「quantum structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

An activated area 9 has a quantum well structure of a band gap smaller than 1.3 electron volts, and is provided on the first portion 5a of the first clad layer 5.例文帳に追加

活性領域９は、１．３エレクトロンボルトより小さいバンドギャップの量子井戸構造を有しており、また第１のクラッド層５の第１の部分５ａ上に設けられている。 - 特許庁

The light generating structure includes a set of barrier layers 34, each of which has a graded composition, and a set of quantum wells 32, each of which adjoins at least one barrier layer.例文帳に追加

光発生構造は、各々が傾斜組成を有するバリア層３４のセットと、各々が少なくとも１つのバリア層と隣接する量子井戸３２のセットとを含む。 - 特許庁

An element which emits light with high external quantum efficiency in a blue region can be manufactured by using the compound of the present invention having the specified structure.例文帳に追加

また、ある特定の構造を有する本発明の化合物を使うことにより、青色領域において高い外部量子効率で発光する素子の作製が可能になる。 - 特許庁

An injection part 105 performs tunnel injection of electrons or interrupts the injection by changing the energy level to the ground level of a plurality of the quantum dots via the barrier structure part.例文帳に追加

注入部１０５がバリア構造部を介して複数の量子ドットの基底準位に、エネルギー準位を変化させて電子をトンネル注入あるいは注入を阻止する。 - 特許庁

The semiconductor low-order quantum structure is used in the thin film forming the cantilever beam 11, so that the semiconductor force, detecting device possessing at a very high sensitivity, can be obtained.例文帳に追加

片持ち梁１１を構成する薄膜内に半導体低次元量子構造を用いることにより、極めて感度の高い半導体力検出装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a crystal growth control method for self-organizedly growing an array of quantum dot structure with a high position controllability and high size controllability on a substrate.例文帳に追加

基板上に量子ドット構造の配列を、高い位置制御性と高いサイズ制御性で、自己組織化的に成長させる結晶成長法制御法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III-V semiconductor layer capable of adjusting the nitrogen flux, a method for producing a quantum-well structure, and to provide a nitrogen source device.例文帳に追加

窒素フラックスの調整が可能な、ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法と、量子井戸構造を作製する方法と、窒素源装置とを提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor light emitting element by which the inner quantum efficiency of the nitride semiconductor light emitting element including a multilayer film structure can be improved.例文帳に追加

多層膜構造を含む窒化物半導体発光素子の内部量子効率を改善することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

At least one of the barrier layers includes a structure formed by laminating a first barrier layer 53 and a second barrier layer 52 and the first barrier layer 53 is a buffer layer for distortion of the quantum well layer 51 and the second barrier layer 52 has an energy barrier for the quantum well layer 51.例文帳に追加

前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。 - 特許庁

The element for the quantum computer by a liquid NMR or the like is provided by searching a molecule capable of controlling the intramolecular interaction between atomic nuclei by using quantum chemical calculation as substitution products of an azobenzene enabling the molecular three-dimensional structure to be changed with a short wave-length light such as ultraviolet lays.例文帳に追加

紫外線などの短い波長光で、その分子立体構造を変化させることが可能なアゾベンゼンの置換体について、量子化学計算を用いて分子内原子核間相互作用を制御できる分子を探索し、液体ＮＭＲなどによる量子コンピュータ用素子。 - 特許庁

The III nitride semiconductor layer 2 has a multilayer structure laminating an n-type contact layer 21, a multiple quantum well (MQW) layer 22 as a light-emitting layer (active layer), an AlGaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 sequentially from the AlN substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＡｌＮ基板１側から順に、ｎ型コンタクト層２１、発光層（活性層）としての多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum Well）層２２、ＡｌＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

The GaN semiconductor layer 2 has a lamination structure wherein an N-type contact layer 21, a first quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a P-type electron inhibition layer 23, a P-type contact layer 24, and a second quantum well layer 26 are stacked in sequence from the side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

ＧａＮ半導体層２は、ＧａＮ基板１側から順に、Ｎ型コンタクト層２１、第１量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、Ｐ型電子阻止層２３、Ｐ型コンタクト層２４、および第２量子井戸層２６を積層した積層構造を有している。 - 特許庁

Without using a multi-quantum well structure, light can be emitted from nearly all the light emitting layer 3 that is comparatively large in thickness, so that the oxide semiconductor light emitting device which is simple in structure, manufactured at a low cost, and high in luminous efficiency can be obtained.例文帳に追加

多重量子井戸構造などを用いることなく、比較的厚い発光層３の略全体を発光できるので、構造簡易で製造コストが低く、しかも、高効率発光の酸化物半導体発光素子が得られる。 - 特許庁

To calculate the bonding strength between a carrier and a catalyst component by quantum mechanics and to increase the prediction accuracy of a catalyst structure by the calculation and thereby to design a high-efficient catalyst structure.例文帳に追加

計算手法による触媒構造の予測精度を一層高めるべく、担体と触媒成分の結合強度を量子力学に基づく計算によって求め、それによって、高い効率で最適な触媒構造を設計する。 - 特許庁

To provide an amorphous composite material having N pieces of different components (where N is an integer not less than 2), i.e., having a laminar structure or a columnar structure and each component is ecellent in mechanical, magnetic, electric, chemical, thermal, electronic or quantum characteristic.例文帳に追加

Ｎ個の（Ｎは２以上の整数）異なる組成、すなわち、機械的、磁気的、電気的、化学的、熱的、電子的、および、量子的に特性の異なる層構造あるいはコラム構造を有する、アモルファス複合材料を作製すること。 - 特許庁

In the semiconductor laser device, having the window structure area formed by making random the active layer of the quantum well structure through the implantation of silicon ions and following heat treatment; no transition loop practically exists in the window structure region 10a and the neighborhood (upper clad layer 9a).例文帳に追加

シリコンイオンの注入、及びその後の熱処理により量子井戸構造の活性層を無秩序化して形成された窓構造領域を有する半導体レーザ装置において、窓構造領域１０ａ及びその近傍（上クラッド層９ａ）には転位ループが実質的に存在しない。 - 特許庁

Due to this structure, when electrons are excited by light in the carrier confinement layers C1-C3, the quantum wave interference layers are propagated by waves from an (n) layer to a (p) layer, to allow a photoelectric current to flow at high speeds.例文帳に追加

この構造によりキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3に電子が光励起されるとｎ層からｐ層へ量子波干渉層を波動で伝搬し、光電流が高速に流れる。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element comprises a first light emitting layer 3 and a second light emitting layer 9 laminated on a substrate 1 to emit lights of different chromaticities so that the first layer 3 is formed in a multiple quantum well structure.例文帳に追加

基板１上に、異なる色度の光を発光する第１発光層３と第２発光層９とが積層され、第１発光層３は多重量子井戸構造を成している。 - 特許庁

To control the quantum of deposits in a reserve delivery receiver with an inexpensive structure neither needing a complicated mechanism and control nor inviting the increase of an ink consumption.例文帳に追加

複雑な機構や制御を必要とせず、インク消費量の増大を招くことのない安価な構成で、堆積物が予備吐受け部に堆積する量をコントロールすることを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor light emitting device includes an n-type semiconductor layer 11, a p-type semiconductor layer 13, and an active layer 12 having a multilayer quantum well structure sandwiched by the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

半導体発光装置は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層１２とを有している。 - 特許庁

The active layer 12 is an active layer 12 of a multi-quantum well structure including a plurality of well layers 34_1 to 34_M and a plurality of barrier layers 32_1 to 32_N, and is provided between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer.例文帳に追加

活性層は、複数の井戸層と複数のバリア層とを含む多重量子井戸構造の活性層であり、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に設けられている。 - 特許庁

In this case, the fine particles 2 are formed of semiconductor material such as Si and the like, and by using a semiconductor layer 3 for a material around the fine particle they can be utilized as a quantum-dot structure.例文帳に追加

この際、微粒子２にＳｉなどの半導体粒子を、その周囲の材料３を半導体層とすることで、量子ドット様の構造として使用することができる。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element in which the forward voltage is lowered through use of an active layer of multiple quantum well structure in order to widen application range to various products.例文帳に追加

多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、順方向電圧の低い窒化物半導体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a quantum wire structure capable of restraining roughness of a resist mask side surface due to increase of the amount of electron beam exposure, for forming a minute resist mask.例文帳に追加

微細なレジストマスクを形成するための電子ビーム露光量の増大によるレジストマスク側面のラフネスを抑制することが可能な量子細線構造の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser element in which a diffusion condition of impurities for forming a window structure becoming a light irradiation part for an active layer (quantum well layer) can be easily controlled.例文帳に追加

活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser element 100 comprises an active layer 45 of multiple quantum well structure, and separation confinement heterostructure (SCH) layers 42, 44, 50 and 52.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５０、５２を備えている。 - 特許庁

To provide a gallium-nitride-based LED element of perpendicular structure for maximizing the improvement effect of an external quantum efficiency and securing high-output characteristics by improving a current dispersion effect.例文帳に追加

外部量子効率の改善効果を極大化し、電流分散効果を向上させて高出力特性を確保する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride light emitting element having an emission peak wavelength of 410 nm or longer, and including a luminescent layer of a quantum well structure formed on a semipolar surface.例文帳に追加

波長４１０ｎｍ以上の発光ピーク波長を有しており半極性面上に設けられた量子井戸構造の発光層を含むIII族窒化物発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a quantum well structure, which can reduce the variation in the In-composition in the thickness direction of a well layer; and to provide a method for manufacturing a semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

井戸層の層厚方向におけるＩｎ組成のばらつきを抑えることができる量子井戸構造の形成方法、および半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The light emission part is in a multi-quantum well structure and InGaN which can emit ultraviolet rays is used for well layers, the number of the well layers is 2 to 20 and the thickness of a barrier layer is 7 to 30 nm.例文帳に追加

該発光部は多重量子井戸構造とし、かつ、井戸層には紫外線発光可能なＩｎＧａＮを用い、井戸層の数を２〜２０、障壁層の厚さを７ｎｍ〜３０ｎｍとする。 - 特許庁

To provide a switch for a single flux quantum (SFQ) circuit improved in various aspects such as hardware quantity, throughput, design easiness, extensibility and high-speed operation, and to provide a packet structure to be used therefor.例文帳に追加

ハードウェア量、スループット、設計容易性、拡張性、高速での動作など、様々な面で優れたＳＦＱ回路用スイッチ及びそれに用いるパケット構造を提供すること。 - 特許庁

The full light-light control element having a structure obtained by combining photonic crystals 61 and quantum dots is provided in order to improve the efficiency of the resonance excitation type full light-light control element.例文帳に追加

共鳴励起型全光・光制御素子の効率を向上すため、フォトニック結晶６１と量子ドットを組み合わせた構造をもつ全光・光制御素子を提供する。 - 特許庁

This optical signal pattern discriminating device comprises a polarization beam splitter, a λ/4 plate (and -λ/4 plate), a condenser lens, and a multiple-quantum well structure plane type optical switch.例文帳に追加

この光信号パターン識別装置は、偏光ビームスプリッタ、λ／４板（および−λ／４板）、集光レンズ、および多重量子井戸構造面型光スイッチから構成されている。 - 特許庁

To provide a temperature sensor containing a quantum well structure capable of improving sensitivity while controlling the generation of crystal defect, and to provide a method of manufacturing the temperature sensor.例文帳に追加

量子井戸構造体を含むものであり、結晶欠陥の発生を抑制しつつ、感度を向上させることができる温度センサ、及びその温度センサの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor laser of the gain diffraction lattice-type is provided with the diffraction lattice causing periodical gain fluctuation in the direction of a resonator in a quantum well structure active layer.例文帳に追加

本ＤＦＢレーザは、共振器方向に周期的な利得変動を生じさせる回折格子を量子井戸構造活性層に備えている利得性回折格子型の半導体レーザである。 - 特許庁

The relation between the density of a current injected into the active layer and the gain coefficients of the active layer, at least, in the two different transition wavelength regions of the quantum structure is graphed.例文帳に追加

活性層に注入される電流密度と、活性層の利得係数との関係を、量子構造の、少なくとも２つの異なる遷移波長域の利得係数についてグラフ化する。 - 特許庁

METAL-CONTAINING FULLERENE DERIVATIVE, COMPOSITION CONTAINING THE SAME, STRUCTURE OBTAINED BY ORGANIZING THE SAME, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY MATERIAL, QUANTUM DEVICE MATERIAL AND MOLECULAR SWITCH MATERIAL USING THE SAME例文帳に追加

金属含有フラーレン誘導体、それを有する組成物、それを組織化した構造体、並びに、それを用いた液晶ディスプレイ材料、量子デバイス材料及び分子スイッチ材料 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device having semiconductor structure obtained by multilayering semiconductor microcrystal of a quantum dot to have a high quality, and to provide a laser module and a manufacturing method of the optical semiconductor device.例文帳に追加

量子ドットなどの半導体微結晶を高品質に多層化した半導体構造をもつ光半導体装置、レーザモジュールおよび光半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide the semiconductor optical source of a quantum well structure capable of stably providing the light of a wide wavelength band by controlling a band gap after the growth of a substrate.例文帳に追加

基板の成長後にバンドギャップを制御することによって、広い波長帯域の光を安定的に提供することができる量子井戸構造の半導体光源を提供する。 - 特許庁

Also, by using the compound having a specific structure, a durable element can be manufactured that emits light with high external quantum efficiency in a blue region.例文帳に追加

また、ある特定の構造を有する本発明の化合物を使うことにより、青色領域において高い外部量子効率で発光し、かつ耐久性に優れる素子の作製が可能になる。 - 特許庁

The resonance tunnel element 6 has a multiple barrier structure including quantum wells and energy barriers formed alternately and continuously with the energy barriers at both ends.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。 - 特許庁

The organic electroluminescent element which shows high luminous efficiency (for example, external quantum efficiency) is obtained by incorporating at least one of an imide compound having a specified structure in organic compound layer.例文帳に追加

少なくとも一種有機化合物層に特定構造のイミド化合物を含有させることにより、高い発光効率（例えば外部量子効率）を示す有機電界発光素子が得られる。 - 特許庁

To obtain a GaAs based infrared detector utilizing quantum well structure in which an antireflection film suitable for infrared rays in 8-12 μm band is provided.例文帳に追加

量子井戸構造を利用したＧａＡｓ系の赤外線検出器に関し、８〜１２μｍ帯の赤外線に対して好適な反射防止膜を有する赤外線検出器を提供する。 - 特許庁

A multiple quantum well structure is used as an active layer 4, and further a maximum position of an intensity distribution of emitted light is shifted from the center position of the active layer 4 to a p-type cladding layer 6 side.例文帳に追加

活性層４として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層４の中心位置よりｐ型クラッド層６側にずらす。 - 特許庁

A composition of the III group (Ga and In) of a GaInAsN well layer 12 in a quantum well structure is set to be substantially equal to that of the group III of a GaInAsP barrier layer 11.例文帳に追加

量子井戸構造中のＧａＩｎＡｓＮ井戸層１２のＩＩＩ族（ＧａとＩｎ）組成とＧａＩｎＡｓＰ障壁層１１のＩＩＩ族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。 - 特許庁