「p」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The mantissa part is a function periodical at a period P (P is a constant), the exponent part includes a structure of Be(QP)[i][j]=Be+QP/P by the constant P and the constant Be, and the value of the inverse quantization parameter is doubled in each period P.例文帳に追加

仮数部は周期Ｐ（Ｐは定数）で周期的な関数であり、指数部は、定数Ｐと定数ＢｅによりＢｅ（ＱＰ）［ｉ］［ｊ］＝Ｂｅ＋ＱＰ／Ｐなる構造を有し、逆量子化パラメータは周期Ｐ毎に値が二倍となる。 - 特許庁

When a magnetic pole slot teeth width is taken as B, a slot pitch as P, a slot pitch as P, and a teeth root portion height as H, H/P = 0.08 to 0.12 and S/P = 0.01 to 0.03 in the range of B/P = 0.5 to 0.7.例文帳に追加

また、磁極スロットティース幅をＢ、スロットピッチをＰ、ティース付根部高さをＨとした時、Ｂ／Ｐ＝０．５〜０．７の範囲のもので、Ｈ／Ｐ＝０．０８〜０．１２とし、Ｓ／Ｐ＝０．０１〜０．０３と設定したことを特徴とする。 - 特許庁

In the case of according to a Diffie-Hellman type key exchange system, the exchange keys α and Z of the computers 1-A, 1-C become gamod p and gzmod p, and the group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C become Zamod p, αzmod p, and become the same value as gazmod p.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇａmod ｐ，ｇｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Zａmod ｐ、αzmod ｐとなり、同一値ｇａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

In an upper layer of the P-type region 7a, a P-type doped polysilicon film 12 having an impurity concentration higher than that of the P-type region 7a and equivalent to that of the P-type region 4 is formed in contact with the P-type region 7a.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａの上層には、不純物濃度はＰ型領域７ａより高く、Ｐ型領域４と同程度のＰ型ドープトポリシリコン膜１２がＰ型領域７ａに接触して形成されている。 - 特許庁

A group of rational points of an elliptic curve is considered as G, P is considered as an origin of G, an order of G is considered as P, a private key_x is considered as Q=xP to elements of a set {1, ..., p} and (G, p, P, Q) is considered as a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A controller writes data with first to p-th (p is a natural number satisfying p<n) addresses and p-th+1 to m-th (m is a natural number satisfying p+2≤m≤n) addresses to the first and second original blocks.例文帳に追加

コントローラは、第１乃至第ｐ（ｐはｐ＜ｎを満たす自然数）アドレス、第ｐ＋１乃至第ｍ（ｍはｐ＋２≦ｍ≦ｎを満たす自然数）アドレス、を付されたデータを第１、第２オリジナルブロックにそれぞれ書き込む。 - 特許庁

A maximum value Pmax, a minimum value Pmin and a variation width ΔP of nozzle pressure are set, a charged phase is detected for a nozzle pressure P=Pmin and then an optimal charged phase is detected at that nozzle pressure P.例文帳に追加

ノズル圧力の最大値Pmaxと最小値Pminおよび、変化幅△Pを設定し、ノズル圧力P＝Pminで帯電位相の検出を行い、そのノズル圧力Pでの最適帯電位相を検出する。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。 - 特許庁

All of a p-type cap layer 6, a p-type clad layer 7, a p^--type contact layer 8, and a p^+-type contact layer 9 which consist of a crystalline nitride semiconductor, already contain a p-type dopant, and are formed in this order.例文帳に追加

予めｐ型不純物を含有する状態で、結晶性の窒化物半導体からなるｐ型キャップ層６，ｐ型クラッド層７，ｐ^-型コンタクト層８、およびｐ^+型コンタクト層９を、この順に成膜する。 - 特許庁

The determination unit determines whether the user equipment is entitled to communicate in the P-NW by determining whether the P-NW to which the serving cell belongs is the same as or different from a P-NW in which the user equipment is entitled to communicate.例文帳に追加

判定手段は、在圏セルが属するP-NWと、当該ユーザ装置による通信が許可されているP-NWとの異同を確認することで上記の許否を判定する。 - 特許庁

The control modes are set so as to be switched from the closed-loop control to the open-loop control at each mode switching position p_T, p_P between a specific position before the drive target object reaches a target stop position P_S and the target stop position P_S.例文帳に追加

これらの制御モードは、駆動対象物が目標停止位置に到達する手前の特定位置と、目標停止位置と、の間のモード切替位置において、クローズドループ制御からオープンループ制御に切り替えられる。 - 特許庁

For example, for a memory cell 3(1, p) of address 1, sources of the NMOS transistors 11(1, p), 12(1, p) of which the gates are connected to the search bus SB(p) or XBP(p) are connected to a match line ML0 of address 0.例文帳に追加

例えば、１番地のメモリセル３（１、ｐ）については、ゲートがサーチバスＳＢ（ｐ）又はＸＳＢ（ｐ）に接続されているＮＭＯＳトランジスタ１１（１、ｐ）、１２（１、ｐ）のソースを０番地のマッチラインＭＬ０に接続する。 - 特許庁

When the Diffie-Hellman type key exchange system is adopted, the exchange keys α, Z of the computers 1-A, 1-C are g^amod p, g^zmod p and group secret keys calculated by the computers 1-A, 1-C are Z^amod p, α^zmod p, so that the same value g^azmod p is obtained.例文帳に追加

Diffie-Hellman型鍵交換方式に従った場合、計算機1-A,1-Cの交換鍵α,Ｚは、ｇ^ａmod ｐ，ｇ^ｚmod ｐとなり、計算機1-A,1-Cが計算するグループ秘密鍵は、Z^ａmod ｐ、α^zmod ｐとなり、同一値ｇ^^ａｚmod ｐとなる。 - 特許庁

To provide a phosphor-balanced condition estimating method excellent in accuracy by using variables such as the phosphor concentration (Rhm-P) and the final target P (R-P-aim) in a charged molten pig iron as explanatory variables.例文帳に追加

装入溶銑中のりん濃度 (Rhm-P)、終点目標Ｐ (R-P-aim)などの変数を説明変数として用いて、精度のよいりん平衡状態の推定方法を提供する。 - 特許庁

The p-electrode 6 is formed of such a material that cannot form ohmic junction between the p-type layer 4 and itself, so that a current does not flow from the p-electrode 6 to a part with which the p-electrode 6 of the p-type layer 4 is in direct contact.例文帳に追加

ｐ電極６は、ｐ型層４との間にオーミック接合が得られない材料で形成されており、ｐ型層４のｐ電極６が直接に接触している部分には、ｐ電極６から電流が流れない。 - 特許庁

(x) N,N'-Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

十　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

(vii) N,N'- Ditolyl-p-phenylenediamine, N-tolyl-N'-xylyl-p-phenylenediamine, or N,N'-dixylyl-p-phenylenediamine 例文帳に追加

七　Ｎ・Ｎ′—ジトリル—パラ—フェニレンジアミン、Ｎ—トリル—Ｎ′—キシリル—パラ—フェニレンジアミン又はＮ・Ｎ′—ジキシリル—パラ—フェニレンジアミン - 日本法令外国語訳データベースシステム

getsid(p) returns the session ID of the process with process ID p . (The session ID of a process is the process group ID of the session leader. 例文帳に追加

getsid(p)はプロセス IDp を持つプロセスのセッション ID を返す(プロセスのセッション ID は セッションリーダーのプロセスグループ ID である)。 - JM

Return the size of the tuple p, which must be non-NULL and point to a tuple; no error checking is performed.例文帳に追加

タプル p のサイズを返しますが、p は非 NULL でなくてはならず、タプルオブジェクトを指していなければなりません;エラーチェックを行いません。 - Python

Asakusa nori (P. tenera),' 'Susabi nori (P. yezoensis),' 'Uppurui nori (P. pseudolinearis)' and so on are in this group; they're also called 'i-nori (rock nori)' and are processed into 'ita nori' (which is dried nori but not toasted). 例文帳に追加

岩海苔（いのり）とも呼ばれ、板海苔に加工される、アサクサノリ、スサビノリ(P.yezoensis)、ウップルイノリ(P.pseudolinearis)など。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

AMINOPEPTIDASE P, AMINOPEPTIDASE P GENE, RECOMBINANT DNA AND METHOD FOR PRODUCING AMINOPEPTIDASE P例文帳に追加

アミノペプチダーゼＰ、アミノペプチダーゼＰ遺伝子、組み換え体ＤＮＡ及びアミノペプチダーゼＰの製造法 - 特許庁

Each pixel P_n, m includes at least one first sub-pixel P_n, m (1) and a second sub-pixel P_n, m (2), which respectively includes sub-pixel electrodes.例文帳に追加

各画素Ｐ_n,mは、副画素電極をそれぞれ有する第１の副画素Ｐ_n,m（１）および第２の副画素Ｐ_n,m（２）を少なくとも含む。 - 特許庁

An N electrode NT is formed on a part where the N-type gallium nitride layer N is exposed, and a P electrode PT is formed on the P-type gallium nitride layer P.例文帳に追加

そしてこのｎ型窒化ガリウム層Ｎが露出した部位にｎ電極ＮＴを、ｐ型窒化ガリウム層Ｐ上にｐ電極ＰＴを形成する。 - 特許庁

One of five harmonic overtone signals is formed by repeating the fundamental tone signal p times for every p samples (p is an integer of 2 or above) thereof.例文帳に追加

この基音信号を、そのｐサンプル（ｐは２以上の整数）ごとにｐ回繰り返して５つの倍音信号の１つを形成する。 - 特許庁

A P+ type layer 3 is the P+ type diffusion layer formed by ion-implanting P-type impurities from a main surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

Ｐ＋型層４は、半導体層３の主表面からＰ型の不純物をイオン注入することで形成したＰ＋型の拡散層である。 - 特許庁

The p-type gallium nitride-based semiconductor layer 37 includes, for example, a p-type AlGAn electron block layer and a p-type GaN contact layer.例文帳に追加

ｐ型窒化ガリウム系半導体層３７は、例えばｐ型ＡｌＧＡｎ電子ブロック層及びｐ型ＧａＮコンタクト層を含む。 - 特許庁

The p-type window layer 8 is made of a conductive p-type GaP transmitting an infrared ray and doped with zinc as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ウインドウ層８は、赤外線を透過でき、ｐ型のドーパントとして亜鉛がドープされた導電性のｐ型ＧａＰからなる。 - 特許庁

Determination vector P_n-1P_n from a previous plot point P_n-1 toward present plot point P_n is calculated.例文帳に追加

前回のプロット点Ｐ_ｎ−１から今回のプロット点Ｐ_ｎに向かう判定ベクトルＰ_ｎ−１Ｐ_ｎを算出する。 - 特許庁

P-side control electrodes 21A and 21B are provided independent of the p-side main electrode 21 on both sides in widthwise direction of the p-side main electrode 21.例文帳に追加

ｐ側主電極２１の幅方向両側には、ｐ側主電極２１とは独立してｐ側制御電極２１Ａ，２１Ｂが設けられている。 - 特許庁

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING COMPOSITION, P-TYPE OXIDE MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE AND SYSTEM例文帳に追加

ｐ型酸化物、ｐ型酸化物製造用組成物、ｐ型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム - 特許庁

When the stringing part PS is cut, the cut part PI on the side of the paste P remains on the paste P to be absorbed by the paste P.例文帳に追加

糸引き部ＰＳが切れると、ペーストＰ側のその切れた部分ＰＩはペーストＰ上に残り、ペーストＰに吸収されていく。 - 特許庁

To detect P waves that are the initial P primary longitudinal waves of an earthquake and S waves that are lateral vibration that is transmitted while being delayed from the P waves by one apparatus.例文帳に追加

一つの装置によって地震の初期の縦波であるＰ波と、このＰ波に遅れて伝達される横揺れであるＳ波とを検出する。 - 特許庁

A frame group of the compression coded image signals includes a single key frame K, a frame P-GOB and a frame P succeeding to the key frame K.例文帳に追加

圧縮符号化画像信号の１フレーム群の中には、単一のキーフレームＫ、並びにこれに後続するフレームP-GOBおよびフレームＰが含まれる。 - 特許庁

The M types of reference signals (P#1-P#4) in the first resource block are transmitted from the physical antennas (#1, #3, #5, #7) in the first group.例文帳に追加

第１のリソースブロック中のM種類のリファレンス信号(P#1〜P#4)は、第１グループの物理アンテナ(#1，#3，#5，#7)から送信される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device being capable of reducing a contact resistance between a p-type contact layer and a p-type electrode and having the p-type electrode.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層とＰ型電極との間のコンタクト抵抗を低減し得るＰ型電極を有する窒化物半導体装置を提供する。 - 特許庁

A stripe-shaped P-side electrode 15 is formed on a P-type contact layer contained in the uppermost layer of the P-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｐ型半導体層１４の最上層に含まれるｐ型コンタクト層の上には、ストライプ状のｐ側電極１５が形成されている。 - 特許庁

The user inputs numbers of pages to be processed in the respective processing modes to the respective page number input boxes P(C), P(G), P(M).例文帳に追加

ユーザは各ページ番号入力ボックスＰ（Ｃ），Ｐ（Ｇ），Ｐ（Ｍ）に、各処理モードによって処理させたいページの番号を入力する。 - 特許庁

Parts other than the key GOB of each frame P-GOB and each frame P are inter-frame compression coded by referencing the key frame K.例文帳に追加

各フレームP-GOBのキーＧＯＢ以外の部分、および各フレームＰは、キーフレームＫを参照してフレーム間圧縮符号化される。 - 特許庁

The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加

短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁

Parts other than the key GOB of each frame P-GOB and each frame P are inter-frame compression coded by referencing the key frame K.例文帳に追加

各フレームP-GOBのキーＧＯＢ以外の部分、および各フレームＰは、キーフレームＫを参照してフレーム間あっ週符号化される。 - 特許庁

The P-type semiconductor region 14 is formed simultaneously with the formation of a p^- impurity region and a p^+ impurity region of another transistor.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域１４は、他のトランジスタのｐ-不純物領域およびｐ+不純物領域を形成する際に同時に形成されている。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

ｐ型炭化珪素基板１１またはｐ型炭化珪素バッファ層１２を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The partial lens 12_2 in a range from P_L' to P_L within the minimum period P_L is equivalent to a solid line in Figure (b).例文帳に追加

最小周期Ｐ_Ｌ内のＰ_Ｌ'〜Ｐ_Ｌの範囲にある部分レンズ１２_２は図（ｂ）中の実線部分に相当する。 - 特許庁