pを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 40752件
P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, P-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR BATTERY CELL MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁
A buried region of p^+ silicon carbide is provided on the p-type silicon carbide well region.例文帳に追加
p^+シリコンカーバイドの埋込み領域が、p型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。 - 特許庁
P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加
P型半導体分散体、P型半導体層、PN接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁
The Ti atom and P atom are preferably contained in ≤1.3 molar ratio (Ti/P).例文帳に追加
Ti原子とP原子をモル比(Ti/P)が1.3以下の割合で含有させることがより好ましい。 - 特許庁
The present invention may be applicable to a video signal processing apparatus that performs I/P conversion of a video signal.例文帳に追加
本発明は、映像信号のI/P変換を行う映像信号処理装置に適用することができる。 - 特許庁
A crank STG setting part 5 sets crank stages based on crank pulses P.例文帳に追加
クランクSTG設定部5は、クランクパルスPに基づいてクランクステージを設定する。 - 特許庁
An etching stop layer is formed between the undoped AlGaAs resistive layer 17 and the p-type AlGaAs layer 18.例文帳に追加
アンドープAlGaAs抵抗層17とp型AlGaAs層18との間に、エッチングストップ層が設けられている。 - 特許庁
A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.例文帳に追加
p型コンタクト層111はp型クラッド層110の上方に形成される。 - 特許庁
When the mass of the ion conductive substance is made I (mg) and the mass of the positive electrode layer 5 is made P (mg), 0.05P<I<10P is satisfied.例文帳に追加
このイオン伝導性物質の質量をI(mg)、正極層5の質量をP(mg)としたとき、0.05P<I<10Pを満たす。 - 特許庁
To ensure smooth conveyance of a substrate P and secure quality of the substrate P.例文帳に追加
基板Pの円滑な搬送を保証しかつ基板Pの品質を確保すること。 - 特許庁
A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加
p型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをp型半導体で埋める。 - 特許庁
P-type electrode materials are formed on the top face of the p-type contact layer 1.例文帳に追加
P型コンタクト層1の上面にP型電極材料が設けられている。 - 特許庁
On the other hand, a password P from the user is received and collated with the generated password P.例文帳に追加
一方、ユーザからのパスワードPを受信し、上記生成されたパスワードPと照合する。 - 特許庁
The density patch P (P1 to P8) and the belt surface before and behind the patch P are measured by the density sensor 37 (S3).例文帳に追加
濃度センサ37で濃度パッチP(P1〜P8)と前後のベルト面を測定(S3)。 - 特許庁
After the paste P is embedded in the concave 16, the front surface layer 12 including the relevant concave 16 can be peeled.例文帳に追加
ペーストPを凹部16に埋め込んだ後は、当該凹部16を有する表面層12を剥離させることができる。 - 特許庁
To reduce a computing error rate in a quantum computing technology for computing (a+b)mod p.例文帳に追加
(a+b)mod pの演算を行う量子演算技術において演算誤り率を低減させる。 - 特許庁
After the precipitate P is collected in the precipitation vessel 4, the precipitate P is discharged through a waste liquid line L40.例文帳に追加
沈殿槽4内に沈殿物Pを集めたら、廃液ラインL40から、沈殿物Pを排出する。 - 特許庁
A correlation signal is obtained through a square-sum operation of (I/P)2+(Q/P)2 by the square calculation circuit a16.例文帳に追加
二乗演算回路a16による二乗和演算(I/P)^2+(Q/P)^2により相関信号が得られる。 - 特許庁
At this time, the insulation film contains Cr and P which have a mole ratio of P/Cr=0.010 to 0.50.例文帳に追加
この時、絶縁被膜には、Cr及びPが、モル比でP/Cr=0.010〜0.50含有する。 - 特許庁
At this time, the P frame is subjected to the encoding such that the same decoding result is obtained in both the directions.例文帳に追加
このとき、Pフレームについては両方向で復号結果が同じになるような符号化を行う。 - 特許庁
That is, (1) 5<f_3/f<100, (2) n_d(n)-n_d(p)<0.2 and (3) ν(p)-ν(n)>35.例文帳に追加
(1) 5<f_3/f<100 (2) n_d(n)−n_d(p)<0.2 (3) ν(p)−ν(n)>35 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法 - 特許庁
Average value P_maxmean of the maximum cylinder pressure P_max(i) of all cylinder is calculated (step 106).例文帳に追加
全気筒の最大筒内圧P_max(i)の平均値P_maxmeanを算出する(ステップ106)。 - 特許庁
To provide compounds for inhibiting the substance P-induced liberation of histamine from mast cells.例文帳に追加
サブスタンスPによって誘導されるマスト細胞からのヒスタミン放出を阻害する化合物の提供。 - 特許庁
The p-type contact layer 102 is formed as a p-type layer by introducing carbon as an impurity.例文帳に追加
また、p型コンタクト層102は、炭素を不純物として導入することでp型とされている。 - 特許庁
A P-type impurity region 13b is formed simultaneously with a P-type well 13.例文帳に追加
まず、P型不純物領域13bを、P型ウェル13と同時に形成する。 - 特許庁
The p-side metallic protection film covers a surface and a side surface of the p-side contact electrode.例文帳に追加
p側金属保護膜は、p側コンタクト電極の表面及び側面を覆っている。 - 特許庁
P-TYPE DIFFUSION LAYER FORMING COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
A P type diffusion layer 6 is formed to be coupled with the P type buried diffusion layer 5.例文帳に追加
P型の拡散層6が、P型の埋込拡散層5と連結するように形成されている。 - 特許庁
Magnetic metal catalyst particles P are stuck to the each magnetic filter and the particles P stand together in large numbers.例文帳に追加
各磁性フィルタには磁性金属触媒粒子Pが付着して林立している。 - 特許庁
In the p support substrate 1 located below the NFET5, a p well diffusion region 8 is formed.例文帳に追加
NFET5の下方に位置するp支持基板1内には、pウェル拡散領域8が形成されている。 - 特許庁
A p-SiOC film 22 is formed and a cap film 23 is formed on the p-SiOC film 22.例文帳に追加
次に、p−SiOC膜22を形成し、p−SiOC膜22上にキャップ膜23を形成する。 - 特許庁
Furthermore, an absolute value of the resistance R_P is greater than that of the negative resistance R_L.例文帳に追加
また、抵抗R_Pの絶対値は、負性抵抗R_Lの絶対値よりも大きい。 - 特許庁
A paper feeding roller 3 feeds paper P to a recording part keeping the paper P in contact with its roller surface.例文帳に追加
給紙ローラ3は,用紙Pをそのローラ面に接触させて記録部に給送する。 - 特許庁
A p diffusion region 6 is formed while ranging over one end of the p^- diffusion region 5.例文帳に追加
このp^-拡散領域5の一方の端部に連なるようにp拡散領域6が形成される。 - 特許庁
A p-electrode 5 is made in close contact on the p-GaN layer 4, making ohmic contact.例文帳に追加
p−GaN層4上にp電極5が密着して形成されオーミック接触している。 - 特許庁
P^+ contact in the P well can be connected with a reset voltage source and a pixel is reset.例文帳に追加
Pウェル中のP^+コンタクトはリセット電圧源に接続でき、これにより画素をリセットする。 - 特許庁
The separation region 3 is formed by connecting a p-type embedded diffusion layer with the p-type diffusion layer.例文帳に追加
分離領域3は、P型の埋込拡散層とP型の拡散層とが連結して形成されている。 - 特許庁
A communication clock time determination unit 12c randomly determines communication clock time for each communication permission band p.例文帳に追加
通信時刻決定部12cは、通信許可帯pごとに通信時刻をランダムに決定する。 - 特許庁
A plurality of p-type rings 124a to 124e are formed around a p-base region 13a.例文帳に追加
pベース領域13aの周りには複数のp型リング124a〜124eが形成されている。 - 特許庁
The p+ collector layers 16 and p+ emitter layers 17 are arranged alternately in the X direction.例文帳に追加
p^+コレクタ層16及びp^+エミッタ層17は、X方向に交互に配置される。 - 特許庁
As the exchanger P, a shell and tube type heat exchanger P using sea water as a cooling water is used.例文帳に追加
熱交換器Pは、海水を冷却水として使用するシェルアンドチューブ型熱交換器Pとする。 - 特許庁
A P-well 5 common to a peripheral NMOS Tr 52 region is formed in the memory cell Tr 50 region.例文帳に追加
メモリセルTr50領域には、周辺NMOSTr52領域と共通のPウェル5が形成されている。 - 特許庁
The retroreflector 106 is moved to each measuring position p_i to detect the position coordinate information of the measuring position p_i.例文帳に追加
再帰反射体106を各測定位置p_iに移動させて、その位置座標情報を検出する。 - 特許庁
The screens S 1 to S 9 of projection objects are allocated to the respective projectors P 1 to P 3.例文帳に追加
各プロジェクタP1〜P3には投影対象のスクリーンS1〜S9が割り当てられている。 - 特許庁
An arithmetic part 1 sets n pieces of replacement information P (1) to P (n) to a replacement data storage part 13.例文帳に追加
演算部1は、n個の入替情報P(1)〜P(n)を入替用データ記憶部13に設定する。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type poly-Si:H, the n layer 5 consists of n-type poly-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型poly−Si:Hからなり、n層5は、n型poly−Si:Hからなる。 - 特許庁
The p layer 3 consists of p-type a-Si:H, the n layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
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