「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-type impurity layer 2 is formed in an n-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１内には、ｐ型不純物層２が形成される。 - 特許庁

The p-side electrode 17p is provided on the p-type region.例文帳に追加

ｐ側電極１７ｐは、ｐ型領域の上に設けられている。 - 特許庁

FORMING METHOD OF OHMIC ELECTRODE ON P TYPE 4H-SiC SUBSTRATE例文帳に追加

Ｐ型４Ｈ−ＳｉＣ基板上のオーミック電極の形成方法 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element capable of preventing diffusion of a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントの拡散を防止可能な半導体光素子を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

P-TYPE ACTIVATING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC P-TYPE SINGLE CRYSTAL OF ZINC OXIDE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

強磁性ｐ型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor which shows clear p-type conduction.例文帳に追加

明確なｐ型伝導を示す酸化物半導体を提供する。 - 特許庁

A p-type epitaxial layer 2 is crystal-grown in the trench aperture part.例文帳に追加

トレンチ開口部にｐ型のエピタキシャル層２を結晶成長させる。 - 特許庁

The active region includes at least one additonal p type layer.例文帳に追加

活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。 - 特許庁

The semiconductor layer 17 has a surface layer containing p-type impurities.例文帳に追加

半導体層１７は、ｐ型不純物を含有している表層を有する。 - 特許庁

An N-type epitaxial layer 52 is arranged on a P-type silicon substrate 51.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板５１上に、Ｎ型エピタキシャル層５２が配置される。 - 特許庁

p-TYPE GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体およびその製造方法 - 特許庁

The layers 3-6 have p^+ type regions 3a-6a and n type regions 3b-6b.例文帳に追加

層３〜６はｐ^+型領域３ａ〜６ａとｎ型領域３ｂ〜６ｂとを有する。 - 特許庁

The photodiode has a P-type doping region, an intrinsic region joined to the P-type doping region, and respective metal electrodes arranged on the P-type doping region and intrinsic region to apply voltage to the P-type doping region and intrinsic region.例文帳に追加

ここで、前記フォトダイオードはＰ型ドーピング領域、前記Ｐ型ドーピング領域と接合される真性領域、及び前記Ｐ型ドーピング領域と前記真性領域上において前記Ｐ型ドーピング領域と前記真性領域に電圧を印加するためのそれぞれの金属電極が配置される。 - 特許庁

The p-type organic semiconductor film (6) acts to improve collapse.例文帳に追加

このｐ型有機半導体膜（６）の働きでコラプスが改善される。 - 特許庁

LOW RESISTANCE p-TYPE SINGLE CRYSTAL OF ZINC OXIDE AND ITS PRODUCTION例文帳に追加

低抵抗ｐ型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH P TYPE RE-GROWN CHANNEL LAYER例文帳に追加

Ｐ型の再成長したチャネル層を有する半導体トランジスタ - 特許庁

MANUFACTURE OF P-TYPE CUBIC SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM例文帳に追加

ｐ型立方晶炭化珪素単結晶薄膜の製造方法 - 特許庁

Impurity in a p-type semiconductor layer is activated by plasma.例文帳に追加

プラズマによりｐ型半導体層中の不純物を活性化する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING INSULATING FILM AND MANUFACTURE OF P-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

絶縁膜の形成方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE TELLURIDE ZINC BY ORGANIC METAL VAPOR PHASE GROWTH例文帳に追加

有機金属気相成長によるｐ型のテルル化亜鉛の製造方法 - 特許庁

The P-type layer 11 is connected to an emitter electrode 9.例文帳に追加

Ｐ型層１１はエミッタ電極９に接続されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

First, gate structures 2 and 3 are formed on a p-type substrate 1.例文帳に追加

まず、ｐ型基板１上に、ゲート構造２，３を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a p-type nitride semiconductor for manufacturing the p-type nitride semiconductor with low resistance, and to provide a nitride semiconductor device containing the p-type nitride semiconductor, which was manufactured by using the manufacturing method of the p-type nitride semiconductor.例文帳に追加

低抵抗のｐ型窒化物半導体を製造することができるｐ型窒化物半導体の製造方法およびそのｐ型窒化物半導体の製造方法を用いて製造されたｐ型窒化物半導体を含む窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A ferroelectric layer 19 is formed on the P-type substrate 3.例文帳に追加

強誘電体層１９ｂは、Ｐ型基板３上に形成される。 - 特許庁

To form a p-type group III nitride semiconductor on a desired region.例文帳に追加

所望の領域にｐ型のIII 族窒化物半導体を形成すること。 - 特許庁

Heat treatment is performed after introducing the p-type impurities and the fluorine.例文帳に追加

そして、ｐ型不純物とフッ素との導入後に、加熱処理を行う。 - 特許庁

A P-type anode layer 2 is provided above an N^--type drift layer 1.例文帳に追加

Ｎ^−型ドリフト層１上にＰ型アノード層２が設けられている。 - 特許庁

A stripe-shaped stripe 2 is formed on the p-type clad layer.例文帳に追加

ｐ型クラッド層には、ストライプ状のストライプ部２が形成される。 - 特許庁

FORMING METHOD OF P-TYPE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, AND LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法および発光素子 - 特許庁

And a substrate electrode 5 is provided on the back of the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体基板１の裏面に基板電極５を備える。 - 特許庁

P-TYPE ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING FLUORINATED CHANNEL例文帳に追加

フッ素化チャネルを有するＰ型有機電界効果トランジスタ - 特許庁

LOW RESISTANCE p-TYPE SINGLE CRYSTAL ZnS AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

低抵抗ｐ型単結晶ＺｎＳおよびその製造方法 - 特許庁

Etching apertures 4 are disposed around the p-type semiconductor layers 3.例文帳に追加

ｐ型半導体層３の周囲には、エッチング開口部４が設けられている。 - 特許庁

Further, it is desired that the p-type semiconductor layer is porous.例文帳に追加

また、ｐ型半導体層は、多孔質体であることが望ましい。 - 特許庁

Then a p-type silicon peeler 15 is formed inside the trench 13.例文帳に追加

次に、トレンチ１３の内部にｐ型シリコンピラー１５を形成する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SrCu2O2 THIN FILM DOPED WITH CaO例文帳に追加

ＣａＯがドープされたｐ型のＳｒＣｕ２Ｏ２薄膜の製造方法 - 特許庁

The p-type layer 26a can increase a built-in voltage.例文帳に追加

ｐ型層２６ａによりビルトイン電圧を大きくすることができる。 - 特許庁

An insulating film 13 is formed on the P type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｐ型半導体層１２上には、絶縁膜１３を形成する。 - 特許庁

Therefore, threading dislocations can be eliminated also from a p-type electrode side.例文帳に追加

したがって、ｐ型電極側からも、貫通転位を無くすことができる。 - 特許庁

At the same time, the second trench is filled with a p-type semiconductor 28.例文帳に追加

同時に、第２のトレンチがｐ型半導体２８で埋められる。 - 特許庁