「quantum structure」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

QUANTUM DOT STRUCTURE, FORMING METHOD THEREOF, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

量子ドット構造体及びその形成方法、並びに該量子ドット構造体を有する半導体デバイス装置 - 特許庁

To obtain a quantum wire structure with good reproducibility by a relatively loose design rule.例文帳に追加

量子細線構造に関し、比較的緩いデザイン・ルールで再現性良く量子細線構造を実現する。 - 特許庁

The diffraction lattice 18 is constituted of the InGaAsP barrier layer 30e in the quantum well structure active layer and the lattice layer of InGaAs quantum well layers 28f and 28e and an InP buried layer having composition different from the quantum well layer.例文帳に追加

回折格子１８が、量子井戸構造活性層のＩｎＧａＡｓＰ障壁層３０ｅ及びＩｎＧａＡｓ量子井戸層２８ｆ、２８ｅの格子層と、量子井戸層とは異なる組成のＩｎＰ埋め込み層２０とから構成される。 - 特許庁

A quantum cascade laser 1 for generating light having a predetermined wavelength such as an infrared light is composed by forming an AlGaAs/GaAs active layer 11 on a GaAs substrate 10 having a cascade structure with a quantum well light emitting layer and an injection layer alternately laminated and by using an intersubband transition in the quantum well structure.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０上に、量子井戸発光層及び注入層が交互に積層されたカスケード構造を有するＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ活性層１１を形成して、量子井戸構造でのサブバンド間遷移を利用して赤外光などの所定波長の光を生成する量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

An active layer 19 has a quantum well structure 23, and the quantum well structure 23 includes a well layer 25a comprising In_XGa_1-XN(0.2<X<1) and a barrier layer 25b comprising a nitride gallium based semiconductor.例文帳に追加

活性層１９は量子井戸構造２３を有しており、量子井戸構造２３は、Ｉｎ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０．２＜Ｘ＜１）からなる井戸層２５ａと窒化ガリウム系半導体からなる障壁層２５ｂとを含む。 - 特許庁

To provide a coupled quantum well Mach-Zehnder modulator which reduces a modulation voltage by using push-pull structure.例文帳に追加

プッシュプル構成を用いて変調電圧を低減する結合量子井戸マッハ・ツェンダー変調器を提供する。 - 特許庁

To provide a process for controllably forming a silicon nano structure, such as the silicon quantum fine line arrangement.例文帳に追加

シリコン量子細線配列のようなシリコンナノ構造を制御可能に形成するための処理を提供する。 - 特許庁

Thus, the diffusion of hydrogen to the quantum well structure 25 is suppressed, and the photoluminescence characteristics are improved.例文帳に追加

これにより、量子井戸構造２５への水素の拡散を抑制され、フォトルミネッセンス特性の向上が図られる。 - 特許庁

The quantum well structure 17 is formed to have a light emission peak wavelength of 410 nm or longer.例文帳に追加

量子井戸構造１７は、波長４１０ｎｍ以上の発光ピーク波長を有するように形成されている。 - 特許庁

Thereby, the width of the resist mask for the insulator mask 16 can be increased relative to the wire width of the quantum wire structure.例文帳に追加

このため、絶縁体マスク１６のためのレジストマスクの幅は、量子細線構造の細線幅より太くできる。 - 特許庁

Further, a needle crystal consisting of the wave crystal is used to structure this charge density wave quantum interferometer.例文帳に追加

また、電荷密度波結晶からなる針状結晶を用いて電荷密度波量子干渉計を構成する。 - 特許庁

PRODUCTION METHOD FOR GROUP III-V SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION METHOD FOR QUANTUM-WELL STRUCTURE, AND NITROGEN SOURCE DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法、量子井戸構造を作製する方法、及び、窒素源装置 - 特許庁

This semiconductor laser element is provided with an active layer having a distorsion multiplex quantum well structure, and a quantum well layer 5 is provided in a part of a p-InP clad layer 104, and a difference in energy between electrons at a first quantum level in the quantum well layer and a hole is larger than the band gap energy of the barrier layer in the active layer.例文帳に追加

本半導体レーザ素子は、歪多重量子井戸構造を活性層に有する半導体レーザ素子であって、ｐ−ＩｎＰクラッド層１０４の一部に量子井戸層５を有し、量子井戸層の第一量子準位の電子とホールのエネルギー差が、活性層のバリア層のバンドギャップ・エネルギー以上で有る。 - 特許庁

At least one or more dark current reducing layers 4 having a quantum well structure are provided at an end in a stacking direction of an infrared ray detector 1 in which a plurality of quantum dot layers 2 are stacked.例文帳に追加

量子ドット層２を複数積層した赤外線検知部１の積層方向の端部に、量子井戸構造を有する暗電流低減層４を少なくとも一層以上設ける。 - 特許庁

To provide the ranges of composition x and thickness of two well layers of a coupled quantum well and the ranges of composition y and thickness of a coupled layer in a coupled quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、結合量子井戸構造において、結合量子井戸の二つの井戸層の組成x及び厚さの範囲、結合層の組成y及び厚さの範囲を提供することを課題とする。 - 特許庁

An optical active layer has a quantum confinement structure where micro particles about 1-10 nm in size, or quantum dot of material with large interaction between light and electron, are carried.例文帳に追加

光活性層を、光と電子の大きな相互作用を持つ物質の量子ドット、概ね１〜１０ｎｍ程度の大きなの超微粒子を担持させた量子閉じ込め構造とした。 - 特許庁

To provide a forming method of a nano structure using a ploysilicon layer capable of aligning height about a quantum fine line and constantly forming a diameter about a quantum dot.例文帳に追加

量子細線については高さを揃えて、量子ドットについては直径を一定に形成することができる多結晶シリコン層を用いたナノ構造体の形成方法を提供する。 - 特許庁

The graded composition layers cause electrons to lose energy prior to entering a quantum well in the light generating structure, which enables the electrons to recombine with holes more efficiently in the quantum well.例文帳に追加

傾斜組成層により、電子は、光発生構造の量子井戸に入る前にエネルギーを失うことで、電子は、量子井戸でより効率的に正孔と再結合できるようになる。 - 特許庁

The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer.例文帳に追加

量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a two-dimensional pattern by simultaneously forming a plurality of quantum dots on a solid surface with laser irradiation and making the structure of quantum dots periodic, and a device structure and a device fabricated by using the method.例文帳に追加

レーザー照射により、固体表面に複数の量子ドットを同時に形成し、かつ、量子ドットを周期構造化させて２次元パターンを製造する方法及びこの方法により作製したデバイス構造並びにデバイスを提供する。 - 特許庁

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

The quantum cascade laser 1 is composed by using a laser element 10 of a semiconductor laminated body having a cascade structure of m1 stages, in which a quantum-well light-emitting layer and an implantation layer are alternately and vertically laminated, and including an active layer 20 for generating light by the transition between subbands in the quantum well structure.例文帳に追加

量子井戸発光層及び注入層が交互に、垂直方向に積層されたｍ１段のカスケード構造を有し、量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって光を生成する活性層２０を含む半導体積層体のレーザ素子部１０を用いて、量子カスケードレーザ１を構成する。 - 特許庁

The re-entering structure makes the light passed through the quantum dot layer reflect to re-enter the quantum dot layer, and makes a polarization component in the first direction re-enter the quantum dot layer after being converted into a polarization component in the second direction different from the first direction.例文帳に追加

再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 - 特許庁

To provide a ZnO-based semiconductor device that allows the quality of a quantum well structure to be enhanced.例文帳に追加

量子井戸構造の質の向上を図ることができるＺｎＯ系半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

RADIOACTIVE OPTO-ELECTRONIC COMPONENT HAVING A QUANTUM WELL STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING IT例文帳に追加

量子井戸構造を有する放射放出性のオプトエレクトロニック構成素子および該オプトエレクトロニック構成素子の製造方法 - 特許庁

Due to this structure, the intensity of sun light absorbed by quantum dots can be increased by 1,000 times or more.例文帳に追加

これにより、量子ドットで吸収できる太陽光強度を１０００倍以上に増幅することが可能である。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element having a quantum cascade structure, which enhances an optical transition dipole moment and a gain.例文帳に追加

量子カスケード構造を有する半導体発光素子において、光学遷移ダイポールモーメントを大きくし、利得を大きくする。 - 特許庁

To provide a quantum dot infrared detector easy to manufacture and including a high-reproducibility structure.例文帳に追加

製造が容易で且つ再現性の高い構造を備えた量子ドット赤外線光検出器を提供することである。 - 特許庁

A light-emitting layer 17 is formed on the n-type gallium-nitride-based semiconductor layer 15, and has a quantum well structure 23.例文帳に追加

発光層１７は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１５上に設けられ、また量子井戸構造２３を有する。 - 特許庁

To provide a method for obtaining an Si semiconductor device having a quantum well structure including a metal well layer.例文帳に追加

金属井戸層を有する量子井戸構造を備えたＳｉ系半導体デバイスを得ることができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously.例文帳に追加

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。 - 特許庁

In the ring laser system 300, photons generated in the inside of the multiple quantum well 112 are circulated within a ring laser structure, including the outside structure 116, the multiple quantum well 112, and the optical core 110, then limitted from a noncontinuous portion 114 attached to the outside structure 116.例文帳に追加

当該リングレーザシステム３００では、多重量子井戸１１２内部で形成された光子は、外側構造体１１６、多重量子井戸１１２及び光コア１１０を含んで成るリングレーザ構造内部で循環し、外側構造体１１６に付着した不連続部１１４から出射する。 - 特許庁

The mixture of the low-dimensional quantum structures of nano scale is irradiated with electromagnetic wave in an oxygen atmosphere to selectively oxidize the low-dimensional quantum structure of state density resonant with the irradiated electromagnetic wave.例文帳に追加

酸素雰囲気下で、ナノスケールの低次元量子構造体の混合物に電磁波を照射し、照射した電磁波と共鳴する状態密度の低次元量子構造体を選択的に酸化させる。 - 特許庁

An optical waveguide 16 of the gain region is formed out of the quantum-well structure having an introduced bulk crystal or an introduced tensile strain, and an optical waveguide 18 of the saturable absorbing region is formed out of the quantum-well structure having an introduced tensile strain.例文帳に追加

利得領域の光導波路16は、バルク結晶あるいは伸張歪が導入された量子井戸構造で形成されており、可飽和吸収領域の光導波路18は伸張歪が導入された量子井戸構造で形成されている。 - 特許庁

In order to correct the variation in the refractive index Δn of the multiple quantum well (MQW) structure body more precisely, the bulk semiconductor layers at the absorbing layers are formed on both sides of the upper and lower faces of the multiple quantum well structure body.例文帳に追加

ＭＱＷ構造体の屈折率変化量Δｎの補正を一層正確に実施するには、上記吸収層において、上記バルク半導体層を、上記多重量子井戸構造体の上面及び下面側の両方に形成する。 - 特許庁

The p-i-n-type circularly polarized light modulating light emitting semiconductor element is equipped with a quantum well structure formed of a non-magnetic semiconductor layer, and a magnetic semiconductor layer which has a small band gap and is provided adjacent or adjoining to the barrier layer of the quantum well structure.例文帳に追加

非磁性半導体層からなる量子井戸構造と、該構造の障壁層に近接、又は、隣接して、バンドギャップの小さい磁性半導体層を備えることを特徴とするｐ−ｉ−ｎ型円偏光変調発光半導体素子。 - 特許庁

To enable a multiple quantum well to suppress the occurrence of a characteristic change due to the dispersion of Au by applying an extremely simple alteration to the structure of a multiple quantum well infrared ray detector and to enable the improvement of element characteristics distribution, regarding the multiple quantum well infrared ray detector.例文帳に追加

多重量子井戸赤外線検出器に関し、多重量子井戸赤外線検出器の構造に極めて簡単な改変を加えることで多重量子井戸がＡｕの拡散で特性変化を生じることを抑止できるようにし、素子特性分布を改善できるようにする。 - 特許庁

This nitride semiconductor light-emitting element contains a light-emitting layer 106 having a multiple quantum well structure consisting of a plurality of quantum wells and a plurality of barrier layers alternately stacked on each other, wherein each quantum well layer is composed of InGaNP, and each barrier layer is composed of a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

窒化物半導体発光素子は、複数の量子井戸層と複数の障壁層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する発光層１０６を含み、その量子井戸層はＩｎＧａＮＰからなり、障壁層は窒化物半導体層からなることを特徴としている。 - 特許庁

The light-emitting lamination structure includes a quantum well layer of an In-containing group III-V mixed-crystal semiconductor, a pair of carrier confinement layers sandwiching the quantum well layer and having a band gap wider than that of the quantum well layer, and a pair of clad layers sandwiching the three layers and having a band gap wider than that of the carrier confinement layers.例文帳に追加

発光積層構造は、Ｉｎを含むＩＩＩ−Ｖ族混晶半導体からなる量子井戸層、量子井戸層を挟み、量子井戸層よりもバンドギャップの大きな一対のキャリア閉込層、この３層を挟み、キャリア閉込層よりもバンドギャップの大きな一対のクラッド層とを含む。 - 特許庁

The quantum dot organic electroluminescent element includes: a substrate 100; a first electrode layer 110 on the substrate 100; a plurality of quantum dot structures 120 including an organic electroluminescent layer on the first electrode layer 110; and a second electrode layer 130 on the quantum dot structure 120.例文帳に追加

本発明の量子ドット有機電界発光素子は、基板１００と、基板１００上の第１電極層１１０と、第１電極層１１０上の有機発光層を含む複数の量子ドット構造１２０と、量子ドット構造１２０上の第２電極層１３０と、を含む。 - 特許庁

The photoluminescence light emitting intensity reflects amplitude in spatial change of the In composition ratio in the quantum confining structure.例文帳に追加

フォトルミネッセンス発光強度比は、量子閉じ込め構造におけるＩｎ組成比の空間的変化の大きさを反映している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element with improved properties whose active layer has a structure in which a quantum effect is suppressed.例文帳に追加

活性層を量子効果が抑制される構造とすることにより、特性が向上される半導体発光素子の提供。 - 特許庁

To provide a quantum encoder with a simpler structure of a device to be carried by an authenticated user than a conventional art.例文帳に追加

正規利用者の持つべき装置が従来技術より簡単な装置構成で済む、量子暗号装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor photonic device including a quantum well structure for achieving characteristic improvement.例文帳に追加

量子井戸構造を備える半導体光素子であって、特性向上を実現する半導体光素子の製造方法の提供。 - 特許庁

An active layer having multiple quantum well structure is arranged on a substrate, and further, an upper cladding layer overlaying the active layer is arranged.例文帳に追加

多重量子井戸構造を有する活性層を基板上に設け、さらに活性層を覆う上部クラッド層を設ける。 - 特許庁