシリコン膜１２４と第１のシリサイド膜１２５とが積層された第１の配線と、前記半導体基板上に第１の配線に接続して形成され、Ｎ型ポリシリコン膜１０４と第２のシリサイド膜１０５とが積層された第２の配線と、第１の配線と第２の配線との境界領域に形成され、二つの配線を電気的に接続する接続配線１１２とを具備してなる。 - 特許庁

In the MISFET type semiconductor device in which an n-type semiconductor pillar region and a p-type semiconductor pillar region are provided over a semiconductor substrate, generation of avalanche breakdown under an electrode pad and a gate wiring can be prevented by forming these gate electrode pad and gate wiring on the n^--type region in place of the semiconductor pillar region, and thereby the avalanche resistance voltage of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

半導体基板上にｎ型半導体ピラー領域とｐ型半導体ピラー領域とが設けられたＭＩＳＦＥＴ型の半導体装置において、ゲート電極パッドやゲート配線を半導体ピラー領域の上に形成せず、ｎ^−型領域の上に形成することにより、これら電極パッドやゲート配線の下でアバランシェ・ブレークダウンが発生することを解消し、半導体装置のアバランシェ耐圧を改善できる。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser device includes an n-type InAlGaN light absorbing layer formed on a GaN substrate, an n-type AlGaN cladding layer formed on the n-type InAlGaN light absorbing layer, an InGaN active layer formed on the n-type AlGaN cladding layer, and a p-type AlGaN layer formed on the InGaN active layer and having a smaller refractive index than the n-type AlGaN cladding layer.例文帳に追加

窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 - 特許庁

In the image display system containing a light-emitting element having a plurality of photosensors, each photosensor comprises the PIN diode, including an N-type dope semiconductor region, a P-type dope semiconductor region and an intrinsic semiconductor region formed therebetween, and an isolated control gate covering the intrinsic semiconductor region, wherein the isolated control gate provides the PIN diode, having controllable electrical characteristics with respect to saturation photocurrent under a saturation voltage.例文帳に追加

複数の光センサを有する発光素子を含む画像表示システムであって、各光センサは、Ｎ型ドープ半導体領域、Ｐ型ドープ半導体領域と、その間に形成された真性半導体領域を含むＰＩＮダイオード、及び前記真性半導体領域を覆う絶縁された制御ゲートを含み、前記絶縁された制御ゲートは、飽和電圧下の飽和光電流に対して制御可能な電気特性を有するＰＩＮダイオードを提供するシステム。 - 特許庁