「p semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。 - 特許庁

of electronics, a laser that uses a specific p-n junction of a semiconductor 例文帳に追加

半導体のp-n接合の特性を利用したレーザー - EDR日英対訳辞書

The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND PHOTOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体及び光電素子 - 特許庁

ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層用電極 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加

ｐ型半導体層活性化方法 - 特許庁

P-TYPE WIDE GAP SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ワイドギャップ半導体 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

To prevent a p-type electrode material from being peeled off when Ag is used as the p-type electrode material for a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

p型窒化物半導体層にp型電極材料としてAgを用いる際に、p型電極材料の剥がれを防止すること。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加

p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型半導体及び半導体デバイス - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a p-side contact layer contacting the electrode.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。 - 特許庁

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。 - 特許庁

A P well 4 is formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 7.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板７の表面にＰウェル４が形成されている。 - 特許庁

The p-type semiconductor regions 40 are exposed on bottom surfaces 6c of the grooves 2.例文帳に追加

p型半導体領域４０は、溝２の底面６ｃにおいて露出している。 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

A second P-well area 55b is formed on the semiconductor substrate 11 so as to surround the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aを囲んで第2Pウェル領域55bを有する。 - 特許庁

It is desired that the p-type semiconductor layer includes an inorganic p-type semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体層は、無機ｐ型半導体材料を含むことが望ましい。 - 特許庁

P SIDE ELECTRODE, P SIDE ELECTRODE FOR BLUE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ｐ側電極、青色発光半導体発光素子用ｐ側電極及び半導体発光素子 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element obtained by applying a nitride semiconductor containing P or As having a characteristic differing from the conventional nitride semiconductor containing P or As to each structure of the nitride semiconductor element, wherein an atomic fraction of N of the nitride semiconductor containing P or As is greater than the atomic fraction of P or As.例文帳に追加

本発明は、従来のＰまたはＡｓを含む窒化物半導体とは異なる特性を有するＰまたはＡｓを含む窒化物半導体を、窒化物半導体素子の各構造に適用することが目的である。 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

On the light emitting section, a p-type intermediate layer 15 composed of an AlGaInP-based semiconductor and a p-type current diffusing layer 16 are successively grown.例文帳に追加

上記発光部よりも上にＡlＧaＩnＰ系半導体からなるp型中間層１５、p型電流拡散層１６を順次成長させる。 - 特許庁

An n^- semiconductor layer 3 is formed on a p^- semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｐ^-半導体基板１上にｎ^-半導体層３が形成されている。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF p-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P-TYPE NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイス - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE OF p-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びｐ形半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR APPARATUS例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁