「p」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The page 'P' having moved to the reverse side is rewritten with a page 'P+2X'.例文帳に追加

一方、裏側に移動した「Ｐ」ページは「Ｐ＋２Ｘ」ページに書き替えられる。 - 特許庁

This key generating method decides (p) with which y2=x3+1 (mod p) becomes safe.例文帳に追加

ｙ^2 ≡ｘ^3 ＋１（ｍｏｄ ｐ）が安全となるｐを決定する。 - 特許庁

Wherein, [7] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

A code block 509 assembles PD and β (p) into a code block representing voice.例文帳に追加

符号ブロック509は、PDとSとβ(p)を音声を表す符号ブロックとする。 - 特許庁

In this case, the formula (1) is P=0.19×P_total×ΔT/(D/2)-4.2.例文帳に追加

Ｐ＝０．１９×Ｐ_ｔｏｔａｌ×ΔＴ／（Ｄ／２）−４．２ …（１） - 特許庁

Wherein, [] is the component in the welding material and []p is the component in a steel plate.例文帳に追加

尚、〔〕：溶接材料中の成分、〔〕_p：鋼板中の成分を示す。 - 特許庁

Feature points which are present in both of the present image P(ts), which has been photographed by the endoscope 10 at the present point ts, and a reference image P(tb), which is one of the two or more images constituting the background image B, are detected in each of the present image P(ts) and the reference image P(tb).例文帳に追加

内視鏡10により現時点tsで撮影された現在画像P(ts)と、背景画像Bを構成する２以上の画像のうち１つである基準画像P(tb)の両方に存在する特徴点を、現在画像P(ts)および基準画像P(tb)のそれぞれにおいて検出する。 - 特許庁

A second P-well area 55b is formed on the semiconductor substrate 11 so as to surround the first P-well area 55a.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aを囲んで第2Pウェル領域55bを有する。 - 特許庁

N-type diffusion areas 53 are formed on the P-well area 21.例文帳に追加

P-型ウェル領域21の上層にはN型拡散領域53が設けられている。 - 特許庁

The p-well 4B and the p-well 4A are formed at the same time.例文帳に追加

Ｐウエル４ＢはＰウエル４Ａと同時に形成される。 - 特許庁

Since the upper face of a p-AlInAs clad layer 7 is directly covered by a p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the p-AlInAs clad layer 7 is not exposed to atmospheric air during processing, therefore no reliability problem due to oxidation of the p-AlInAs clad layer 7 occurs.例文帳に追加

p-AlInAsクラッド層７の直上はp-InGaAsPエッチングストッパ層８に覆われているため、p-AlInAsクラッド層７がプロセス途中で大気中に露出することがないので、p-AlInAsクラッド層７の酸化に起因する信頼性の問題は発生しない。 - 特許庁

The imaging processing of the first CPU 101 is executed at each imaging interval P.例文帳に追加

第１ＣＰＵ101の画像処理は撮像間隔P毎に実行される。 - 特許庁

The position signal P of the light beam is detected on the sample 10.例文帳に追加

標本10の上で光ビームの位置信号Pも検知される。 - 特許庁

The following structures are the two major types of P-to-P file sharing: 例文帳に追加

Ｐ２Ｐファイル交換の仕組みには、大きく分けて二種類ある。 - 経済産業省

It is said that each of the letters P nowadays refers to the following.例文帳に追加

今日では、それぞれのPは次のようなことを指すとされている。 - 経済産業省

(p) DISCLOSURES RELATING TO CONFLICT MINERALS ORIGINATING IN THE DEMOCRATIC REPUBLIC OF THE CONGO.例文帳に追加

(p) コンゴ民主共和国を原産とする紛争鉱物に関する開示 - 経済産業省

A method comprises coating the surface of an article with a polymer comprising monomers of p-xylene and/or a ring halogenated p-xylene and/or p-fluoromethylxylene and absorbing macromolecules thereto.例文帳に追加

p-キシリレン及び／又は環ハロゲン化p-キシリレン及び／又はp-フルオロメチルキシリレンのモノマーを含むポリマーであって巨大分子を吸着し得るものを物品の表面にコーティングする方法について記載する。 - 特許庁

The messaging service 15 can relay the P to P communication between one of the client 11, 13 and one framework service 16 and P to M communication between the plurality of clients 11, 13 and the plurality of framework services 16.例文帳に追加

メッセージングサービス１５は、一クライアント１１，１３と一フレームワークサービス１６間のP to P通信の中継と、複数クライアント１１，１３と複数フレームワークサービス１６間のP to M通信の中継とが行なえる。 - 特許庁

As for waveform data W(p) of performance strength (mp) and (p), which are weaker than the waveform (mf), attack section waveform data Wa(mp) and Wa(p) which are created by similar attack waveform creation processing B and C are stored in the waveform memory.例文帳に追加

演奏強度(mf)より弱い演奏強度(mp)、(p)の波形データW(p)についても、同様のアタック波形作成処理Ｂ、Ｃを行うことによりアタック部波形データWa(mp)、Wa(p)を波形メモリに記憶する。 - 特許庁

In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.例文帳に追加

加えて、p-AlInAsクラッド層７の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層８を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層８で止めることができる。 - 特許庁

When the voltage range of the analog input signal is VIN_p-p/2, the full scale range of the sub A/D converter 9 is switched to VIN_p-p/2 and the gain of the operational amplifier circuit 11a is switched into double.例文帳に追加

アナログ入力信号の電圧レンジがＶＩＮ_p-p ／２のときに、サブＡ／Ｄコンバータ９のフルスケールレンジはＶＩＮ_p-_p ／２に切り替えられ、演算増幅回路１１ａの利得は２倍に切り替えられる。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

G is a rational point group of an elliptic curve, P is an element of G, p is the order of P, Q=xP with respect the element x of a set {1 to p} of secret keys, and (G, p, P, Q) is a public key.例文帳に追加

楕円曲線の有理点群をＧ,ＰをＧの元、Ｇの位数をＰとし、秘密鍵ｘ∈｛１,…,ｐ｝に対してＱ＝ｘＰとし、（Ｇ,ｐ,Ｐ,Ｑ）を公開鍵とする。 - 特許庁

The acceleration upper limit value is set to a value lower than a value obtained when the present vehicle speed Vo_p is lower than a present vehicle speed threshold value when the present vehicle speed Vo_p is higher than the present vehicle speed threshold value TH_p.例文帳に追加

この加速度上限値は、現在の自車速Vo_pが現在車速閾値TH_pよりも高い場合、現在の自車速Vo_pがそれよりも低い場合より低く設定される。 - 特許庁

In this method, both of the three-phase voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source and the three-phase voltages Ua-g, Ub-g, and Uc-g of the power grid are detected, and the detected voltage is converted into the two components Ud-com and Uq-com on a d-q face.例文帳に追加

本発明の方法は、補助電源の三相電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pとパワー・グリッドの三相電圧Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gの両方を検出し、検出された電圧をd-q面上の2成分Ud＿com及びUq＿comに変換する。 - 特許庁

A light-emitting device includes: an n-type layer; a p-type layer; an active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer; and a substrate having a first surface for receiving the active-region sandwiched between the n-type layer and the p-type layer.例文帳に追加

発光素子は、N型層と、P型層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層と、前記N型層と前記P型層の間に挟まれたアクティベーション層を受け入れる第1面を有する基板と、を含む。 - 特許庁

A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加

選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

A safe balance _ss is calculated on the basis of the replenishment margin frequency Ti, the generation ratio P(Ti), the money reception rate P_I, the standard deviation σ_I, the money payment rate P_O, and the standard deviation σ_O (S11).例文帳に追加

補充余裕回数Ti、発生比率P(Ti)、入金率P_I、標準偏差σ_I、出金率P_O及び標準偏差σ_Oに基づいて安全残高ssを算出する（Ｓ１１）。 - 特許庁

A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加

埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁

A P-well area 21 of which impurity concentration is lower than those of the first P-well area 55a and the second P-well area 55b is formed between the first P-well area 55a and the second P-well area 55b.例文帳に追加

第1Pウェル領域55aと第2Pウェル領域55bとの間には第1Pウェル領域55aおよび第2Pウェル領域55bよりも不純物濃度が低いP-型ウェル領域21を有する。 - 特許庁

A determining means (S3-3) sequentially detects waveform peaks (P_N-2, P_N-1, P_N and P_N+1) retrospectively on the time base and compares the detected peaks (P_N-2 to P_N+1) with a predetermined noise level range (NLR).例文帳に追加

判定手段（Ｓ３−３）は波形のピーク（Ｐ_Ｎ−２，Ｐ_Ｎ−１，Ｐ_Ｎ，Ｐ_Ｎ＋１）を前記時間軸を遡って順次検出し、かつ検出したピーク（Ｐ_Ｎ−２〜Ｐ_Ｎ＋１）を予め定められたノイズレベル範囲（ＮＬＲ）と比較する。 - 特許庁

When any data transfer is not required, the processors P(1)-P(4) move control into the block A1 and the processor P(5) moves control just after the block A1 and executes another block A2.例文帳に追加

データ転送が不要の場合、プロセッサP(1)〜P(4)はブロックA1内に制御を移し、プロセッサP(5)はブロックA1の直後に制御を移して別のブロックA2を実行する。 - 特許庁

In the expression (6), p is the number of the processors; τ(p) is a processing time when it is executed by the processors of a number p; and γ_i(p) is a processing time of a portion wherein parallel calculation is performed by the i-th processor (wherein, 1≤i≤p, and p is the number of the processors).例文帳に追加

ただし、ｐはプロセッサ数、τ（ｐ）はプロセッサ数ｐで実行したときの処理時間，γ_ｉ（ｐ）はプロセッサ数ｐでｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のプロセッサで並列計算が行なわれている部分の処理時間である。 - 特許庁

In this method, current feedback signals ia and ib and grid phase voltage input signals Ua-g, Ub-g, and Uc-g are detected so as to synchronize the auxiliary power source 10 with the power grid, by controlling the three-phase output voltages Ua-p, Ub-p, and Uc-p of the auxiliary power source 10.例文帳に追加

本発明は、補助電源10の三相出力電圧Ua＿p，Ub＿p及びUc＿pを制御してパワー・グリッドと同期させるために、電流フィードバック信号ia及びibとグリッド位相電圧入力信号Ua＿g，Ub＿g及びUc＿gを検出する。 - 特許庁

A residual lifetime M_P of the rotating machine at this point is computed based on a relationship among insulating characteristics Y_P measured at one point N_P with an elapsed time of use, an initial insulating characteristics and a limit insulating characteristics.例文帳に追加

一つの使用経過時点Ｎ_Pで測定された絶縁特性Ｙ_Pと初期絶縁特性及び限界絶縁特性との関係から回転機のこの時点における余寿命Ｍ_Pを算出する。 - 特許庁

The weather resistance of the welding material is improved by satisfying [Ni]+[Cu]+3[Mo]≥1.2% and the selective corrosion in the welded part is prevented by satisfying ([Ni]+[Cu]+3[Mo])/([Ni]p+[Cu]p+3[Mo]p)≥1.05.例文帳に追加

溶接材料の耐候性を〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕≧１．２％となるようにし向上させ、溶接部の選択腐食を(〔Ｎｉ〕＋〔Ｃｕ〕＋３〔Ｍｏ〕)／(〔Ｎｉ〕_p＋〔Ｃｕ〕_p＋３〔Ｍｏ〕_p)≧１．０５となるようにし、防止する。 - 特許庁

This method for producing p,p'-biphenol comprises debutylating a 4,4'-biphenol compound having at least one tert-butyl group in the presence of a debutylating catalyst; wherein at least one compound selected from thiosulfates, sulfites and metal borohydrides is made to act on the crude p,p'- biphenol resulted from the debutylation reaction, or made to coexist in the process of the debutylation reaction.例文帳に追加

脱ブチル触媒の存在下に、少なくとも１個以上のtert-ブチル基を有する4,4'-ビフェノール類を脱ブチル化せしめて、p,p'-ビフェノールを製造するに際して、チオ硫酸類、亜硫酸類、水素化ホウ素金属類から選ばれる少なくとも１種の化合物を、脱ブチル化反応により得られた粗p,p'-ビフェノールに作用させる又は脱ブチル化反応時に共存させることを特徴とするp,p'-ビフェノールの製造法。 - 特許庁

To manufacture and supply an LED lighting lamp (P) of panel shape in which a lighting lamp fixing frame (S) of the LED lighting lamp (P) is made a heat sink part, and heat generated from the LED lighting lamp (P) is radiated to prevent deterioration of the lifetime of an LED by the heat.例文帳に追加

本発明は、パネル状のLED照明灯(P)においてLED照明灯(P)の照明灯固定用周囲枠（S）をヒートシンク部とすることにより、LED照明灯（P）から生じる熱を放出して、前記熱によりLEDの寿命を低下させることのないLED照明（P）を製作し提供することにある。 - 特許庁

The following example will paste the system's password file into the screen window (using register p, where a copy remains): C-a : readreg p /etc/passwd C-a : paste p redisplay Redisplay the current window. 例文帳に追加

以下の例はシステムのパスワードファイルをscreenの画面にペーストしている(レジスタ p を用いている。 これはコピーが残るレジスタである): C-a : readreg p /etc/passwd C-a : paste predisplay現在のウィンドウを再描画する。 - JM

A second fitting means 8 determines α_0 and n by fitting α_p data (P_s, α_p) to an equation, α_p=α_0×P_s^n.例文帳に追加

第２フィッティング手段８にて、α_ｐデータ（Ｐ_ｓ，α_ｐ）を、式α_ｐ＝α_０×Ｐ_ｓ^ｎにフィッティングして、α_０およびｎを決定する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

In a game of the player, and an actual payment rate PP/BP is computed from the expenditure history BP and the income history PP, and the actual payment rate and a previously fixed set payment rate P/B are compared.例文帳に追加

そして、そのプレイヤーのゲームにおいて、支出履歴Ｂ_P及び収入履歴Ｐ_Pから過去の実質払出率Ｐ_P／Ｂ_Pを算出し、その実質払出率と、予め決められた設定払出率Ｐ／Ｂとを比較する。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁