| 意味 | 例文 |
side-etchingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1205件
To suppress the generation of side etching in dry etching.例文帳に追加
ドライエッチングにおいて、サイドエッチングの発生を抑制する。 - 特許庁
The sputter etching is continuously performed until side etching is stopped.例文帳に追加
スパッタエッチング法によるエッチングはサイドエッチングが停止するまで継続する。 - 特許庁
To provide a method for etching a PZT film capable of preventing side etching.例文帳に追加
サイドエッチングを防止できるPZT膜のエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide an etching agent such that etching liquid is high in stability and fast in etching speed, side etching is small, and linearity of a pattern is excellent.例文帳に追加
エッチング液の安定性が高く、エッチング速度が速く、サイドエッチングも少なく、パターンの直線性も良好なエッチング剤を提供する。 - 特許庁
To improve the surface positional accuracy of an etching side wall face by suppressing the side etching in the dry etching of a single crystal silicon layer.例文帳に追加
単結晶シリコン層のドライエッチングにおけるサイドエッチングを抑制してエッチング側壁面の面位置精度の向上を図れるようにする。 - 特許庁
ADDITIVE FOR SUPPRESSING SIDE ETCHING OF COPPER PRINTED CIRCUIT BOARD例文帳に追加
銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤 - 特許庁
The side 13c of the mesa section 13a is subjected to wet etching after patterning by plasma etching.例文帳に追加
メサ部13aの側面13cは、プラズマエッチングによるパターニング後、ウェットエッチングされている。 - 特許庁
This reduces over-etching or side-etching and realizes a specified shape.例文帳に追加
従って、オーバーエッチングやサイドエッチングが低減されて、所定の形状を得ることができる。 - 特許庁
Next, the etching side E1 is made flat by embedding resin R1 into the pits P1 existing on the etching side E1.例文帳に追加
次に、エッチング面E1に存在するピットP1に樹脂R1を埋め込むことによって、エッチング面E1を平坦化する。 - 特許庁
The fluorine radical contributes to the side etching of the upper layer 34A.例文帳に追加
フッ素ラジカルは上層34Aのサイドエッチングに寄与する。 - 特許庁
Half-etching by dry etching is performed after performing full etching by wet etching to first and second surfaces 12, 14 mutually turning to the opposite side of a piezoelectric body 10.例文帳に追加
圧電体10の相互に反対を向く第1及び第2の面12,14に対して、ウェットエッチングによるフルエッチングを行った後に、ドライエッチングによるハーフエッチングを行う。 - 特許庁
ETCHING METHOD FOR REAR SIDE OF SILICON WAFER AND PROTECTING TAPE FOR SILICON WAFER例文帳に追加
シリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープ - 特許庁
To provide an etching method for realizing trench etching without hollow or roughness on a trench side wall surface while maintaining a high etching rate.例文帳に追加
高速エッチングレートを維持しつつ、トレンチ側壁面にえぐれや面荒れの無いトレンチエッチングを実現するためのエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide an additive for suppressing the side etching of a copper printed circuit board which has the excellent effect of suppressing side etching in wet type etching, and enables the production of a fine circuit pattern.例文帳に追加
湿式エッチングにおけるサイドエッチング抑制効果に優れ、微細な回路パターンの作製を可能にする銅プリント配線板のサイドエッチング抑制用添加剤を提供する。 - 特許庁
The method also includes a step of etching the silicon layer 101 from a lower side of Fig. by using an ICP dry etching (C).例文帳に追加
そして、ICPドライエッチング法を用いて、図の下側からシリコン層101のエッチングを行う(C)。 - 特許庁
The etching rate of the side-etching pretension layer 7 is smaller than those of the first and the second doped layers 6 and 8.例文帳に追加
サイドエッチング防止層7のエッチングレートは第1および第2ドープ層6,8のエッチングレートよりも小さい。 - 特許庁
A silicon wafer W before etching is pulled out of the cassette 12 on loader side and is carried to an etching stage S.例文帳に追加
ローダ側カセット12からエッチング前のシリコンウェーハWが抜き取られ、エッチングステージSに移送される。 - 特許庁
The side wall of the laminate LB is etched on an etching condition where an etching speed of polycrystal silicon is higher than an etching speed of amorphous silicon.例文帳に追加
多結晶シリコンのエッチング速度がアモルファスシリコンのエッチング速度よりも速いエッチング条件で積層体LBの側壁がエッチングされる。 - 特許庁
Thereby, in RIE (Reactive Ion Etching) in which a pattern is formed in an alumina layer 16, etching (side etching) of the Ta film 18 can be suppressed.例文帳に追加
これにより、アルミナ層16にパターンを形成するRIEの際に、Ta膜18がエッチング(サイドエッチング)されるのを抑制することができる。 - 特許庁
Amorphous etching is applied on the upper layer side of one part of the insulation layer.例文帳に追加
前記絶縁層の一部の上層側を異方性エッチングする。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for measuring the side etching amount wherein the side etching amount in a semiconductor device can be measured.例文帳に追加
半導体装置におけるサイドエッチング量の測定を可能にしたサイドエッチング量の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁
In this case, the ratio dX/dY of the side etching quantity in the X-axis direction to the side etching quantity in the Y-axis direction is 3.0 or higher.例文帳に追加
この際X軸方向のサイドエッチング量のY軸方向のサイドエッチング量に対する比率(dX/dY)が3.0以上である。 - 特許庁
To provide an etching processing method and a device therefor for protecting one side of a wafer and etching or rinsing the other side of the wafer.例文帳に追加
ウェーハの片面を保護して他の片面をエッチングまたはリンス処理を行うエッチング処理方法およびその装置を提供する。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING SIDE ETCHING AMOUNT OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置のサイドエッチング量の測定方法及び測定装置 - 特許庁
The ruggedness is formed on the side face by etching the pattern.例文帳に追加
このパタンによってエッチングすることで側面に凹凸を形成する。 - 特許庁
A surface on a non-etching side of a copper layer is plated to a resin substrate while a layer having an etching rate slower than that of copper is formed on an etching surface side of the copper layer, and a resist pattern for forming a circuit is formed on an etching surface.例文帳に追加
銅層のエッチング面側に、銅よりエッチングレートの遅い層を形成すると共に、前記銅層の非エッチング側の面を樹脂基板に張付け、エッチング面に回路形成用レジストパターンを形成する。 - 特許庁
In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.例文帳に追加
若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁
A p-side electrode is so formed to cover the top face and the side face of a ridge, and an etching stop layer by the side of the ridge.例文帳に追加
リッジ上面、リッジ側面、及びリッジ脇のエッチングストップ層上に、p側電極を被覆、形成する。 - 特許庁
To provide an etching method capable of processing materializing a wiring according to its design without causing side etching.例文帳に追加
サイドエッチを発生させずに、設計通りの配線幅を有する加工が可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁
To provide a metallic pattern forming method capable of suppressing both the side etching and the over-etching.例文帳に追加
サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁
In performing the wet etching, this relaxes a difference in the etching rate between a corner 5a of the ridge section 5 and the rest of the parts, thereby allowing the side etching to be restrained.例文帳に追加
そのため、ウェットエッチングの際、リッジ部5の角部5aと他の部分との間のエッチングレートの差が緩和され、サイドエッチングを抑制することが可能となる。 - 特許庁
Next, an etching nozzle 17 is allocated to one surface side of the base film and the first conductor layer as the mask can be removed by spraying the etching solution 18 from the etching nozzle.例文帳に追加
次に、ベースフィルムの一面側にエッチングノズル17を配置し、そのエッチングノズルからエッチング液18をスプレーして、マスクとした第1の導体層を除去する。 - 特許庁
Moreover, wet etching is performed to a necessary minimum so as to strictly control the ridge width since side etching can be minimized by wet etching.例文帳に追加
また、ウェットエッチングを必要最小限にとどめることにより、ウェットエッチングによりサイドエッチングを最小限にとどめてリッジ幅を厳密に制御することができる。 - 特許庁
To obtain an etching device employing an etching pot in which etching liquid is prevented from leaking to the non-processing surface side due to a defect or a crack at the thin part of an article being processed.例文帳に追加
エッチングポットを用いるものにあって、被処理物の薄肉部分の欠陥や亀裂に起因してエッチング液が非処理面側に漏れることを防止する。 - 特許庁
A plurality of etching liquid jetting pipes 5, which jet an etching liquid 7 towards the substrate 1, are provided side by side in the width direction of the substrate 1.例文帳に追加
基材1の幅方向に並べて配設された、基材1に向けてエッチング液7を噴射する複数のエッチング液噴射管5を具備する。 - 特許庁
To prevent side etching at both longitudinal ends of a plate-like structure.例文帳に追加
板状構造体の長手方向両端部のサイドエッチングを防止する。 - 特許庁
To provide a mist etching apparatus and a mist etching method which can also be applied even to a material to which etching processing is difficult and can obtain an excellent pattern shape in which side etching is suppressed and an etching processing surface is smooth.例文帳に追加
エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。 - 特許庁
The etching protective film which is not etched but remaining on a side wall part of the step 22 forms an etching protective film 23' for separation.例文帳に追加
ここで段差22の側壁部にエッチングされずに残ったエッチング保護膜が分離用エッチング保護膜23’を構成する。 - 特許庁
Thus, the etching of the layer 21 from the side face is prevented in a second etching process.例文帳に追加
これによって、第2エッチング処理工程において、被処理層21が前記側面からエッチングされることが防止される。 - 特許庁
Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained.例文帳に追加
反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。 - 特許庁
That is, an optimal etching liquid can be used for each layer, and side etching can be reduced to a minimum.例文帳に追加
すなわち,各層毎に,最適のエッチング液を用いることが可能となり,サイドエッチングが最小限に抑えられることになる。 - 特許庁
This side 14a is wet-etched after patterning by plasma etching.例文帳に追加
この側面14aは、プラズマエッチングによるパターニング後、ウェットエッチングされている。 - 特許庁
The SiN film 104 is subjected to the pattern etching to be in a shape of a passage side wall.例文帳に追加
次に、SiN膜104をパターンエッチングして流路側壁の形状にする。 - 特許庁
After a resonance plane is formed by etching, a ridge which is composed of a p-side contact layer 20 and a p-side clad layer 19 is formed by the further etching.例文帳に追加
エッチングして共振面を形成した後、更にエッチングによりリッジ(p側コンタクト層20及びp側クラッド層19よりなる)を形成する。 - 特許庁
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