「p=type」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The n-type semiconductor layer 11 includes an n-type GaN clad layer 14 and an n-type InGaN guide layer 15, and the p-type semiconductor layer 12 includes a p-type GaN clad layer 18 and a p-type InGaN guide layer 17.例文帳に追加

ｎ型半導体層１１はｎ型ＧａＮクラッド層１４およびｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５を含み、ｐ型半導体層１２はｐ型ＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７を含む。 - 特許庁

An N+ type layer 5 is a diffusion layer formed adjacently to the P+ type layer 4 just below the P+ type layer 4, and it is formed by ion-implanting N-type impurities in a way similar to the P+ type layer 4.例文帳に追加

Ｎ＋型層５は、Ｐ＋型層４直下に、Ｐ＋型層４と隣接して形成された拡散層であり、Ｐ＋型層４と同様にＮ型の不純物をイオン注入して形成される。 - 特許庁

To control p-type conversion through p-type impurities diffused from a p-type nitride semiconductor layer in a current constriction layer formed in its interior, thus obtaining a good current constriction characteristic.例文帳に追加

内部に形成した電流狭窄層において、ｐ型窒化物半導体層から拡散されるｐ型の不純物によるｐ型転化を抑制して良好な電流狭窄特性を得る。 - 特許庁

A second p-type clad layer 16 is formed in the laser on the first p-type clad layer 13, and has higher carrier concentration than the p-type current block layer 14.例文帳に追加

第２ｐ型クラッド層１６は、第１ｐ型クラッド層１３上のレーザ部に形成され、ｐ型電流ブロック層１４よりも高いキャリア濃度を有する。 - 特許庁

This semiconductor device has a p-type avalanche region 9, formed between adjacent p-type base layers 2 which is deeper than the p-type base layers.例文帳に追加

本発明の半導体装置においては、隣り合うｐ型ベース層２の間にｐ型ベース層２よりも深くｐ型アバランシェ領域９が形成されている。 - 特許庁

The p type diffusion layer formation composition is applied to a substrate and heat diffusion process is performed thereon to produce a p type diffusion layer and solar cells having the p type diffusion layer.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し、熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

A semiconductor device 10 comprises a p-type semiconductor substrate 1, an n-type drift region 3 provided in the p-type semiconductor substrate 1, and a p-type body region 4 provided in the n-type drift region 3.例文帳に追加

半導体装置１０は、ｐ型半導体基板１、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型ドリフト領域３、及びｎ型ドリフト領域３内に設けられたｐ型ボディ領域４を含む。 - 特許庁

There are laminated on a p-type substrate 1 a p-type semiconductor layer 24, an n-type semiconductor layer 23, a p-type semiconductor layer 22, and an n-type semiconductor layer 21 to form a PNPN structure.例文帳に追加

ｐ型基板１上に、ｐ型半導体層２４，ｎ型半導体層２３，ｐ型半導体層２２，ｎ型半導体層２１が積層され、ＰＮＰＮ構造を形成している。 - 特許庁

The ridge includes part of a p-type guide layer 26, a p-type clad layer 27, a p-type contact layer 28, part of the insulating film 4 and part of the p-side electrode 5.例文帳に追加

リッジ部９は、ｐ型ガイド層２６の一部と、ｐ型クラッド層２７と、ｐ型コンタクト層２８と、絶縁膜４の一部と、ｐ側電極５の一部とを含む。 - 特許庁

A P-type well layer 2 is formed on a P-type silicon substrate 1, and a gate finger-type N-channel transistor 3 is formed on the P-type well layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上にＰ型ウェル層２が形成され、Ｐ型ウェル層２上にゲートフィンガー型のＮチャネルトランジスタ３が形成されている。 - 特許庁

Preferably, an opening 132, which is larger than the p-type epitaxial buried layer 123, is provided at a position corresponding to the p-type epitaxial embedded layer 123 of p-type horizontal resurf region 130.例文帳に追加

好ましくは、ｐ型横型リサーフ領域１３０のｐ型エピタキシャル埋込層１２３と対応する位置にｐ型エピタキシャル埋込層１２３のサイズよりも大きな開口部１３２を設ける。 - 特許庁

Subsequently, the p-type clad layer 7 is processed into a mesa shape by etching the p-type clad layer 7 with a mixed liquid of hydrochloric acid and acetic acid by using the mesa of the p-type contact layer 8 as a mask.例文帳に追加

次いで、ｐ型クラッド層７を、ｐ型コンタクト層８のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、ｐ型クラッド層７をメサ形状に加工する。 - 特許庁

An integrated circuit 1 includes a substrate of P-type semiconductor, and a plurality of circuit formation elements where a P-type semiconductor part of P-type semiconductor is interposed between adjoining N wells, locally including the N well.例文帳に追加

さらに、集積回路１は、Ｐ型半導体から成る基板と、Ｎウェルを一部に有し、隣接するＮウェルの間にＰ型半導体から成るＰ型半導体部が介在されて構成されている複数の回路形成素子とを備える。 - 特許庁

Accordingly, the concentration profile PF1_MG of the p-type dopant becomes steep in the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 close to the interface between the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 and the active layer 17.例文帳に追加

故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。 - 特許庁

The surfaces of an n-type area 5 made of n-type semiconductors and a p-type area 6 made of p-type semiconductors are both ground to be flat, and then boron is selectively injected into the p-type area 6 that becomes an inactive area.例文帳に追加

ｎ型半導体よりなるｎ型領域５およびｐ型半導体よりなるｐ型領域６の表面を研磨して平坦にした後、非活性領域となる領域のｐ型領域６にボロンを選択的にイオン注入する。 - 特許庁

Almost the same current as the p-type transistor P0 which does not depend on temperature runs in each p-type transistor of the inverter circuits because the p-type transistor P0 and each transistor of the inverter circuit constitute a current mirror.例文帳に追加

ｐ型トランジスタＰ０とインバータ回路の各ｐ型トランジスタはカレントミラーを構成しているので、インバータ回路の各ｐ型トランジスタには、温度に依存されないｐ型トランジスタＰ０とほぼ等しい電流が流れる。 - 特許庁

A p-type high-density emitter region 106 is formed on the surface part of the p-type silicon substrate 100 deeper than the p-type collector region 103 so as to be adjacent with the n-type source region 105.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１００の表面部に、ｎ型ソース領域１０５と隣接するようにｐ型コレクタ領域１０３よりも深くまでｐ型高濃度エミッタ領域１０６が形成されている。 - 特許庁

The solid-state imaging element includes a P-type silicon substrate 31, an N-type semiconductor layer 32 on the P-type silicon substrate 31, a plurality of photoelectric conversion parts 3, and a P-type barrier region 35.例文帳に追加

固体撮像素子は、Ｐ型シリコン基板３１と、Ｐ型シリコン基板３１上のＮ型半導体層３２と、複数の光電変換部３と、Ｐ型のバリア領域３５とを備える。 - 特許庁

Then, a p-type extension region 24, and a p-type source/drain region 26 outside the p-type extension region 24 are formed on the semiconductor substrate 21 located at the side lower part of the gate electrode 23.例文帳に追加

そして、ゲート電極２３の側方下に位置する半導体基板２１には、Ｐ型エクステンション領域２４と、その外側にＰ型ソース・ドレイン領域２６が形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 101 composed of a silicon oxide film is formed on the surface of a p--type semiconductor substrate 100 and a p-type semiconductor layer 102 composed of a p--type impurity layer is formed on the layer 101.例文帳に追加

ｐ^- 型の半導体基板１００の表面部にはシリコン酸化膜からなる絶縁層１０１が形成されており、該絶縁層１０１の上にはｐ^- 型の不純物層からなるｐ型半導体層１０２が形成されている。 - 特許庁

A ridge 28 is formed by selectively etching the p-type InGaAsP contact layer 26 and the second p-type InP clad layer 24 by using the p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 as an etching stopper layer.例文帳に追加

そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 comprises p-type GaAs, p-type semiconductor layers 30 and 34 comprise p-type GaAs, n-type semiconductor layers 32 and 36 comprise n-type GaAs, and an insulating film 14 comprises SiO2.例文帳に追加

半導体基板１０にはｐ型ＧａＡｓが、ｐ型半導体層３０，３４にはｐ型ＧａＡｓが、ｎ型半導体層３２，３６にはｎ型ＧａＡｓが、絶縁膜１４にはＳｉＯ_2 が用いられている。 - 特許庁

Then, a P-type impurity is injected selectively into the P-type transistor formed region in which the P-type gate pattern 110b and the first space have been formed and thus a CMOS transistor is formed.例文帳に追加

そして、前記Ｐ型ゲートパターン１１０ｂ及び第１スペーサが形成された前記Ｐ型トランジスタ形成領域に選択的にＰ型不純物を注入してＣＭＯＳトランジスタを形成する。 - 特許庁

COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, PRODUCTION METHOD OF P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層形成組成物の製造方法、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁

The p-type diffusion layer and the solar cell having the p-type diffusion layer are manufactured by applying the composition for forming the p-type diffusion layer onto a semiconductor substrate and subjecting the applied substrate to heat diffusion treatment.例文帳に追加

このｎ型拡散層形成組成物を半導体基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

On the periphery of a first P type heavily doped layer 2 constituting the light receiving surface of a semiconductor substrate, a second P type heavily doped layer 6 is formed separately from the first P type heavily doped layer 2.例文帳に追加

半導体基板の表面の受光面を構成する第1のＰ型高濃度層２の周辺に第1のＰ型高濃度層２と離れて第２のＰ型高濃度層６を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a p-type MIS transistor, which suppresses an increase of resistance of a p-type extension diffusion layer even when the p-type extension diffusion layer is joined shallowly.例文帳に追加

ｐ型ＭＩＳトランジスタを有する半導体装置において、ｐ型のエクステンション拡散層の浅接合化を進めた場合でも、ｐ型のエクステンション拡散層が高抵抗化されることを抑制する。 - 特許庁

The p-type carrier retaining layer 105 temporarily retains the p-type carriers that are injected from the gate layer 107 into the emitter layer 106 and are diffused in the emitter layer 106 and reach the p-type carrier retaining layer 105.例文帳に追加

ｐ型キャリア保持層１０５は、ゲート層１０７からエミッタ層１０６内に注入されてエミッタ層１０６内を拡散して到達したｐ型キャリアを一時的に保持する。 - 特許庁

In this case, impurity concentration of the p-type latch-up preventing layer PL is set higher than that of the p-type channel forming layer PCH but lower than the p^+-type contact layer PC.例文帳に追加

このとき、ｐ型ラッチアップ防止層ＰＬの不純物濃度は、ｐ型チャネル形成層ＰＣＨの不純物濃度よりも高く、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣの不純物濃度よりも低くなっている。 - 特許庁

A p-type impurity is doped in a first barrier layer nearer to the p-type semiconductor layer, among the first barrier layer and a second barrier layer included in the quantum well adjacent to the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記ｐ形半導体層に隣り合う前記量子井戸を構成する第１の障壁層および第２の障壁層のうちの前記ｐ形半導体層に近い前記第１の障壁層にｐ形不純物がドープされる。 - 特許庁

At least the concentration of silicon out of oxygen, carbon, and silicon in an interface between the p-type light guide layer 106 and the p-type contact layer 108 is 1/10 of the concentration of a dopant in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 - 特許庁

A semiconductor capacitance device 600 has a P type semiconductor layer 610, a N type well region 612 provided in the P type semiconductor, and a P type well region 614 provided in the N type well region 612.例文帳に追加

半導体容量装置６００は、Ｐ型半導体層６１０と、Ｐ型半導体層内に設けられたＮ型ウエル領域６１２と、Ｎ型ウエル領域６１２内に設けられたＰ型ウエル領域６１４と、を有する。 - 特許庁

The source and drain regions 31 include a p-type low concentration impurity region 29 contain relatively low impurity concentration of the first conductivity type and a p-type high concentration impurity region 30 containing relatively high p-type impurity concentration.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域３１は、相対的に第１導電型の不純物濃度が小さいｐ型低濃度不純物領域２９と、相対的にｐ型不純物濃度が大きいｐ型高濃度不純物領域３０とを含む。 - 特許庁

In particular, a p-type ZnO nanowire or a p-type ZnO nanosheet can be formed as a p-type ZnO nanostructure by suitably selecting pressure and temperature.例文帳に追加

特に圧力及び温度を適宜選択することにより、ｐ型ＺｎＯナノ構造体として、ｐ型ＺｎＯナノワイヤやｐ型ＺｎＯナノシートを形成することができる。 - 特許庁

A resistance R2 between the p-type base region 11 and the n^+-type cathode region 13 is greater than a resistance R1 between the p-type base region 11 and the p^+-type collector region 14.例文帳に追加

ｐ型ベース領域１１とｎ^＋型カソード領域１３との間の抵抗Ｒ２は、ｐ型ベース領域１１とｐ^＋型コレクタ領域１４との間の抵抗Ｒ１より大きい。 - 特許庁

The cell A has a P-type MIS transistor which includes a P-type source region 13PS, a P-type drain region 13PD, and a gate electrode 16A; and an N-type substrate contact region 13NSC.例文帳に追加

セルＡは、Ｐ型ソース領域１３ＰＳ及びＰ型ドレイン領域１３ＰＤと、ゲート電極１６Ａとを含むＰ型ＭＩＳトランジスタと、Ｎ型基板コンタクト領域１３ＮＳＣとを有している。 - 特許庁

This semiconductor ultraviolet sensor comprises: a P-type silicon substrate 1; a P-type impurity layer 2; an N-type impurity layer 3; a P-type impurity layer 4; and a metal wiring layer 5.例文帳に追加

半導体紫外線センサは、Ｐ型シリコン基板１と、Ｐ型不純物層２と、Ｎ型不純物層３と、Ｐ型不純物層４と、金属配線層５とを備えている。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 13 contacts with the P-type semiconductor substrate 1 and the N-type diffusion layer 9, and is arranged away from the N-type well 3 and the P-type diffusion layer 11.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１３は、Ｐ型半導体基板１及びＮ型拡散層９に接し、かつＮ型ウエル３及びＰ型拡散層１１とは間隔をもって配置されている。 - 特許庁

A surface layer on a side wall and a bottom surface of the recess 6 is provided with a p-type region 8, and the p^+-type isolation layer 11 and p-type collector region 7 are electrically connected.例文帳に追加

凹部６の側壁および底面の表面層には、ｐ型領域８が設けられており、ｐ^+型分離層１１とｐ型コレクタ領域７とを電気的に接続する。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

This composition for forming a p-type diffusion layer is applied to the substrate and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a p-type diffusion layer and a solar battery cell including the p-type diffusion layer are produced.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層、及びｐ型拡散層を有する太陽電池セルが製造される。 - 特許庁

The p-type diffusion layer forming composition is applied to the substrate and is subjected to heat diffusion treatment, whereby a p-type diffusion layer and a solar cell element including the p-type diffusion layer are produced.例文帳に追加

このｐ型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、ｐ型拡散層及びｐ型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 - 特許庁

A plurality of p-type wells 103 are provided at the outside of the p-type annular well 181, and an n-type well 101 is provided so as to surround respective outside surfaces of the p-type wells 103.例文帳に追加

Ｐ型環状ウェル１８１外側には、Ｐ型ウェル１０３が複数設けられており、Ｐ型ウェル１０３の各々の外部の側面を囲むようにＮ型ウェル１０１が設けられている。 - 特許庁

A p-type well 2 has a higher impurity concentration than that of the p-type RESURF layer 18, and is formed in contact with the p-type RESURF layer 18 on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２はＰ型リサーフ層１８よりも高い不純物濃度を有しており、かつＮ型不純物領域１内の基板５０上面においてＰ型リサーフ層１８と接触して形成されている。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁