「p」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Here, the power p(i) is selected advantageously by applying a bit error rate minimization standard.例文帳に追加

累乗p(i)は、ビット誤り率最小化基準を適用することにより選ばれることが有利である。 - 特許庁

An MB_P selection circuit 61 selects a macro block pair p to be processed.例文帳に追加

ＭＢ＿Ｐ選択回路６１が、処理対象となるマクロブロックペアｐを選択する。 - 特許庁

To equalize a P+ electrode and an emitter electrode in potential, and to prevent breakdown of the P+ electrode.例文帳に追加

Ｐ^+電極とエミッタ電極を同電位とし、Ｐ^+電極の破壊を防止する。 - 特許庁

A P side IGBT 2a is bonded to the surface of the P side collector electrode board 4.例文帳に追加

Ｐ側ＩＧＢＴ２ａがＰ側コレクタ電極板４の表面にダイボンディングされている。 - 特許庁

The first magnetic film 11 contains at least one element selected out of C, P, As, Sn, Sb, Te, and Pb.例文帳に追加

第一の磁性膜１１は、C,P,As,Sn,Sb,Te,Pbの中から選択される少なくとも一つの元素を含む。 - 特許庁

An IGBT 10 comprises a P type collector region 11 containing P type impurity such as boron.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０は、ボロン等のＰ型不純物を含むＰ型コレクタ領域１１を備える。 - 特許庁

Therefore, when the conveying pallet P strikes against a protecting plate 4b, the conveying pallet P is stopped.例文帳に追加

従って、搬送パレットＰが保護板４ｂに当たると搬送パレットＰは停止させられる。 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

The sum total support amt. of silver, phosphorus and iron is pref. 5.0 wt.%≤Ag+P+Fe≤12.0 wt.%.例文帳に追加

また、銀、リンおよび鉄の合計担持量が5.0 重量％≦Ag＋P ＋Fe≦12.0重量％であるのが好ましい。 - 特許庁

The source 13s is composed of a P^- layer and a P^+ layer mutually adjacently contacting.例文帳に追加

ソース１３ｓは互いに隣接して接触されたＰ^−層とＰ^＋層から構成されている。 - 特許庁

The structure of the crystal of La_lX_m(AO_4)_6-n(ZO_4)_nO_p belongs to appatite-type structure.例文帳に追加

このＬａ_lＸ_m（ＡＯ_4）_6-n（ＺＯ_4）_nＯ_pの結晶の構造は、アパタイト型構造に属する。 - 特許庁

A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.例文帳に追加

太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁

By adding P and S to Pt and Pd, respectively, a PtP catalyst and a PdS catalyst having a grain diameter of less than 5 nm are obtained.例文帳に追加

PtにP、PdにSを添加して粒径5nm未満のPtP触媒およびPdS触媒を得る。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

During catalyst warm-up, cylinder inner pressure P and a crank angle θ are obtained (step 110).例文帳に追加

触媒暖機中に、筒内圧P、クランク角θを取得する（ステップ１１０）。 - 特許庁

Also, the apex intervals P of the microlenses adjacent with each other satisfy the expression of 0.4L≤P≤1.6L.例文帳に追加

また、相互に隣接するマイクロレンズの頂点間隔Ｐが、０．４Ｌ≦Ｐ≦１．６Ｌを満たすようにする。 - 特許庁

An impact applying part 121 abuts on the sheet P and applies the impact to the sheet P from the outside.例文帳に追加

衝撃印加部１２１は、シート材Ｐに接触し、このシート材Ｐにその外部から衝撃を加える。 - 特許庁

In one aspect, a weighted projective point P on an elliptic curve, P having coordinates (x, y, z) is identified.例文帳に追加

一態様では、座標が（ｘ，ｙ，ｚ）である、楕円曲線上の重み付け射影点Ｐが特定される。 - 特許庁

A P-electrode 4 is formed on a prescribed region of the P-contact layer 18.例文帳に追加

ｐ−コンタクト層１８の所定領域上にはｐ電極４が形成されている。 - 特許庁

An embedded n-type layer B-N is disposed as an intermediate layer on a p-type semiconductor substrate P-sub.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板Ｐ-subに中間層として埋め込みＮ型層Ｂ-Nが配設されている。 - 特許庁

Further, in the injecting hydrogen quantity into the blast furnace, the quantity supplied as H_2O from a tuyere is made to 1.5-7.6 kg/t-p.例文帳に追加

また、高炉への投入水素量のうち、羽口からH_2Oとして供給される量を1.5乃至7.6kg/t-pとする。 - 特許庁

A P side SiC diode 1a is arranged on the P side connecting electric conductor 7a.例文帳に追加

Ｐ側ＳｉＣダイオード１ａが、そのＰ側接続導電体７ａ上に配設されている。 - 特許庁

An insulating layer 222 is provided between the p-type electrode 230 and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型電極２３０とｐ型半導体層の間に絶縁層２２２が設けられている。 - 特許庁

A p^+ contact region 6 is formed on the surface layer of a p-type silicon carbide epitaxial layer 3.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素エピタキシャル層３の表面層に、ｐ^+コンタクト領域６を形成する。 - 特許庁

The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 - 特許庁

The p-side electrode 17p is formed on the surface of the p-type region 10ap.例文帳に追加

ｐ側電極１７ｐは、ｐ型領域１０ａｐの表面の上に形成されている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 201 and a p-type semiconductor layer 202 are provided on a silicon substrate 200.例文帳に追加

シリコン基板２００上に、Ｐ型拡散層２０１とＰ型半導体層２０２を備える。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF P-DOPED SILICON SINGLE CRYSTAL AND P-DOPED N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER例文帳に追加

Ｐドープシリコン単結晶の製造方法及びＰドープＮ型シリコン単結晶ウェーハ - 特許庁

The impurity concentration of the p-type connection layer 13B is smaller than that of the p-type embedded layer 13A.例文帳に追加

ｐ−型接続層１３Ｂの不純物濃度はｐ型埋め込み層１３Ａのそれより小さい。 - 特許庁

In this manufacture, a p- epitaxial layer 3a is formed on the main surface of a p+ silicon substrate 1a.例文帳に追加

ｐ^+ シリコン基板１ａの主表面上にｐ^- エピタキシャル層３ａを形成する。 - 特許庁

A p-type contact electrode 5 is formed on the surface of the p-type silicon carbide region 4.例文帳に追加

ｐ型炭化ケイ素領域４の表面にｐ型コンタクト電極５が形成されている。 - 特許庁

The p-side barrier layer is provided between the well layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側障壁層は、井戸層とｐ形半導体層との間に設けられる。 - 特許庁

The refractive index (n_P) of the inorganic oxide particles is in the range of 1.20 to 2.50.例文帳に追加

前記無機酸化物粒子の屈折率（ｎ_P）が１．２０〜２．５０の範囲にある。 - 特許庁

A height of the confluence P is, favorably, set to be lower than that the drain outlet la and 2a of the turning motors 1 and 2.例文帳に追加

また合流点(P) の高さを二つの旋回モータ(1,2) のドレン出口(1a,2a) よりも低くした方が良い。 - 特許庁

To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加

Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁

Each memory cell 110 includes the storage element P and a selector S for selecting the storage element P.例文帳に追加

各メモリセル１１０は記憶素子Ｐと、記憶素子Ｐを選択するセレクタＳとを有する。 - 特許庁

A test patch P is formed by using a chromatic toner and the density of the patch P is read by a color sensor.例文帳に追加

有色トナーによるテストパッチＰを形成し、このパッチＰの濃度をカラーセンサで読み取る。 - 特許庁

The p-type organic layer forms an NP junction between the n-type organic layer and the p-type organic layer.例文帳に追加

ｐ型有機物層は、ｎ型有機物層とｐ型有機物層との間でＮＰ接合を形成する。 - 特許庁

Paper P passes the inside of the transfer nip N and a toner picture is transferred on the paper P at that time.例文帳に追加

用紙Ｐは転写ニップＮ中を通過し、このとき用紙Ｐにはトナー画像が転写される。 - 特許庁

The gate electrodes 15 and 25 are constituted of p-type SiGe or p-type Ge.例文帳に追加

ゲート電極１５，２５はｐ型ＳｉＧｅまたはｐ型Ｇｅにより構成されている。 - 特許庁

This connector 1 connects the pipe P by inserting the pipe P into its connection hole.例文帳に追加

コネクタ１はその接続孔に配管Ｐを挿入することにより配管Ｐを接続する。 - 特許庁

A composite film consists of titanium oxide and a P-type semiconductor and has photocatalytic activity.例文帳に追加

酸化チタン及びp型半導体からなり、光触媒活性を有する複合膜。 - 特許庁

A peak/hold part 41 detects and retains a peak voltage Vout-p of the voltage Vout.例文帳に追加

ピークホールド部４１は、電圧Ｖout のピーク電圧Ｖout-p を検出して保持する。 - 特許庁

The spherical photonic crystal (PC) is characterized in that monodisperse particulates (P) are stuck each other.例文帳に追加

本発明の球状フォトニック結晶（PC）は、単分散微粒子（P）同士が固着したことを特徴とする。 - 特許庁