「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

At least the channel-side of the transfer gate electrode 248 is formed of a p-type semiconductor or a substance, having work function corresponding to the p-type semiconductor.例文帳に追加

この転送ゲート電極２４８を、少なくともそのチャネル側がｐ型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。 - 特許庁

A P-type anode layer 12 and a P--type RESURF layer 14 are formed on the surface of an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｎ型の半導体基板１０の表面側にｐ型のアノード層１２とｐ−型のＲＥＳＵＲＦ層１４とを形成する。 - 特許庁

A p-type impurity is diffused in a semiconductor layer 3 to form a p-type semiconductor layer 4, resulting in forming a pn junction plane 5.例文帳に追加

次いで、Ｐ型の不純物を半導体層３に拡散することによりＰ型半導体層４を形成し、ＰＮ接合面５を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a buried p^+ type semiconductor region 50 is formed while being spaced apart by a distance L1 from the p^+ type semiconductor region 48.例文帳に追加

また、ｐ^+型半導体領域４８から距離Ｌ１を隔てて埋め込み型のｐ^+型半導体領域５０を形成する。 - 特許庁

The group III nitride light emitting device includes an n type layer, the p type layer and the active region in which lights can be emitted between the p type layer and the n type layer.例文帳に追加

ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。 - 特許庁

The specific resistance ρ29 of the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is lower than the specific resistance ρ27 of the first p-type group III nitride semiconductor layer 27.例文帳に追加

第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 - 特許庁

Then, an annealing is carried out to increase the conductivity of p-type layer by diffusing hydrogen outside from the exposed surface of the p-type layer.例文帳に追加

この後、ｐ型層の露出させた面から水素を外方拡散させてｐ型層の伝導性を増加させるために、アニールが実行される。 - 特許庁

The p-type second and p^+-type third diffused layers 12 and 13 are formed in two steps as the emitter layer of the thyristor.例文帳に追加

サイリスタのエミッタ層として、Ｐ型の第二拡散層１２およびＰ^＋型の第三拡散層１３の二段形成を行っている。 - 特許庁

Subsequently, after a step of forming the p-type contact layer 8, the p-type contact layer 8 is processed into a mesa shape.例文帳に追加

次いで、ｐ型コンタクト層８を形成する工程の後、ｐ型コンタクト層８をメサ形状に加工する。 - 特許庁

On the N type collector layer 4, a P+ type base layer 3 including the P type impurities of a high concentration is entirely formed.例文帳に追加

Ｎ型コレクタ層４上には、高濃度のＰ型不純物を含むＰ＋型ベース層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

In this case, the internal stress of the p-type resistor 16D is larger than that of the p-type gate electrode 16C.例文帳に追加

ｐ型抵抗体１６Ｄの内部応力は、ｐ型ゲート電極１６Ｃの内部応力よりも大きい。 - 特許庁

A P+ type diffusion layer 105 and an N+ type diffusion layer 107 as a source diffusion layer are formed in the P type diffusion layer 104.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１０４内には、Ｐ＋拡散層１０５、およびソース拡散層としてのＮ＋拡散層１０７が形成されている。 - 特許庁

And a p^+-type diffusion layer 6 having a high p-type impurity concentration is formed on the second n-well 3.例文帳に追加

そして、第２Ｎウエル３の表面には高いＰ型不純物濃度を有したＰ＋型拡散層６が形成されている。 - 特許庁

A p-type electrode 4 comprising a transparent electrode is in ohmic contact with a surface of the p-type GaN guide contact layer 17.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮガイド・コンタクト層１７の表面に、透明電極からなるｐ型電極４がオーミック接触している。 - 特許庁

A P-type source region 6 and a P-type drain region 7 are arranged in opposition in a second direction at right angles to the first direction.例文帳に追加

P形ソ−ス領域６とP形ドレイン領域７とは第１の方向に直角な第２の方向において対向配置されている。 - 特許庁

Then, an insulation region 4 is formed around the p-type region so as to be deeper than the p-type region and not to get to the semiconductor substrate.例文帳に追加

そして、ｐ形領域３の周囲にｐ形領域３より深く、かつ、半導体基板１に達しないように絶縁領域４が形成されている。 - 特許庁

A p-type source diffusion layer 10, a p-type drain diffusion layer 11 and an intermediate layer 12 are formed sideward of each electrode part 8, 18.例文帳に追加

各電極部８，１８の側方に、ｐ型ソース拡散層１０，ｐ型ドレイン拡散層１１及び中間拡散層１２を形成する。 - 特許庁

The p-type AlGaAs layer 18 is isolated by etching, and this etching is stopped in the undoped AlGaAs resistive layer 17 between the p-type AlGaAs layers 18.例文帳に追加

p型AlGaAs層１８の分離はエッチングにて行われており、このエッチングがp型AlGaAs層１８間のアンドープAlGaAs抵抗層１７で止まっている。 - 特許庁

A P-type contact layer 101 and a first electrode layer 113 are formed on a ridge part 120 provided in a P-type clad layer 112.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１１２に設けられたリッジ部１２０の上に、ｐ型コンタクト層１０１および第一の電極層１１３を形成する。 - 特許庁

The gate terminals of the p-type transistor constituting each inverter circuit are connected to the gate terminal of the p-type transistor P0.例文帳に追加

それぞれのインバータ回路を構成するｐ型トランジスタのゲート端子は、ｐ型トランジスタＰ０のゲート端子に接続されている。 - 特許庁

An n-type drift layer 13 and a p-type base layer 15 are formed adjacent on the surface of a p-type semiconductor active layer 11.例文帳に追加

ｐ型の半導体活性層１１の表面にｎ型のドリフト層１３とｐ型のベース層１５とが互いに隣接するように形成される。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 23 is formed to have an impurity concentration lower than that of the P-type diffusion layer 22 and have a diffusion width which is smaller.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層２３は、Ｐ型の拡散層２２よりも不純物濃度が低く、その拡散幅が狭く形成される。 - 特許庁

A base electrode 54c is electrically connected to a p^+-type semiconductor region 41 formed in the p-type well 28 via a plug 53c.例文帳に追加

ｐ型ウエル２８に形成されたｐ^+型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

By irradiating laser light (ν) on these p-type nitride semiconductor layers 6-9, the p-type dopants contained therein are activated.例文帳に追加

これらのｐ型の窒化物半導体層６〜９に対してレーザ光νを照射することによりｐ型不純物の活性化を行う。 - 特許庁

Thus areas of the p-type active layers 2a between the p-type electrode 3 and the n-type electrodes 4 become light- emitting regions 6.例文帳に追加

ｐ電極３とｎ電極４との間におけるｐ型活性層２ａの領域が発光領域６になる。 - 特許庁

A buffer layer 11, a p-type semiconductor layer 12 and a p-type contact layer 13 are laminated on one side of a substrate 10 in this order.例文帳に追加

基板１０の一面側に、バッファ層１１、ｐ型半導体層１２およびｐ型コンタクト層１３がこの順に積層されている。 - 特許庁

Next, P-type impurities 4 are introduced into the surface layer of the substrate 1 through ion implantation using the pattern 3 as a mask to form a P-type region 5.例文帳に追加

次に、パターン３をマスクにしたイオン注入によって基板１の表面層にＰ型不純物４を導入し、Ｐ型領域５を形成する。 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

Here, the concentration of hydrogen contained in the p^+-type GaAs layer 17 is lower than that of the carriers of second-conductivity type contained in the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

ここで、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７中に含まれる水素濃度は、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７の第２導電型のキャリア濃度よりも低い。 - 特許庁

The p-type InGaAlP cladding layer 36 is formed into a cross-sectionally trapezodal shape smaller than the p-type InGaP etching stop layer 35.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６は、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５よりも幅狭な断面台形状に形成されている。 - 特許庁

In an n-type extension drain region 102 formed in a p-type semiconductor substrate 110, p-type buried regions 104a and 104b are formed.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１１０の内部に形成されたＮ型の延長ドレイン領域１０２に、Ｐ型埋め込み領域１０４ａ、１０４ｂを形成する。 - 特許庁

On the other side of the semiconductor substrate 11, a P-type base layer 14, an N-type emitter layer 15, and a P-type contact layer 16 are formed.例文帳に追加

半導体基板１１の他面側には、Ｐ型ベース層１４、Ｎ型エミッタ層１５及びＰ型コンタクト層１６が形成される。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode 7 is formed to have an opening on the light-extraction part of the p-type GaN contact layer 6.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層６の光取り出し部上に開口を持つようにｐ側オーミック電極７が形成されている。 - 特許庁

The p-type first buried layer 70a_1 is composed of InP doped with n-type impurities and p-type impurities (Zn).例文帳に追加

ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１は、ｎ型不純物及びｐ型不純物（Ｚｎ）がドープされたＩｎＰからなる。 - 特許庁

A resist layer is formed on the p-type substrate 1, and n-type impurity ions are implanted into the p-type substrate 1 from above the resist layer.例文帳に追加

次に、ｐ型基板１上に、レジストを形成し、レジスト上方からｎ型不純物イオンを注入する。 - 特許庁

Then, a P^+- type layer 9 is formed by diffusing a P-type impurity into the surface layer of the N^--type channel layer 8.例文帳に追加

その後、Ｎ^-型チャネル層８の表層部にＰ型不純物を気相拡散させることで、Ｐ^+型層９を形成する。 - 特許庁

Moreover, a projected ridge stripe of the p-type AlGaN clad layer 4 and the p-type GaN contact layer 5 constitutes a ridge part A.例文帳に追加

また、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層４の凸形状のリッジストライプとｐ型ＧａＮコンタクト層５とでリッジ部Ａが構成されている。 - 特許庁

The p-type thermoelectric element layer 5 is a thin film layer and turned to a p-type semiconductor by adding Sb to Bi-Te.例文帳に追加

ｐ型熱電素子層５は薄膜層であり、Ｂｉ−ＴｅにＳｂを添加することによりｐ型半導体としたものである。 - 特許庁

P-type impurity regions 6 are formed in predetermined regions of the N^- semiconductor layers 2 separated apart from the P-type impurity regions 4.例文帳に追加

Ｐ型不純物領域４から距離を隔てられたＮ^-半導体層２の所定の領域では、Ｐ型不純物領域６が形成されている。 - 特許庁

A p-type buried layer 3' is provided in an n-type buried layer 2 provided on a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に設けられたｎ型埋め込み層２には、ｐ型埋め込み層３´が設けられている。 - 特許庁

The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加

リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁

An n+-type diffusion layer 16 is formed on the side counterposed to the p-type diffusion layer 14 of the p-type diffusion layer 15.例文帳に追加

ｐ型拡散層１５のｐ型拡散層１４に対向する側にはｎ^+型拡散層１６が形成される。 - 特許庁

A P-type GaN layer 18 of at least 2 nm and at most 100 nm in thickness is formed on the P-type clad layer 16, and a metal film 20 is formed.例文帳に追加

Ｐ型クラッド層１６上にＰ型ＧａＮ層１８を２ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さで形成して金属膜２０を形成する。 - 特許庁

In addition, a p-type channel 6 is formed at the intermediate depth of the p-type well 5b by implanting B+ ions into the epitaxial layer 2 by using the resist 4 as a mask.例文帳に追加

更に、レジスト４をマスクとしてＢ^+をイオン注入することにより、ｐ型ウェル５ｂの中間深さにｐ型チャネル６を形成する。 - 特許庁

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜／トンネル酸化膜／第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁