「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer.例文帳に追加

製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第１の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第２の工程からなる。 - 特許庁

In a metallization polyimide film having two or more metal layers including at least a metal layer principally comprising Cu formed on at least one side of a polyimide film, surface metal index Asm calculated by IR-ATR method is ≥0.001 on the surface of the polyimide film after the metallization polyimide film is treated with sulphuric acid/hydrogen peroxide based etching reagent, and he surface resistivity is ≥1×10^13 Ω.例文帳に追加

ポリイミドフィルムの少なくとも片面に少なくともＣｕを主体とする金属層を含む二層以上の金属層が形成された金属被覆ポリイミドフィルムにおいて、該金属被覆ポリイミドフィルムを硫酸／過酸化水素系エッチング試薬で処理したポリイミドフィルム表面のＩＲ−ＡＴＲ法から算出される表面金属指数Ａｓｍが０．００１以上、かつ表面抵抗率が１×１０^13Ω以上であることを特徴とする金属被覆ポリイミドフィルム。 - 特許庁

The substrate for an electrophotographic photoreceptor is obtained by subjecting the photosensitive layer side surface of an aluminum or aluminum alloy substrate to etching with an acid and/or an alkali, a chemical conversion treatment with an acidic aqueous solution containing a metal salt of titanium or zirconium and an aftertreatment with a silicate solution, and the photosensitive layer side surface of the substrate comprises aluminum, oxygen and titanium, or aluminum, oxygen and zirconium.例文帳に追加

該基体がアルミニウムまたはアルミニウム合金でありかつ、該基体の感光層側の表面を酸またはアルカリあるいはアルカリと酸の両方を使用してエッチング処理を行った後にチタニウムまたはジルコニウムの金属化合物の金属塩を含有する酸性水溶液で化成処理した後に更にケイ酸塩の溶液にて後処理することを特徴とする電子写真感光体の製造方法、およびこの方法により製造された感光層側の表面にアルミニウム、酸素およびチタニウムまたはアルミニウム、酸素およびジルコニウムを含有する電子写真感光体用基体、並びに該感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置。 - 特許庁

The upper surface of the projecting electrode is removed by etching, so that a convex electrode 44 smaller than the lower side of the projecting electrode is formed.例文帳に追加

半導体基板１２上に形成した電極パッド１４と、半導体基板を覆い電極パッド部分に開口部を有する絶縁膜１６と、ストレートウォール形状の突起電極２２を備えた半導体装置の製造方法において、突起電極上面部をエッチングにより除去することにより突起電極下部よりも小さい凸部電極４４を形成する半導体装置の製造方法方法、その製造方法で製造された半導体装置、及びその半導体装置の実装構造を提供する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of: epitaxially growing an epitaxial semiconductor layer 4 on a semiconductor substrate; forming a photoelectric conversion part on the epitaxial semiconductor layer 4; forming a wiring layer on the epitaxial semiconductor layer 4 after forming the photoelectric conversion part; bonding a supporting base 23 onto the wiring layer; and etching the semiconductor substrate from the opposite surface side of the bonded surface after the bonding.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。 - 特許庁