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post crystallizationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
As described above, the cleansing of Solvent Red 135 in the post-manufact ge does not significantly reduce HCB concentration. It is inferred that post-reaction cleansing only removes HCB on the surface of Solvent Red 135 and that it is difficult by this process to reduce the HCB taken into the crystallization. 例文帳に追加
以上のように、製造後のソルベントレッド１３５を洗浄してもさほど効果的に低減できていないことから、反応後の洗浄では表面のＨＣＢしか除去できず、結晶中に取り込まれたＨＣＢを低減させることは困難であると推察される。 - 経済産業省
To provide the operation method of a crystallizer capable of continuously and stably forming crystals in cooled crystallization operation and stabilizing the operation of a post-process to enhance production capacity.例文帳に追加
冷却式晶析操作において、結晶を連続的かつ安定的に生成させ、後工程の運転を安定化し、それに伴う生産能力の向上を可能とする晶析器の運転方法を提供する。 - 特許庁
Next, on the basis of Sections 5 and 6 above, technological elements to be considered in the establishment of the BAT level concerning the HCB concentration in TCPA include (1) reaction control, including the reaction temperature; (b) control of the temperature of TCPA crystallization in the post-reaction solvent; and (c) crystallization refinement of TCPA obtained in the reaction. 例文帳に追加
次に、ＴＣＰＡ量中のＨＣＢ含有量に係るＢＡＴレベルの設定に当たって考慮すべき技術的なポイントとしては、上記５．及び６．より、現状、①反応温度等の反応制御、②反応後溶媒からのＴＣＰＡ晶析温度の制御、③反応により得られたＴＣＰＡの再結晶11精製が考えられる。 - 経済産業省
As for the manufacturing process of another company, details for which are not necessarily clear, the control of the temperature for TCPA crystallization from the post-reaction solvent is not so difficult technologically, and it seems to be a measure that can be introduced without too much of a cost burden. 例文帳に追加
また、製造プロセスについてはその詳細が明確ではない別の社については、反応後溶媒からのＴＣＰＡ晶析温度のコントロール等は技術的にさほど困難なものではなく、かつコスト的にも過重な負担を伴うことなく導入し得る対策であると考えられる。 - 経済産業省
(c) Separate out TCPA predominantly by cooling the post-reaction solvent to around 40 degrees Celsius for crystallization in order to take advantage of the difference in the solubility of TCPA and HCB vis-a-vis the reaction solvent (chlorosulfonic acid) by temperature (furthermore, cool the filtrate to 0-25 degrees Celsius to separate out HCB, which is to be recycled as the reaction solvent). 例文帳に追加
③ＴＣＰＡとＨＣＢの反応溶媒（クロロスルホン酸）に対する温度による溶解度の差を利用し、反応後溶媒を 40℃前後まで冷却し、晶析させることによりＴＣＰＡを優位に析出させる。（さらに、ろ液は０～25℃まで冷却することによりＨＣＢを析出させ、反応溶媒として再利用する。） - 経済産業省
To provide a manufacturing method of a transparent conductive laminate which improves pattern alignment accuracy of a plurality of transparent conductive films by suppressing a dimensional change due to heat applied during a post process by conducting crystallization of a transparent conductive layer in a short time and a heat contraction processing of a substrate prior to patterning and joining of the conductive layer.例文帳に追加
短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory having proper cell operation characteristics, by suppressing impairment of film quality resulting from a post-heating process, when a rare earth oxide, a rare earth nitride or a rare earth oxinitride containing a rare earth element is employed as an inter-electrode insulating film or a block insulating film, thereby avoiding crystallization or deterioration in the permittivity.例文帳に追加
本発明の課題は、希土類元素を含む希土類酸化物、希土類窒化物、または、希土類酸窒化物を電極間絶縁膜やブロック絶縁膜として用いる場合、後熱工程に起因する膜質劣化を抑制し結晶化や誘電率低下を回避して、セル動作特性の良好な不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
The same publicized information about the patent application as (1) above indicates that it is possible to separate out TCPA dominantly and reduce the HCB content in final TCPA to 200ppm or less (around 115ppm in the experiment) by cooling the post-reaction solvent to around 40 degrees Celsius for crystallization in order to take advantage of the difference in the solubility of TCPA and HCB vis-a-vis the reaction solvent (chlorosulfonic acid) by temperature. 例文帳に追加
上記①と同じ特許出願公開情報によれば、ＴＣＰＡとＨＣＢの反応溶媒に対する温度による溶解度の差を利用し、反応後溶媒を 40℃前後まで冷却し、晶析させることによりＴＣＰＡを優位に析出させ、最終ＴＣＰＡ中のＨＣＢ含有量を 200ppm以下（実験では115ppm程度）まで低減できることが示されている。 - 経済産業省
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