「quantum structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Each of the channel optical waveguides 8a has a single quantum well structure.例文帳に追加

各チャネル光導波路８ａは、単一量子井戸構造を有する。 - 特許庁

SWITCH FOR SINGLE FLUX QUANTUM CIRCUIT, AND PACKET STRUCTURE TO BE USED THEREFOR例文帳に追加

単一磁束量子回路用スイッチ及びそれに用いるパケット構造 - 特許庁

Accordingly, the quantum dot structure body can be repeatedly laminated more frequently.例文帳に追加

よって、量子ドット構造体はより多く繰り返し積層可能になる。 - 特許庁

CMOS DYNAMIC LOGIC CIRCUIT USING QUANTUM MECHANICS TUNNEL STRUCTURE例文帳に追加

量子力学的トンネル構造を使用するＣＭＯＳダイナミック・ロジック回路 - 特許庁

STRUCTURAL ANALYSIS METHOD OF DISTORTION QUANTUM WELL STRUCTURE AND ITS RECORD MEDIUM例文帳に追加

歪量子井戸構造の構造解析方法およびその記録媒体 - 特許庁

To realize a structure control method for selectively annihilating a low-dimensional quantum structure of specific structure from a mixture of low-dimensional quantum structures of nano scale.例文帳に追加

ナノスケールの低次元量子構造体の混合物から特定の構造の低次元量子構造体を選択的に消滅させる構造制御方法を実現する。 - 特許庁

The waveguide structure has a quantum well structure 20 layered on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

導波構造は半導体基板１０上に積層される量子井戸構造２０を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING QUANTUM DOTS, SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

量子ドットを有する半導体構造体の製造方法、半導体構造体、及び半導体装置 - 特許庁

To provide the fine structure of a compound semiconductor containing a quantum box and a quantum small wire in a small number of processes.例文帳に追加

少ない工程数により、量子箱や量子細線を含む化合物半導体の微細な構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a quantum semiconductor device having a quantum dot proximity laminate structure which actualizes a high uniformity and light emission characteristics.例文帳に追加

高い均一性と発光特性を実現する量子ドット近接積層構造の量子半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The InAs thin film 2 has a low-order quantum structure, the energy difference between an electron quantum level formed in the low-order quantum structure and the Fermi level is set equal to thermal energy or below.例文帳に追加

ＩｎＡｓ薄膜２は低次元量子構造を有し、この低次元量子構造に形成される電子の量子準位とフェルミ準位とのエネルギ差が、熱エネルギーと同等または小さくされている。 - 特許庁

As for a quantum logic element which uses the electron state of a semiconductor quantum structure, inter-polarization interaction between excitons having polarization in a semiconductor quantum well structure is used.例文帳に追加

本発明は、半導体量子構造の電子状態を利用した量子論理素子に関し、半導体量子井戸構造中の分極を有する励起子間の分極間相互作用を利用する。 - 特許庁

To provide an improved quantum dot structure for opto-electronics application.例文帳に追加

オプト−エレクトロニクス応用のために改善された量子ドット構造の提供。 - 特許庁

The active layer 103 is provided with a distortion multiple quantum well structure.例文帳に追加

活性層１０３は歪多重量子井戸構造を有するものである。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises an active region 3 having quantum well structure.例文帳に追加

半導体素子１は、量子井戸構造を有する活性領域３を含む。 - 特許庁

A distorted quantum well structure α is formed on an InGaAs substrate 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓ基板１の上に、歪量子井戸構造αを構成する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法 - 特許庁

The quantum dot solar cell 1 has such a structure (optical cavity structure) that an active layer 4 including quantum dots 41 is sandwiched between Bragg reflection mirror layers 2 and 3.例文帳に追加

本発明の量子ドット太陽電池１は、量子ドット４１を含む活性層４をブラッグ反射ミラー層２，３で挟んだ構成（光キャビティ構成）を有する。 - 特許庁

To obtain a high-performance quantum-dot device, which reflects the narrow-state density of the quantum dots by forming the structure of the semiconductor-quantum dots having the highly uniform size distribution.例文帳に追加

高均一なサイズ分布を持つ半導体量子ドット構造をつくり、量子ドットの狭い状態密度を反映した高性能な量子ドットデバイスを実現する。 - 特許庁

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

To provide a quantum well structure, semiconductor laser, spectral measuring instrument and method of manufacturing the quantum well structure in which performance of characteristics can be improved by accomplishing the quantum well structure in which a large crystal of In composition thicker than the prior art is made into quantum well layer.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

A quantum well layer 22 in the quantum well structure has an intersection region 22a intersecting a virtual plane approximately perpendicular to the arrangement direction of the quantum well structure with respect to the semiconductor substrate 10, and the real part of the dielectric constant of the quantum well structure is negative to THz waves at a predetermined wavelength.例文帳に追加

量子井戸構造内の量子井戸層２２は、半導体基板１０に対する量子井戸構造の配列方向に略直交する仮想平面と交差している交差領域２２ａを有し、量子井戸構造の誘電率の実数部は所定波長のＴＨｚ波に対して負である。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times.例文帳に追加

多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。 - 特許庁

Further, the quantum well layer 17 of the quantum well structure of the layer 2 of the laser is set to three or less layers.例文帳に追加

さらに、半導体レーザの活性層２における量子井戸構造の量子井戸層１７を３層以下に設定している。 - 特許庁

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein.例文帳に追加

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

The electron energy level of the quantum well structure can be obtained easily, the energy band structure of the quantum well structure is specified, and the design of a semiconductor device can be supported.例文帳に追加

量子井戸構造の電子エネルギー準位を簡単に求めることができ、量子井戸構造のエネルギーバンド構造を特定し、半導体装置の設計を支援することができる。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT例文帳に追加

量子井戸構造の形成方法および半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

PEAPOD STRUCTURE AND QUANTUM EFFECT DEVICE USING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ピーポッド構造およびそれを用いた量子効果素子およびその製造方法 - 特許庁

Thus, a cyclic structure of the quantum dots is formed by using the grooves 54.例文帳に追加

このようにして、溝５４を用いて量子ドットの周期構造を形成する。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE WITH QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE例文帳に追加

量子井戸と超格子とを有するＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード構造 - 特許庁

Si BASED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

量子井戸構造を有するＳｉ系半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

The quantum well structure has a structure of alternately laminated well layers 1 and barrier layers 2.例文帳に追加

量子井戸構造は、上記井戸層１と上記障壁層２とを交互に積層した構造を有している。 - 特許庁

To obtain a semiconductor quantum dot element provided with high density quantum dots having a peak-like state density of steep energy width by arranging the thickness of quantum dot structure arbitrarily.例文帳に追加

量子ドット構造の厚さを任意の厚さで揃えて、エネルギー幅が狭く鋭いピーク状の状態密度を持つ、高密度な量子ドットを備えた半導体量子ドット素子を提供する。 - 特許庁

The light emitting layer 10 has a multiple quantum well structure which is constructed with an AlGaN with Al component of 50% or more as a multiple-quantum well layer.例文帳に追加

発光層１０は、Ａｌ組成が５０％以上のＡｌＧａＮ層を量子井戸層とした多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁

The active layer 10 has a multiple quantum well structure for which an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer are stacked.例文帳に追加

活性層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。 - 特許庁

A barrier structure part 106 is made of a dielectric surrounding a plurality of the quantum dots.例文帳に追加

バリア構造部１０６が複数の量子ドットを取り囲む誘電体からなる。 - 特許庁

To measure photo luminescence having a quantum well structure even at room temperatures.例文帳に追加

常温下においても量子井戸構造のフォトルミネッセンス測定ができるようにする。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERN OF RESIN COMPOSITION HAVING SULFONAMIDE STRUCTURE BY QUANTUM BEAM例文帳に追加

量子ビームによるスルホンアミド構造を有する樹脂組成物のパターン形成方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE, AND FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造を有する半導体素子、および半導体素子を形成する方法 - 特許庁

The nonvolatile magnetic memory includes a structure configured such that a layer for forming a quantum well is adjoining to a ferromagnetic layer.例文帳に追加

また、強磁性層に量子井戸形成層を隣接した構成を有する。 - 特許庁

A tensile strain quantum well structure having four kinds of layers is obtained by adding another layer to the tensile strain quantum well structure having the three kinds of layers.例文帳に追加

この３種類の層を有する引張り歪量子井戸構造に、別の層を加えた４種類の層を有する引張り歪量子井戸構造とすることもできる。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

Further, the cavity 2 is constituted of a single quantum well structure comprising GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁