「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A P-type diffusion region 38 for supplying fixed potential to the p-type well 52 is arranged in the P-type well 52 in the predetermined region.例文帳に追加

Ｐ型ウエル５２に固定電位を供給するためのＰ型拡散領域３８が、前記所定領域においてＰ型ウエル５２中に配置される。 - 特許庁

The impurity concentration of the P-type region 7a is higher than that of the P-type well 2, and that of the P-type region 4 is higher than it.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａはＰ型ウェル２より不純物濃度が高く、Ｐ型領域４はそれよりも更に高い。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is preferably composed of p-type gallium nitride (GaN).例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

It is desired that the p-type semiconductor layer includes an inorganic p-type semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体層は、無機ｐ型半導体材料を含むことが望ましい。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises a P type collector region 11 containing P type impurity such as boron.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、ボロン等のＰ型不純物を含むＰ型コレクタ領域１１を備える。 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加

ｐ−型接続層１３Ｂの不純物濃度はｐ型埋め込み層１３Ａのそれより小さい。 - 特許庁

A p-type contact electrode 5 is formed on the surface of the p-type silicon carbide region 4.例文帳に追加

ｐ型炭化ケイ素領域４の表面にｐ型コンタクト電極５が形成されている。 - 特許庁

The first p-type layer contacts the p-side electrode and contains a p-type impurity at a first concentration.例文帳に追加

第１ｐ形層はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

The p-type polysilicon layer 8 and p^+ layer 12 include a p-type impurity of the same kind.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコン層８とｐ^+層１２とは、同種のｐ型不純物を含んでいる。 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, P-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY CELL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

P-type electrode materials are formed on the top face of the p-type contact layer 1.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層１の上面にＰ型電極材料が設けられている。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

The p-type contact layer 102 is formed as a p-type layer by introducing carbon as an impurity.例文帳に追加

また、ｐ型コンタクト層１０２は、炭素を不純物として導入することでｐ型とされている。 - 特許庁

A P-type impurity region 13b is formed simultaneously with a P-type well 13.例文帳に追加

まず、Ｐ型不純物領域１３ｂを、Ｐ型ウェル１３と同時に形成する。 - 特許庁

P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

A P type diffusion layer 6 is formed to be coupled with the P type buried diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層６が、Ｐ型の埋込拡散層５と連結するように形成されている。 - 特許庁

The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.例文帳に追加

分離領域３は、Ｐ型の埋込拡散層とＰ型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁

By this setup, P-type layers 117a and 117b are formed on the surface of the P-type semiconductor substrate 111.例文帳に追加

これにより、Ｐ型半導体基板１１１表面にｐ型層１１７ａ，１１７ｂが形成される。 - 特許庁

A p-type electrode 46 is electrically connected to the p-type GaN contact layer 36.例文帳に追加

ｐ型電極４６がｐ型ＧａＮコンタクト層３６に電気的に接続されている。 - 特許庁

A P-type material is a disc-shaped liquid crystal material for forming columns 5 on a P-type surface layer 7.例文帳に追加

ｐ型物質は、コラム５をｐ型表面層７上に形成する円盤状液晶物質である。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁

A P-type active guard region 16 is formed surrounding these P-type base regions 14.例文帳に追加

これらｐ型ベース領域１４を囲むようにｐ型アクティブガード領域１６が形成されている。 - 特許庁

To achieve high performance of an oxide film as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加

ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。 - 特許庁

The p-type deep well region 5a is adjacent to at least the p-type well region 2.例文帳に追加

ｐ型深ウェル領域５ａは、少なくともｐ型ウェル領域２と接している。 - 特許庁

The p-type body region 50a is electrically connected to a p-type base region 220.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域５０ａと、ｐ型ベース領域２２０とは、電気的に接続されている。 - 特許庁

To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^+型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁

To enlarge the range of P type diffuse conditions in a P^+ type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

A p-type well 2 and an n-type well 3 are adjacently formed on a silicon substrate 1 by respectively using a p-type well mask 2 and an n-type well mask 3.例文帳に追加

シリコン基板１上に、Ｐウエル２、Ｎウエル３を互いに隣接して形成する。 - 特許庁

As it approaches the first p-type region 11, the potential of the second p-type region 14 is decreased.例文帳に追加

そして第１のＰ型領域１１に近付くにつれて第２のＰ型領域１４の電位が低くなる。 - 特許庁

The p-type Al_xGa_(1-x)N (0≤x≤1) layer 12 is, for example, a p-type Al_0.08Ga_0.92N例文帳に追加

ここで、ｐ型Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ（０≦ｘ≦１）層１２は、例えばｘ＝０．０８のｐ型Ａｌ_0.08Ｇａ_0.92Ｎ層である。 - 特許庁