「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The regions 21, 22 include a p-type impurity.例文帳に追加

領域２１，２２は、Ｐ型の不純物を含む。 - 特許庁

Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加

次いで、トレンチをｐ型半導体２５で埋める。 - 特許庁

P-TYPE CLAD STRUCTURE OF ZnSe LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＺｎＳｅ系発光素子のｐ型クラッド構造 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor having photo-responsibility.例文帳に追加

光応答性を有するｐ型の半導体を提供する。 - 特許庁

At this time, the p-type impurity contained in the p^+-type impurity layer 22 is diffused into the p-type epitaxial layer 10 and, as a result, a p^+-type impurity layer 11 is formed.例文帳に追加

このとき、ｐ^+ 型不純物層２２中のｐ型不純物がｐ型エピタキシャル層１０に拡散して、ｐ^+ 型不純物層１１が形成される。 - 特許庁

The multilayer film 25 consisting of the two p-type AlInAs layers and the one p-type AlAs layer is formed into the constitution of a multilayer film formed by making the p-type AlAs layer 25b interpose between the p-type AlInAs layers 25a.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層／ｐ−ＡｌＡｓ層の多層膜２５は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５ａの間にｐ−ＡｌＡｓ層２５ｂを介在させた多層膜の構成になっている。 - 特許庁

A ridge 20 is formed on the p-type clad layer 16.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１６にリッジ２０を形成する。 - 特許庁

p-TYPE GaAs SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ単結晶及びその製造方法 - 特許庁

P TYPE THERMOELECTRIC CONVERTING MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING p-TYPE THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料の製造方法 - 特許庁

The first type is n-type or p-type.例文帳に追加

前記第１型はｎ−型又はｐ−型である。 - 特許庁

P-TYPE MgZnO-BASED THIN FILM AND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及び半導体発光素子 - 特許庁

The doping concentration of the second p-type region 6 is lower than that of the first p-type region 5, and the lower end of the second p-type region 6 is located lower than the lower end of the first p-type region 5.例文帳に追加

第２のｐ型領域６のドーピング濃度は、第１のｐ型領域５のドーピング濃度より低く、第２のｐ型領域６の下端は、第１のｐ型領域５の下端よりも下方に位置する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE In-Ga-Zn-O FILM例文帳に追加

ｐ型Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜の成膜方法 - 特許庁

Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.例文帳に追加

第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁

The transistor has n- and p-type embodiments.例文帳に追加

本トランジスタはｎ型及びｐ型実施形態を有する。 - 特許庁

The impurity concentration of the p^+-type impurity region 33 is higher than the impurity concentration of the p-type well 29, and the depth of the p^+-type impurity region 33 is shallower than the depth of the p-type well 29.例文帳に追加

ｐ^＋型不純物領域３３の不純物濃度はｐ型ウェル２９の不純物濃度よりも高く、また、ｐ^＋型不純物領域３３はｐ型ウェル２９よりも浅く形成されている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GaN-BASED BASE MATERIAL例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系基材の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING LOW RESISTIVITY P-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM例文帳に追加

低抵抗ｐ型酸化亜鉛薄膜の製造方法 - 特許庁

The light receiving region 110 includes a p-type contact layer.例文帳に追加

受光領域１１０は、ｐ型コンタクト層を備える。 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC CONVERTING MATERIAL AND MANUFACTURE OF THE SAME例文帳に追加

Ｐ型熱電変換材料およびその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING CONCENTRATION OF P-TYPE SILICON WAFER CARRIER例文帳に追加

ｐ型シリコンウェーハのキャリア濃度低下方法 - 特許庁

P-TYPE MATERIAL MIXTURE FOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子デバイス用ｐ型材料混合物 - 特許庁

Band gap difference between the p-type contact layer 28 and the p-type intermediate layer 26 and that between the p-type intermediate layer 26 and the p-type clad layer 24 are set at 200 meV or less.例文帳に追加

p型コンタクト層28と前記p型中間層26間および、p型中間層26と前記p型クラッド層24間のバンドギャップ差がそれぞれ200meV以下となるように構成する。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

A p-type guard ring region 9 provided enclosing an outermost peripheral portion of the p type base region 4 is provided to have a longer depth-directional distance from a top surface in the p type base region 4 than the p type base region 4, and is also in contact with the outermost peripheral portion of the p type base region 4.例文帳に追加

ｐ型ベース領域４の最外周部を取り囲むように設けられたｐ−型ガードリング領域９がｐ型ベース領域４よりもｐ型ベース領域４の上面からの深さ方向距離が長くなるように設けられ、且つｐ型ベース領域４の最外周部と接触している。 - 特許庁

In this semiconductor light-emitting element, a p-type guide layer 14 interposed between an activated layer 13 and a p-type clad layer 15 is constituted of compound semiconductors of groups III to V containing B (boron) as a group-III element, specifically a p-type BInP, a p-type BGaAs or a p-type BAlP.例文帳に追加

活性層１３とｐ型クラッド層１５との間に設けられたｐ型ガイド層１４が、ＩＩＩ族元素としてＢ（ホウ素）を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、具体的には、ｐ型ＢＩｎＰ、ｐ型ＢＧａＡｓまたはｐ型ＢＡｌＰにより構成されている。 - 特許庁

A (P^+)-type embedded layer 55 in contact with the bottom of this P-type well area 52 is formed, and an N-type embedded layer 56 which is formed partially interposed with this (P^+)-type embedded layer 55 and electrically separates the P-type well area 52 from the P-type single crystal silicon substrate 50 is formed.例文帳に追加

このＰ型ウエル領域５２の底部に接するＰ＋型埋め込み層５５、このＰ＋型埋め込み層５５に部分的に重畳して形成され、Ｐ型ウエル領域５２を単結晶シリコン基板５０から電気的に分離するＮ型埋め込み層５６を設ける。 - 特許庁

A nitride semiconductor device has a p-type light guide layer 106 composed of a p-type GaN, with a surface being subjected to etching, and a p-type contact layer 108 composed of p-type GaN formed on a surface to be etched in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、表面がエッチングされたｐ型ＧａＮからなるｐ型光ガイド層１０６と、該ｐ型光ガイド層１０６における被エッチング面の上に形成されたｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０８とを有している。 - 特許庁

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 - 特許庁

The semiconductor device has, on a P type semiconductor substrate 1, a P+ type collector layer 8 electrically connected to a collector electrode 15 of an IGBT, a P+ type buried layer 4 connected with the P+ type collector layer 8, an N type buried layer 2 below the P+ type buried layer 4, and an N+ type buried layer 3 between the P+ type buried layer 4 and the N type buried layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１に、ＩＧＢＴのコレクタ電極１５と電気的に接続するＰ＋型コレクタ層８と、当該Ｐ＋型コレクタ層８と連続するＰ＋型埋め込み層４と、該Ｐ＋型埋め込み層４の下層のＮ型埋め込み層２と、該Ｐ＋型埋め込み層４と該Ｎ型埋め込み層２の間のＮ＋型埋め込み層３とを形成する。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a of a p-type clad layer 96 provided on the layer 95 is formed of a p-type nitride semiconductor containing an aluminum and a gallium and a second p-type clad layer 96b is formed of the similar p-type nitride semiconductor and having larger band gap than that of the first p-type clad layer 96b.例文帳に追加

活性層９５上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層９６ａをアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層９６ｂを同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層９６ｂよりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

A first p-type clad layer 96a in a p-type clad layer 96 provided on the active layer 15 comprises a p-type nitride semiconductor containing aluminum and gallium and a second p-type clad layer 96b comprises a similar p-type nitride semiconductor having a band gap larger than that of the first p-type clad layer 96a.例文帳に追加

活性層（１５）上に設けられるｐ型クラッド層９６のうち、第１のｐ型クラッド層（９６ａ）をアルミニウムとガリウムを含むｐ型窒化物半導体で形成し、第２のｐ型クラッド層（９６ｂ）を同様のｐ型窒化物半導体であるが、第１のｐ型クラッド層（９６ｂ）よりもバンドギャップの大きいもので形成する。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

A hydrogen adsorption layer 221 containing a metal occluding hydrogen is provided located between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に位置して、水素を吸着する金属を含む水素吸着層２２１が設けられている。 - 特許庁

Then P-type semiconductors 26 and N-type semiconductors 27 are arranged alternately, and electrodes 23 are formed on both sides of the P-type semiconductors and N-type semiconductors.例文帳に追加

P型半導体２６とN型半導体２７とが交互に配置され、電極２３がP型半導体およびN型半導体の両側に配置される。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

Ｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法及びＰ型窒化ガリウム系半導体を用いた発光素子 - 特許庁

P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM PHOTODIODE AND P TYPE GaAs SUBSTRATE ZnSe SYSTEM AVALANCHE PHOTODIODE例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｓ基板ＺｎＳｅ系フォトダイオードおよびｐ型ＧａＡｓ基板ＺｎＳｅ系アバランシェフォトダイオード - 特許庁

To provide a p-type gallium nitride compound semiconductor formed of a gallium nitride compound semiconductor layer doped with a p-type impurity.例文帳に追加

ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なｐ型とする窒化ガリウム系化合物半導体を提供する。 - 特許庁

A p-type distorted silicon layer 22 is formed on a p-type silicon-germanium layer 24 formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたｐ型シリコン−ゲルマニウム層２４にｐ型歪シリコン層２２が形成されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type AlGaN clad layer 14 and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１４を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

The p-type dopant is added to the gallium nitride based semiconductor, and as the p-type dopant, for example, magnesium is used.例文帳に追加

このＧａＮ系半導体にはｐ型ドーパントが添加されており、ｐ型ドーパントとしては例えばマグネシウムである。 - 特許庁

The anode includes a first p-type semiconductor anode region 204 and a second p-type semiconductor anode region 206.例文帳に追加

陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。 - 特許庁

A contact interface of a p-type superlattice layer 1 and a light active layer 2 is nonparallel, especially vertical to a laminating plane of the p-type superlattice layer 1.例文帳に追加

ｐ型超格子層１と光能動層２との接触界面を、ｐ型超格子層１の積層面と非平行に、特に、垂直にする。 - 特許庁