「quantum structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a quantum structure that has high carrier injection efficiency and a wide gain band.例文帳に追加

キャリア注入効率が高く、利得帯域の広い量子構造を提供することである。 - 特許庁

To provide an optical waveguide or an optical waveguide structure comprising quantum dots in a guided wave.例文帳に追加

導波において量子ドットを有する導波路または導波路構造を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING SILICON NANO-STRUCTURE, SILICON QUANTUM FINE LINE ARRANGEMENT AND DEVICE BASED THEREON例文帳に追加

シリコンナノ構造の形成方法、シリコン量子細線配列、及びその上に基礎をおくデバイス - 特許庁

Moreover, the cavity 2 consists of a single quantum well structure including GaAs as a well layer.例文帳に追加

また、キャビティ２は、ＧａＡｓを井戸層として含む単一量子井戸構造から成る。 - 特許庁

A luminous wavelength can be controlled widely especially when a quantum well structure is formed.例文帳に追加

また、特に、量子井戸構造を形成した場合には発光波長を広く制御できる。 - 特許庁

To detect the light including a plurality of wavelengths using only a kind of quantum dot structure.例文帳に追加

１種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。 - 特許庁

ARRAY STRUCTURE OF CORE-SHELL TYPE QUANTUM DOT AND RESONATOR POLARITON DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME例文帳に追加

コア・シェル型量子ドットの配列構造及びこれを備えた共振器ポラリトン素子 - 特許庁

Further, the saturable absorption region consists of a uniform multiple quantum well structure where the quantum energy levels of the each well layer are equal to each other.例文帳に追加

また、可飽和吸収領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が等しい均一多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁

The gain region consists of a different level multiple quantum well structure where a plurality of quantum energy levels of each well layer are existent.例文帳に追加

利得領域は、各井戸層の量子エネルギー準位が複数存在する異準位多重量子井戸構造によって構成されている。 - 特許庁

The quantum well layers 4, 6 and 8 of the distorted quantum well structure α are distorted at high compression so that an oscillation wavelength may be a communication band wavelength.例文帳に追加

この歪量子井戸構造αの量子井戸層４，６，８は、発振波長が通信帯波長となるように高圧縮歪となっている。 - 特許庁

To enable high speed translocation of carriers in a direction perpendicular to a quantum well surface even when shut potential of a quantum well is deep and quantum well number is large, in an optical semiconductor device which has multiple quantum well structure in an active layer.例文帳に追加

多重量子井戸構造を活性層に有する光半導体装置において，量子井戸の閉じ込めポテンシャルが深く，量子井戸数が多い場合においても，量子井戸面に垂直方向にキャリヤを高速移動可能とすることを目的とする。 - 特許庁

The quantum well structure comprises: a well support layer containing a group III nitride; a quantum well layer containing the group III nitride on the well support layer; and a cap layer containing the group III nitride on the quantum well layer.例文帳に追加

量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。 - 特許庁

A quantum dot structure has matrix layers 18, 20, 22, and multiple crystalline quantum dots 16 provided in the matrix layers 18, 20, 22 with a space between one another.例文帳に追加

量子ドット構造体は、マトリクス層１８，２０，２２と、マトリクス層１８，２０，２２内に離間して複数設けられた結晶質の量子ドット１６とを有する。 - 特許庁

As another structure, the quantum computer may include the quantum bit (31) formed by trapping atoms by the red-detuned laser beam.例文帳に追加

また、別の構成として、量子計算機は、赤方離調したレーザビームで原子をトラップすることにより構成された量子ビット（３１）を備えてもよい。 - 特許庁

To provide a quantum semiconductor device capable of realizing a desired energy band structure even when a quantum dot is employed, and to provide the manufacturing method of the same.例文帳に追加

量子ドットを用いた場合であっても所望のエネルギーバンド構造を実現し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A quantum containment can be reduced by adjusting a thickness of the InAlGaN well layer in a multiple quantum well structure of an active layer.例文帳に追加

活性層の多重量子井戸構造におけるＩｎＡｌＧａＮ井戸層の厚みを調整することによって、量子閉じ込め性を弱めることができる。 - 特許庁

The InGaAsP strained quantum well active layer has: a multiple quantum well structure having an InGaAsP barrier layer 40 and an InGaAsP well layer 42 alternately laminated; and InGaAsP guide layers 44 and 46 between which the multiple quantum well structure is sandwiched.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。 - 特許庁

In a quantum well structure 12 with a quantum well layer 10 formed on an InP substrate, the quantum well layer 10 is crystal-grown at a temperature of ≥440°C and ≤510°C and the quantum well layer 10 has compression distortion of ≥2% and <10%.例文帳に追加

ＩｎＰ基板上に量子井戸層１０が形成される量子井戸構造１２において、前記量子井戸層１０は４４０℃以上５１０℃以下の温度下で結晶成長し、該量子井戸層１０は２％以上１０％未満の圧縮歪を有した。 - 特許庁

In the quantum structure, two to five types of quantum wells having different gain peak wavelengths are so stacked that at least two or more of each type of quantum wells are stacked consecutively, and that at least one of barrier layers between different types of quantum wells has a layer thickness of 2 to 5 nm.例文帳に追加

本発明の量子構造は、２から５種類の異なる利得ピーク波長を有する量子井戸が、少なくとも各種類２つ以上連続して積層されており、その間に存在する障壁層の少なくとも一つの層厚が２ｎｍから５ｎｍである。 - 特許庁

To provide a quantum dot structure in which quantum dots are three-dimensionally distributed uniformly and arranged periodically, and to provide a method of forming the quantum dot structure in which quantum dots are three-dimensionally distributed uniformly and can be formed periodically, and a wavelength conversion element utilizing the quantum dot structure, an optical converter and a photoelectric converter.例文帳に追加

３次元的に分布が均一、かつ周期的に量子ドットが配置された量子ドット構造体を提供するとともに、低い生産コストで、３次元的に分布が均一、かつ周期的に量子ドットを形成することができる量子ドット構造体の形成方法を提供するとともに、量子ドット構造体を利用した波長変換素子、光光変換装置および光電変換装置を提供する。 - 特許庁

To form a quantum dot with a high degree of accuracy at a desired position irrespective of the structure of a substrate surface.例文帳に追加

基板表面の構造に拘わらず，所望の位置に高精度で量子ドットを形成する。 - 特許庁

QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, OPTICAL TRANSMITTING MODULE, AND OPTICAL TRANSMISSION SYSTEM例文帳に追加

量子井戸構造および半導体発光素子および光送信モジュールおよび光伝送システム - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM例文帳に追加

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造 - 特許庁

The active region 105 has multiple-quantum well structure and its absorption end wavelength is 1.55μm.例文帳に追加

活性領域は多重量子井戸構造を有しその吸収端波長は１．５５μｍである。 - 特許庁

SOLID-STATE NMR QUANTUM COMPUTER USING SEMICONDUCTOR CRYSTAL HAVING ISOTOPE SUPER-GRATING STRUCTURE例文帳に追加

同位体超格子構造を有する半導体結晶を用いた固体ＮＭＲ量子計算機 - 特許庁

The first portion 9a has a quantum well structure of band gap of 1.3 electron volts or more.例文帳に追加

第１の部分９ａは、１．３エレクトロンボルト以上のバンドギャップを持つ量子井戸構造を有する。 - 特許庁

METHOD OF GROWING CRYSTAL OF COMPOUND SEMICONDUCTOR, STRUCTURE OF QUANTUM WALL, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

化合物半導体の結晶成長方法、量子井戸構造、及び化合物半導体装置 - 特許庁

The semiconductor device has a semiconductor lower layer in repetitive structure of an electron barrier layer and a quantum well layer.例文帳に追加

電子障壁層と量子井戸層の繰返し構造を有する半導体下層を備えている。 - 特許庁

Si SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM STRUCTURE INCLUDING METAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

金属層を有する量子構造を備えたＳｉ系半導体デバイスおよびその製造方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR LASER, AND QUANTUM WIRE STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置の製造方法，半導体レーザの製造方法，及び量子細線構造の製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR OPTICAL MODULATOR HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE FOR INCREASING EFFECTIVE PHOTOCURRENT GENERATING CAPABILITY例文帳に追加

有効光電流発生能を増大させた量子井戸構造を有する半導体光変調器 - 特許庁

This method of manufacturing a quantum wire structure includes processes of: forming an insulator mask 16 by using a resist mask having a width larger than that of a desired quantum wire structure; and forming a quantum wire 17 by etching a multiple quantum well layer 12 by using the insulator mask 16.例文帳に追加

本発明に係る量子細線構造の作製方法は、所望の量子細線構造の幅よりも太い幅を有するレジストマスクを用いて絶縁体マスク１６を形成する工程と、この絶縁体マスク１６を用いて多重量子井戸層１２をエッチングし量子細線１７を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To improve a light-emitting efficiency by improving injected/diffused state of holes in a quantum well structure (MQW structure, SQW structure) of a light-emitting element.例文帳に追加

発光素子の量子井戸構造（ＭＱＷ構造、ＳＱＷ構造）における正孔の注入・拡散状態を改善し、発光効率を改善すること。 - 特許庁

An active layer has a structure of the heat-treated ZnO quantum dot, and the ZnO quantum dot prior to heat treatment is obtained from a ZnO quantum dot dispersing solution prepared by the microemulsion method.例文帳に追加

活性層が、熱処理されたＺｎＯ量子ドットの構造体を有すると共に、熱処理前の前記ＺｎＯ量子ドットは、マイクロエマルジョン法で作製されたＺｎＯ量子ドット分散溶液から取得される。 - 特許庁

Moreover, as the quantum well structure made of a semiconductor which is easily processed is employed, the waveguide structure can be easily manufactured.例文帳に追加

また、加工が容易な半導体からなる量子井戸構造を採用しているため導波構造の製造が容易である。 - 特許庁

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure.例文帳に追加

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。 - 特許庁

In the method for generating terahertz electromagnetic waves by using coherent phonon in a quantum structure, a light pulse is made to resonate with an exciton absorption peak in the quantum structure, or an electric field is applied to the quantum structure and an electric field shield is instantly induced by a light pulse in the quantum structure, thereby coherent phonon with a large amplitude are generated, causing polarization oscillation to generate terahertz electromagnetic waves.例文帳に追加

量子構造におけるコヒーレントフォノンを用いてテラヘルツ電磁波を発生させる方法において、その量子構造において光パルスを励起子吸収ピークと共鳴させるか、或いは、量子構造に電場を印加し光パルスで量子構造内に電場遮蔽を瞬間的に起こさせることで、高振幅のコヒーレントフォノンを生成し、それによる分極の振動でテラヘルツ電磁波を発生させる。 - 特許庁

To provide a quantum dot solar cell that can be remarkably improved in energy conversion efficiency by quantum dots by using a structure for increasing the intensity of sun light.例文帳に追加

太陽光の強度を強める構造を用いて、量子ドットによる大幅なエネルギー変換効率の向上を図ることが可能な量子ドット太陽電池を提供する。 - 特許庁

The light emitting element is provided, on a substrate, with an active layer 5 of the quantum well structure formed by alternately laminating a quantum well layer 51 and a barrier layer.例文帳に追加

本発明に係る発光素子は、基板上に、量子井戸層５１とバリア層を交互に積層させた量子井戸構造の活性層５を具備する発光素子である。 - 特許庁

To provide a molecule enabling the control of the quantum entanglement to be modulated by the change of a molecular three-dimensional structure, and to provide a molecule becoming an element for a quantum computer by applying the molecule.例文帳に追加

「量子からみ合いの制御」を分子立体構造の変化で調節可能となる分子及び、応用して量子コンピュータ用の素子となる分子を提供する。 - 特許庁

To provide the structure of a semiconductor device having a quantum dot for controlling the luminous wavelength of the quantum dot, and its manufacturing method.例文帳に追加

量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The supperlattice structure 4 is a quantum well structure, a quantum fine line structure or a quantum dot structure obtained by alternately laminating a negative dielectric medium and the positive dielectric medium, respective minimum dimensions are almost a de Broglie wavelength, and potential energy to electrons of the negative dielectric medium and the positive dielectric medium is different.例文帳に追加

超格子構造４は、負誘電体媒質と正誘電体媒質を交互に積層した、量子井戸構造または量子細線構造または量子ドット構造となっており、各々の最小寸法が電子のド・ブロイ波長程度で、負誘電体媒質と正誘電体媒質の電子に対するポテンシャルエネルギーが異なる構造となっている。 - 特許庁

To provide a group III light-emitting diode having a quantum well structure capable of emitting a polarized light.例文帳に追加

偏光した光を発光できる量子井戸構造を有するIII族窒化物発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a silicon photomultiplier with vertical structure excellent in quantum efficiency of all wavelength bands.例文帳に追加

全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管を提供すること。 - 特許庁

Further, spin exchange interaction between spin-deflected excitons in the semiconductor quantum well structure is used.例文帳に追加

また、半導体量子井戸構造中のスピン偏向した励起子間のスピン交換相互作用を利用する。 - 特許庁