pを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 40752件
After that, damage and silicon doped into a p-type are removed by etching a PE mode.例文帳に追加
その後、PEモードのエッチングにてダメージやp型にドーピングされたシリコンを除去する。 - 特許庁
The P^-- diffusion region 52 is depleted before the P diffusion region 51 upon OFF of the gate voltage.例文帳に追加
P^--拡散領域52は,ゲート電圧のオフ時に,P拡散領域51よりも先に空乏化される。 - 特許庁
An influence of local luminance spots of the projected picture P upon luminance spot values of the projected picture P.例文帳に追加
投影画面Pの局所的な輝度斑の投影画面Pの輝度斑値への影響を軽減する。 - 特許庁
A p-side electrode 17 is in contact with a p-type diffused region 15 in the opening 19a.例文帳に追加
p側電極17は開口部19aにおいてp型拡散領域15にコンタクトしている。 - 特許庁
In the magnetic sensor part 2, magnetic field intensity information formed near a buried pipe P is obtained.例文帳に追加
磁気センサ部(2) においては、埋設管(P) の近傍に形成される磁界強度情報を得る。 - 特許庁
P is set as an initial value Q[0] and 2×P is set as an initial value of Q[1] (Fig. 2, S1).例文帳に追加
Q[0]の初期値としてP、Q[1]の初期値として2×Pを設定する(図2,S1)。 - 特許庁
When P picture is detected in ST1, the signal quantity Kp of the P picture is calculated in ST2.例文帳に追加
ST1で、Pピクチャを検出したときにはST2で、このPピクチャの信号量Kpを算出する。 - 特許庁
To certainly clean the flat surface P of a work W having the flat surface P and a stepped part S.例文帳に追加
平坦面Pと段部Sを有するワークWのうち、平坦面Pを確実に清掃すること。 - 特許庁
I_boost is preferably maintained proportional to the difference of the desired value and I_p or I_m.例文帳に追加
I_boostは好ましくは所望値およびI_pまたはI_mの差に比例するよう維持される。 - 特許庁
An air flow rate measured value AFM and an intercooler pressure measured value P_ic for the engine in normal state are obtained.例文帳に追加
エンジンが定常状態のときの空気流量測定値AFMとインタークーラ圧測定値P_icとを得る。 - 特許庁
A p-type electrode 46 is electrically connected to the p-type GaN contact layer 36.例文帳に追加
p型電極46がp型GaNコンタクト層36に電気的に接続されている。 - 特許庁
The optical amplifier uses an excitation light P_i to amplify a signal light (P_s).例文帳に追加
本発明の光増幅器は、信号光(P_S)を、励起光P_iを用いて増幅する光増幅器である。 - 特許庁
An amount of radiation in the environment is measured with the cylindrical probe P or the radiation measurement device.例文帳に追加
筒状のプローブP又は放射線測定器で環境中の放射線量を測定する。 - 特許庁
The surface roughness R_P-V at the recessed and projected surface is favorably 0.01-50 μm.例文帳に追加
ここで、凹凸表面における表面粗さR_P-Vは0.01μm〜50μmであることが好ましい。 - 特許庁
This toilet bowl 1 is formed by assembling the plurality of toilet bowl forming components P, P, etc.例文帳に追加
複数の便器形成部品P、P…を組み立てて形成される便器1に関する。 - 特許庁
While the insulating film 22 is used as a mask, the p-InxGa1-xAs contact layer 21 and the p-Inx3(Alz3Ga1-z3)1-x3P clad layer 20 are removed.例文帳に追加
この絶縁膜22をマスクとし、p-In_xGa_1-xAsコンタクト層21、p-In_x3(Al_z3Ga_1-z3)_1-x3Pクラッド層20を除去する。 - 特許庁
A nipping and holding position for the sheet P is set in accordance with width of the sheet P.例文帳に追加
シートPの幅寸法に応じてシートPに対する狭持位置が設定される。 - 特許庁
The pocket part P is formed thereby, and a water-keeping body 4 is accommodated inside the pocket part P.例文帳に追加
これにより、ポケット部Pが形成され、ポケット部Pの内部には保水体4が収容されている。 - 特許庁
A p-side electrode 71 is provided on the damage recovery surface 61 of the p-side contact layer 21.例文帳に追加
p側コンタクト層21のダメージ回復面61に、p側電極71が設けられている。 - 特許庁
A P-type material is a disc-shaped liquid crystal material for forming columns 5 on a P-type surface layer 7.例文帳に追加
p型物質は、コラム5をp型表面層7上に形成する円盤状液晶物質である。 - 特許庁
COMPOSITION FOR FORMING P-TYPE DIFFUSION LAYER, METHOD OF PRODUCING P-TYPE DIFFUSION LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL ELEMENT例文帳に追加
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法 - 特許庁
Potential of the node P is reduced at this time until it becomes equal to the one of the node A, and the node P changes to L level.例文帳に追加
このとき、ノードPの電位はノードAと等しくなるまで引き下げられ、Lレベルへ遷移する。 - 特許庁
A time T_L and a temperature P_L recorded last time in record are acquired in the second step.例文帳に追加
第2ステップでは、記録されている前回記録時刻T_Lおよび前回記録温度P_Lを取得する。 - 特許庁
A resist layer R is formed on a film P to be processed, the film P being formed of a polycrystalline silicon film.例文帳に追加
多結晶シリコン膜からなる被加工膜P上にレジスト層Rを形成する。 - 特許庁
A P-type active guard region 16 is formed surrounding these P-type base regions 14.例文帳に追加
これらp型ベース領域14を囲むようにp型アクティブガード領域16が形成されている。 - 特許庁
Even if the paper P is repeatedly used, the rim of the paper P is prevented from becoming thinner.例文帳に追加
用紙Pのリユースを繰り返しても、用紙Pの周縁が薄くされるのを防止する。 - 特許庁
There is disclosed a method for decomposing 2,3,7,8-tetrachlorinated dibenzo-p-dioxin which is featured by using a microorganism, Janibacter terrae YY-1.例文帳に追加
微生物Janibacter terrae YY-1を用いることを特徴とする、2,3,7,8-四塩素化ジベンゾ-p-ジオキシンを分解する方法。 - 特許庁
To provide a method for decomposing 2,3,7,8-tetrachlorinated dibenzo-p-dioxin in higher level than that of conventional way.例文帳に追加
2,3,7,8-四塩素化ジベンゾ-p-ジオキシンを従来よりも高いレベルで分解できる方法を提供する。 - 特許庁
The electrophoresis panel 10 comprises a plurality of pixels P and a driving section 40 for driving each pixel P.例文帳に追加
電気泳動パネル10は、複数の画素Pと、各画素Pを駆動する駆動部40とを備える。 - 特許庁
Finally, the p electrode 8 is formed on the part with the first p-clad layer 5 exposed therefrom.例文帳に追加
最後に、第1pクラッド層5の露出した部分に、p電極8を形成する。 - 特許庁
A left side origin P_R and a left side origin P_L are disposed on an array oscillator 10.例文帳に追加
アレイ振動子10上には、右側原点P_Rと左側原点P_Lが設けられている。 - 特許庁
A p-electrode is connected to the p-type clad layer through the opening 26 of the insulation film 24.例文帳に追加
p電極は、絶縁膜24の開口26を介してp型クラッド層に接続されている。 - 特許庁
The determination unit has a single transmission port P_T and a single reception port P_R.例文帳に追加
判定部は、単一の送信ポートP_Tと単一の受信ポートP_Rとを有する。 - 特許庁
A p-side electrode 15 is formed on a surface of the p-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the light emitting layer 12.例文帳に追加
p型半導体層11の発光層12と反対側の面にp側電極15を形成する。 - 特許庁
Thus, a pattern drawn on the reticle R is projected to the substrate P to expose the substrate P.例文帳に追加
これにより、レクチルRに描かれたパターンを基板Pへ投影し、基板Pを露光する。 - 特許庁
To achieve high performance of an oxide film as a p-type conductive film and a p-type transparent conductive film.例文帳に追加
p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。 - 特許庁
In this case, the potential of the node P is reduced down to that of the node (A), and the node P enters L level.例文帳に追加
このとき、ノードPの電位はノードAと等しくなるまで引き下げられ、Lレベルへ遷移する。 - 特許庁
An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加
集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ(fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁
The p-type deep well region 5a is adjacent to at least the p-type well region 2.例文帳に追加
p型深ウェル領域5aは、少なくともp型ウェル領域2と接している。 - 特許庁
To provide layer structures used in n-channel and p-type channel transistors.例文帳に追加
nチャネルおよびp型チャネルトランジスタに用いられる層構造を提供する。 - 特許庁
Time of expanding, the occupant P from four directions.例文帳に追加
そして、エアバッグ3は、膨張時、乗員Pを四方から囲うように構成されている。 - 特許庁
A part of a recording medium P is destaticized, and the destaticized recording medium P is supported by a stage 10.例文帳に追加
記録媒体Pの一部を除電し、除電された記録媒体Pをステージ10で支持するようにした。 - 特許庁
A planar distribution shape H of targets P is calculated based on information of detected targets P.例文帳に追加
検出された物標Pの情報に基づいて、物標Pの平面分布形状Hを算出する。 - 特許庁
Thus, the generation of the rumples on the recording paper P is prevented when the recording paper P passes through the nip part.例文帳に追加
これにより記録紙Pがニップ部を通過するときにしわが発生するのを防ぐことができる。 - 特許庁
A P+ layer 103 is formed in a position facing the outer circular part of the P+ layer 102 in a second face.例文帳に追加
また、第2の面におけるP^+層102の外環部と対向する位置にもP^+層103を形成する。 - 特許庁
The p-type body region 50a is electrically connected to a p-type base region 220.例文帳に追加
p型ボディ領域50aと、p型ベース領域220とは、電気的に接続されている。 - 特許庁
The (p) layer 3 consists of p-type a-Si:H, the (n) layer 5 consists of n-type a-Si:H.例文帳に追加
p層3は、p型a−Si:Hからなり、n層5は、n型a−Si:Hからなる。 - 特許庁
To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer.例文帳に追加
P^+型埋め込み拡散層におけるP型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁
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