p=typeを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 8316件
To provide a method for producing an oxide film with an excellent mass productivity, wherein the oxide film shows a high performance as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加
ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての高性能な酸化物膜の、量産性に優れた製造方法を提供する。 - 特許庁
It is also possible to form an analog amplifier which is formed only of the p-type FET and uses a source follower circuit using only the p-type FET to an output circuit.例文帳に追加
ｐ型ＦＥＴだけで構成し、出力部にもｐ型ＦＥＴのみを用いたソースフォロワ回路を用いたアナログアンプも可能である。 - 特許庁
An IGBT is provided with a p-type emitter layer 17 and a p-type base layer 12 which are arranged and installed by sandwiching an n-type base layer 11.例文帳に追加
ＩＧＢＴはｎ型ベース層１１を挟んで配設されたｐ型エミッタ層１７とｐ型ベース層１２とを有する。 - 特許庁
A p^+-type semiconductor region 17 is formed in a semiconductor substrate 11 by introducing a p-type impurity into the substrate 11 from one main surface SA of the substrate 11.例文帳に追加
半導体基体１１の一方の主面ＳＡからＰ型不純物を導入し、Ｐ^＋型半導体領域１７を形成する。 - 特許庁
Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加
これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁
A second n-type region 3 is provided on the p-type regions 2, 4 spaced apart from the first n-type region 1 by the p-type regions 2, 4.例文帳に追加
第２のｎ型領域３は、ｐ型領域２、４によって第１のｎ型領域１と隔てられ、ｐ型領域２、４上に設けられている。 - 特許庁
Since the p-type impurity element is added through the opening for the cathode, the periphery of the opening is also doped with a slight amount of the p-type impurity element.例文帳に追加
カソード用開口部からｐ型不純物元素の添加を行うため、この開口部周辺も僅かながらｐ型不純物元素が添加される。 - 特許庁
A p-type base layer 20 is divided into a plurality of p-type base regions 9, 10, and 12 using trenches 21.例文帳に追加
トレンチ２１によりｐ型ベース層２０を複数のｐ型ベース領域９，１０，１２に分割する。 - 特許庁
The refractive index relaxing layers 107a and 107b are formed as a p-type area whose refractive index is the same as that of a p-type second clad layer 107.例文帳に追加
屈折率緩和層１０７ａ，１０７ｂは、ｐ型第２クラッド層１０７と同じ屈折率を有するｐ型領域である。 - 特許庁
The p-type impurity density in the p-type body regions 4 is more than or equal to 5×10^16 cm^-3.例文帳に追加
そして、ｐ型ボディ領域４におけるｐ型不純物密度は５×１０^１６ｃｍ^−３以上である。 - 特許庁
A semiconductor device has a P-type second low-concentration diffusion region 9 between a P-type low-concentration diffusion region 7 and an N-type low-concentration diffusion region 11.例文帳に追加
Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。 - 特許庁
The first P-type conductive regions 4, 5 and 6 and the second P-type conductive regions 7, 8 and 9 are arranged so as to pile up ends respectively in plane view.例文帳に追加
第１Ｐ型導電領域４，５，６と第２Ｐ型導電領域７，８，９とは、平面的に見てそれぞれ端部が重なり合うように配置する。 - 特許庁
Hereupon, the upper end of the n-type InP current blocking layer 10 has the structure covered with the p-type InP buried layer 9 and the p-type InP current blocking layer 11.例文帳に追加
ｎ型InP電流ブロック層１０の上端部が、ｐ型InP埋め込み層９およびｐ型InP電流ブロック層１１により覆われた構造とする。 - 特許庁
On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown.例文帳に追加
上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。 - 特許庁
The dosage of the N-type impurities 104 is set to dosage capable of compensating the P-type of the P^+-type impurity introduction region 24.例文帳に追加
Ｎ型不純物１０４のドーズ量は、Ｐ^+型不純物導入領域２４のＰ型を補償し得るドーズ量に設定されている。 - 特許庁
This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加
ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁
Edges of the p-type semiconductor layers are exposed, so that the parasitic capacitance in the edge of the p-type semiconductor layer will not be formed.例文帳に追加
ｐ型半導体層のエッジ部が露出しているので、ｐ型半導体層のエッジ部分での寄生容量がなくなる。 - 特許庁
Related to the p-type partition region 38b, 3-stage of p-type embedded diffusion unit regions Up are connected mutually in the vertical direction.例文帳に追加
ｐ型の仕切領域３８ｂは３段のｐ型の埋め込み拡散単位領域Ｕ_p を縦方向に相互連結して成る。 - 特許庁
Thereby, the buried p-type layer, whose conductivity is significantly higher than that of a p-type layer on which a trench is not formed before annealing, is attained.例文帳に追加
これによりアニール前のトレンチが形成されていないものより著しく伝導性が高い埋込みｐ型層が得られる。 - 特許庁
A p-type InP embedded layer 10 is formed on the diffraction lattices 8a, 8b.例文帳に追加
回折格子８ａ，８ｂ上にｐ型ＩｎＰ埋め込み層１０を形成する。 - 特許庁
METHOD OF FORMING P-TYPE ELECTRODES OF GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
窒化ガリウム系化合物半導体層のｐ型電極形成方法 - 特許庁
The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加
ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁
HEAT TREATING METHOD FOR P-TYPE GALLIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法 - 特許庁
Nitrogen ions N+ are implanted into the surface layer part of a p type base region 3.例文帳に追加
ｐ型ベース領域３の表層部に窒素（Ｎ^+ ）をイオン注入する。 - 特許庁
GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT WITH P-TYPE DOPANT MATERIAL DIFFUSION PREVENTING LAYER例文帳に追加
ｐ型ドーパント材料拡散防止層付き窒化ガリウム系発光素子 - 特許庁
CARBON MONOXIDE GAS SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加
一酸化炭素ガスセンサ、及びＰ型半導体の製造方法 - 特許庁
The second layer 12 comprises a p-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加
第２層１２はｐ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁
n-TYPE AND p-TYPE CUBIC SILICON NITRIDE SEMICONDUCTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
ｎ型およびｐ型立方晶窒化ケイ素半導体およびその製造方法 - 特許庁
To manufacture a strong p-type SrCu_2O_2 thin film doped with calcium.例文帳に追加
カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加
ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁
The mesa structure part is formed on the p-type semiconductor substrate.例文帳に追加
メサ構造部は、ｐ型半導体基板の上に設けられている。 - 特許庁
An N type epitaxial layer 6 is deposited on a P type semiconductor substrate 5.例文帳に追加
Ｐ型半導体基板５上にＮ型エピタキシャル層６を堆積する。 - 特許庁
The first region 13a-1 includes a ridge portion of p-type conductivity.例文帳に追加
第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。 - 特許庁
OHMIC ELECTRODE STRUCTURE OF p-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND ITS FORMATION METHOD例文帳に追加
ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置 - 特許庁
By these processes, hydrogen content in a clad layer 506 of p-type (Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P is lowered.例文帳に追加
これにより、p型（Al_0.7Ga_0.3）_0.5In_0.5Pクラッド層５０６中の水素含有量を低減する。 - 特許庁
METHOD FOR FORMING P-TYPE NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
ｐ型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイス - 特許庁
An n-type impurity region 3 is located under the p-type well region 2.例文帳に追加
ｎ型不純物領域３はｐ型ウエル領域２の下に位置している。 - 特許庁
The source 3 within the trench 1 is made of p-type polysilicon.例文帳に追加
トレンチ１内のソース３はｐ型ポリシリコンで形成されている。 - 特許庁
An anode electrode 18 of the p-type semiconductor area 16 is formed.例文帳に追加
ｐ形半導体領域１６のアノード電極１８を設ける。 - 特許庁
An n^- layer 2 is formed on the main surface of a p-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加
ｐ型半導体基板１の主表面上にはｎ^-層２が形成される。 - 特許庁
SUPER-FLAT P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR NiO SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加
超平坦ｐ型酸化物半導体ＮｉＯ単結晶薄膜 - 特許庁
A p-type ZnMgO layer is formed on the ZnO/ZnMgO quantum well layer surface (e).例文帳に追加
（ｅ）ＺｎＯ／ＺｎＭｇＯ量子井戸層表面上に、ｐ型ＺｎＭｇＯ層を形成する。 - 特許庁
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