「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

p-TYPE SILICON WAFER例文帳に追加

ｐ型シリコンウェーハ - 特許庁

P TYPE FIRE ALARM DEVICE例文帳に追加

Ｐ型火災報知設備 - 特許庁

P TYPE FIRE RECEIVER例文帳に追加

Ｐ型火災受信機 - 特許庁

The p-type channel FET has a p-type channel width.例文帳に追加

ｐチャネルＦＥＴはｐチャネル幅を有する。 - 特許庁

a semiconductor called {p-type semiconductor} 例文帳に追加

P型半導体という半導体 - EDR日英対訳辞書

The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The p-type dopant concentration N_P1 of the first p-type embedded layer 15 is lower than the p-type dopant concentration N_P2 of the second p-type embedded layer 19.例文帳に追加

第１のｐ型埋込層１５のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１は第２のｐ型埋込層１９のｐ型ドーパントの濃度Ｎ_Ｐ２より低い。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND PHOTOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体及び光電素子 - 特許庁

ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層用電極 - 特許庁

p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZnO例文帳に追加

ｐ型単結晶ＺｎＯ - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加

ｐ型半導体層活性化方法 - 特許庁

P-TYPE WIDE GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ワイドギャップ半導体 - 特許庁

The third p-type layer is provided between the first p-type layer and the second p-type layer and contains the p-type impurity at a third concentration lower than the second concentration.例文帳に追加

第３ｐ形層は第１ｐ形層と第２ｐ形層との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

HIGH-TEMPERATURE P-TYPE THERMOELEMENT MATERIAL例文帳に追加

高温用ｐ型熱電素子材料 - 特許庁

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。 - 特許庁

A p-type electrode 26 is formed on the p-type cap layer 23.例文帳に追加

ｐ型キャップ層２３上にはｐ形電極２６が形成されている。 - 特許庁

A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f).例文帳に追加

（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

The fourth p-type layer is provided between the second p-type layer and the third p-type layer, and the concentration of the p-type impurity gradually decreases from the second concentration to the third concentration along the direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

第４ｐ形層は第２ｐ形層と第３ｐ形層との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加

p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

The p-type window layer 8 is made of a conductive p-type GaP transmitting an infrared ray and doped with zinc as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ウインドウ層８は、赤外線を透過でき、ｐ型のドーパントとして亜鉛がドープされた導電性のｐ型ＧａＰからなる。 - 特許庁

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING COMPOSITION, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁

To prevent a p-type electrode material from being peeled off when Ag is used as the p-type electrode material for a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

p型窒化物半導体層にp型電極材料としてAgを用いる際に、p型電極材料の剥がれを防止すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device being capable of reducing a contact resistance between a p-type contact layer and a p-type electrode and having the p-type electrode.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.例文帳に追加

埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

A p-type well 22 of a photoelectric conversion part and a p-type well 24 of a signal scanning circuit part in a photodiode are formed on a p-type substrate 20.例文帳に追加

ｐ型基板２０上にフォトダイオードの光電変換部のｐ型ウェル２２と、信号走査回路部のｐ型ウェル２４が形成される。 - 特許庁

Then, a p-type clad layer 9, p-type contact layer 10, and a p-side electrode 11 are laminated on the p-type waveguide layer 7.例文帳に追加

そして、ｐ型導波層７上には、順次ｐ型クラッド層９、ｐ型コンタクト層１０、ｐ側電極１１が積層されている。 - 特許庁

A p-type AlAs layer 165 which always gives a strain in a constant amount is inserted between a p-type clad layer 150 and a p-type heterobuffer layer 160.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１５０とｐ型ヘテロバッファ層１６０の間に、常に一定量の歪みを与えるｐ型ＡｌＡｓ層１６５を挿入する。 - 特許庁

A ridge Ri is formed which comprises the p-type clad layer 104, the p-type contact layer 105, and the p-type ohmic electrode 106.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１０４、ｐ型コンタクト層１０５およびｐ型オーミック電極１０６からなるリッジ部Ｒｉが形成されている。 - 特許庁

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

A p-type contact layer 7 of the film thickness of about 1,200Å made of an Mg doped p-type GaN is formed on the p-type cladding layer 6.例文帳に追加

ｐ型クラッド層６の上にはＭｇドープのｐ型ＧａＮから成る膜厚約１２００Åのｐ型コンタクト層７が形成されている。 - 特許庁

The p-type guide layer 16 has a super lattice structure wherein a p-type AlGaN layer and p-type GaN layer are alternatively repeatedly stacked a plurality of times.例文帳に追加

ｐ型ガイド層１６は、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層を交互に複数回繰り返し積層した超格子構造を有している。 - 特許庁