「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching method of large etching selectivity of a high melting point metallic film to a silicon oxide film as a substrate without generating side etching in etching of a high melting point metallic film wherein a silicon compound film is a substrate film.例文帳に追加

ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Etching for forming a side wall 51 is performed by two steps of reactive ion etching (RIE) and wet etching, i.e. a silicon oxide film 5A is left on an LDD layer 4 on a silicon substrate 1 by the RIE and the silicon oxide film 5A is removed by the wet etching.例文帳に追加

サイドウォール５１形成時のエッチングをＲＩＥとウエットエッチングの二段階で行い、ＲＩＥでシリコン基板１のＬＤＤ層４上に酸化シリコン膜５Ａを残存させ、ウエットエッチングでこの酸化シリコン膜５Ａを除去する。 - 特許庁

Then, an ink supply port B penetrating the plate-like substrate 11 from a second-side surface thereof to the first-side surface thereof is formed from the second-side surface by etching.例文帳に追加

そして、基板１１の他方の面から一方の面へと貫通するインク供給口Ｂが、他方の面からエッチングによって形成される。 - 特許庁

Then, the base material is etched from the second side to a side to be etched at an etching level for exposing the filling compound on the second side.例文帳に追加

その後、ベース材料が、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からエッチングされる。 - 特許庁

Therefore, when the groove by the etching becomes deeper and liquid pressure becomes difficult to be transmitted to a bottom of the groove by accumulation of the etching solution 4, thickness of the etching controlled coating 5 becomes thin, stabilization of the etching speed is attained, and distribution of amounts of side etching to a depth direction is uniformized, and the anisotropy becomes high.例文帳に追加

よって、エッチングによる溝が深くなってエッチング液４の液溜りにより液圧が溝底まで伝わり難くなったときにエッチング抑制被膜５の厚さを薄くでき、エッチング速度の安定化を図れると共に深さ方向へのサイドエッチング量の分布を均一化でき異方性を高くできる。 - 特許庁

Then, processing such as etching is performed on the substrate from the side opposite from the side to which the carrier wafer is attached, and the MEMS device is fabricated.例文帳に追加

その後キャリアウエハを取り付けた反対側から基板にエッチングなどの加工を行いＭＥＭＳデバイスを作成する。 - 特許庁

Isotropic etching is then performed at the recess formed by anisotropic etching to round a corner 60b defined by the side surface and the footprint of the recess 58b.例文帳に追加

異方性エッチングにより形成された凹部に等方性エッチングを施し、凹部５８ｂの側面と底面とに挟まれるコーナー６０ｂを丸める。 - 特許庁

To provide a thin-film multilayer circuit board together with its manufacturing method, wherein no side-etching or resticking of an etching residue takes place.例文帳に追加

サイドエッチングやエッチング残渣の再付着の生じない薄膜多層回路基板の製造方法および薄膜多層回路基板を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, where abnormal side etching is prevented so as to obtain a mesa in superior shape by etching.例文帳に追加

異常なサイドエッチの発生を阻止して、良好なメサエッチ形状を得ることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Recessed parts are prepared in the opposite side of the said gate part and directly adjacently thereto by etching in this etching region.例文帳に追加

このエッチング領域の中でのエッチングにより、前記ゲート部分の反対側側面の上におよびそれに直接に隣接して凹部が作成される。 - 特許庁

Thereafter, a side wall film is formed and a side wall which is made thicker by the amount of the protrusion of the protruded section of the gate electrode cover from the narrowed gate electrode is formed by etching the side wall film by anisotropic etching.例文帳に追加

その後、サイドウォール膜を成膜して異方性エッチングを行ない、細幅となったゲート電極より突出したゲート電極カバーの突出部により、同突出部の突出量だけ厚くしたサイドウォールを形成する。 - 特許庁

And the side of the via 78a is made to be recovered from a damage caused by the etching treatment by processing the side of the via 78a formed in the interlayer insulating film 74 by this etching treatment with a silylation treatment.例文帳に追加

このエッチング処理によって層間絶縁膜７４に形成されたビア７８ａの側面部をシリル化処理し、ビア７８ａの側面部をエッチング処理によるダメージから回復させる。 - 特許庁

A coating process is performed after a first etching process, and thereby the side face of a layer 21 to be treated formed by side-etching can be coated with a resist layer 28.例文帳に追加

第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層２１の側面をレジスト層２８によって被覆することができる。 - 特許庁

The side face of the processed layer A3 formed by the side etching can be coated with a resist layer 1 by carrying out a coating treatment process after a first etching treatment process.例文帳に追加

第１エッチング処理工程の後に、被覆処理工程を行うことによって、サイドエッチによって形成される被処理層Ａ３の側面をレジスト層１によって被覆することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the nitride group semiconductor element includes steps of etching the rear side (nitrogen side) of an n-type GaN substrate 1 with a wurtzite structure by an RIE (reactive ion etching) method, and then forming an n-side electrode 8 on the rear side (nitrogen side) of the etched n-type GaN substrate 1.例文帳に追加

この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The etching device is equipped with an anode-side electrode 8 and a cathode-side electrode 3 which are confronted with each other, the board 2 is placed on the cathode-side electrode to roughen its surface by etching, and the plate member 7 where a large number of openings 11 are provided is installed on one side of the anode-side electrode 8.例文帳に追加

陽極側電極８に対向して設けた陰極側電極３上に基板２を載置してこの基板２の表面を粗面状にするエッチング装置であって、上記陽極電極８側に開口部１１が多数形成されたプレート部材７を設けた。 - 特許庁

To provide an etching method which ensures a larger etching selection ratio of a high melting point metal film for a silicon oxide film as the underlayer without generation of side etching at the time of etching the high melting point metal film using the silicon compound film as the underlayer.例文帳に追加

ケイ素化合物膜を下地膜とした高融点金属膜をエッチングする場合において、サイドエッチングを生じさせずに下地の酸化ケイ素膜に対する高融点金属膜のエッチング選択比が大きいエッチング方法を提供する。 - 特許庁

By using the etching mask having such a pattern shape, when so placing the etching mask as to make parallel the side S11 of the region R with the direction of [011] and when etching the region R, the rectangular emitter region of the HBT is obtained.例文帳に追加

このような形状のパターンを有するエッチングマスクを用い、領域Ｒの辺Ｓ_11が〔０１１〕方向に沿うようしてエッチングマスクを配置し、エッチングを行なうと矩形状のエミッタ領域が得られる。 - 特許庁

A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.例文帳に追加

基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

A membrane, which is formed on a board composed of an etching layer and a support board, is arranged separately from the support board by a space equal to the thickness of the etching layer, and the etching layer is etched from a membrane side.例文帳に追加

メンブレンがエッチング層と支持基板から構成される基板上に作製されており、メンブレンが支持基板とエッチング層の厚み分だけ隔てて配置されており、メンブレン側からエッチング層をエッチングする。 - 特許庁

The method for manufacturing the mold used for imprint by dry etching a substrate 10 made of quartz by using a dry etching apparatus includes the mask forming step of forming an etching mask 20 having a concave and convex pattern on the substrate 10, and the etching step of forming a protective film 30 on a side of the etching mask 20 and for etching the substrate 10 at the same time.例文帳に追加

ドライエッチング装置を用いて石英製の基板１０をドライエッチングすることにより、インプリントに用いるモールドの製造方法において、基板１０に凹凸パターンを有したエッチングマスク２０を形成するマスク形成ステップと、エッチングマスク２０の側壁への保護膜３０の形成と基板１０のエッチングとを同時に行うエッチングステップとを含む。 - 特許庁

To improve etching characteristics such as an etching rate and an etching anisotropy, to reduce the formation of a polymer film on the side wall of a pattern, and to efficiently remove the polymer film formed on the side wall of the pattern.例文帳に追加

エッチング速度およびエッチング異方性などのエッチング特性を向上し、パターン側壁ポリマー膜の生成を低減するとともに生成したパターン側壁ポリマー膜を効率よく除去することのできる多層膜材料のドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁

An aperture of a metal pattern has a sidewall formed by primary etching on the surface layer side of a metal layer and a sidewall formed by secondary etching using electrodeposited photoresist on the depth layer side of the metal layer, and the etching factor of the aperture of the metal pattern is ≥2.6.例文帳に追加

開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上である。 - 特許庁

After the trenches 105 are formed in the substrate 101, etching is performed on the side surfaces of the film 102 to make the side surfaces retreat.例文帳に追加

半導体基板１０１にトレンチ１０５を形成した後、シリコン酸化膜１０２の側面にエッチングを行って後退させる。 - 特許庁

In this state where the side of the front surface is sealed with a seal ring 14, etc., etching reagent is made into contact with the side of a rear surface.例文帳に追加

この状態、シールリング１４等によって表面側をシールした状態で裏面側にエッチング液を接触させる。 - 特許庁

Isotropic etching is used so as to form the projected part whose side surface is inclined in the first process.例文帳に追加

第１の工程では、側面が傾斜した凸部を形成するために、等方性エッチングを用いる。 - 特許庁

To provide a roll with pattern which solves the problem of side etching and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

サイドエッチングの問題を解消したパターン付ロール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To pattern a film of transition metal which is difficult to dry etch so that side etching is minimized.例文帳に追加

ドライエッチングが困難な遷移金属の膜を、サイドエッチングが極力生じないようにパターニングする。 - 特許庁

Thereafter, the insulation film 4 for processing is removed by etching until side walls of the interconnections 5b are exposed.例文帳に追加

その後、配線５ｂの側壁が露出するまで、加工用絶縁膜４をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus that can prevent side etching.例文帳に追加

サイドエッチの発生を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The exposed part of the liner 11 is removed by dry etching to expose the side wall of the groove 7.例文帳に追加

ライナー１１の露出部をドライエッチングによって除去して溝７の側壁部分を露出させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein side etching is suppressed and patterning accuracy is increased.例文帳に追加

サイドエッチが抑制されたパターニング精度の高い半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a simple side shooter type head using no anisotropic etching.例文帳に追加

異方性エッチングを使用しない簡単なサイドシユーター方式ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first anisotropic etching groove for setting the optical fiber is formed on one side of the substrate.例文帳に追加

基板の一方には、光ファイバが装着される第１の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁

In the etching process, the substrate is etched from the mask-forming side to the polyimide thin-film.例文帳に追加

エッチング過程では、マスクが形成される面側からポリイミド薄膜まで基板をエッチング除去する。 - 特許庁

The light-emitting parts 20 are formed by etching with the mask of (p) side electrodes at one time.例文帳に追加

この発光部２０は、ｐ側電極１３をマスクとしたエッチングにより一度に形成される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor substrate capable of reducing the possibility that side etching may occur.例文帳に追加

サイドエッチ発生の可能性を軽減させた半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the middle of etching of the conductive layer, the side wall of an etched portion is masked to carry out further etching to form the conductive pattern.例文帳に追加

そして、前記導体層を中途までエッチングした時に、エッチングされた部位の側壁部をマスクして、さらにエッチングを行うことで前記導体パターンを形成する。 - 特許庁

Upon dry etching of polysilicon, overetching high in skirt removing effect is carried out after carrying out overetching of high side-wall protecting effect, as the overetching after main etching.例文帳に追加

ポリシリコンのドライエッチング時に、メインエッチング後のオーバーエッチングとして、側壁保護効果が高いオーバーエッチングを実施後に、スソ取り効果が高いオーバーエッチングを実施する。 - 特許庁

To improve characteristics of a semiconductor layer element by maintaining perpendicularity at the side face of a ridge even if the ridge is formed by both of dry etching and wet etching.例文帳に追加

ドライエッチングとウェットエッチングとを併用してリッジを形成しても、リッジ側面の垂直性を維持し、これによって素子特性を向上させる。 - 特許庁

To provide an etching method with high flexibility in which a taper angle of a side surface can easily and stably be controlled when a film to be etched is subjected to wet etching.例文帳に追加

被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

The p-side contact layer 21 is made as a layer to be processed having a surface 61 for recovering damage formed by wet etching after processing by dry etching.例文帳に追加

ｐ側コンタクト層２１は、ドライエッチングで加工したのちウェットエッチングを行うことにより形成されたダメージ回復面６１を有する被加工層となっている。 - 特許庁

The difference between the etching areas of the upper sacrifice layer and the lower side sacrifice layer is thereby made smaller, enabling to enhance etching accuracy and providing a downsizing and higher density.例文帳に追加

これによって上側犠牲層と下側犠牲層のエッチング面積の差を小さくでき、エッチング精度が向上するので小型高密度化が可能となる。 - 特許庁

An area 13 for intensively etching the front and back end F and left and right end G of the substrate material A is arranged on the upper stream side of the etching device 3.例文帳に追加

そして、基板材Ａの前後端部Ｆおよび左右端部Ｇを、集中的にエッチングするエリア１３が、エッチング装置３の上流側に付設されている。 - 特許庁

In this formation, the hard mask 12a becomes excellent in etching resistance, and side etching is reduced to form the metal wiring 6a with good controllability.例文帳に追加

このように形成することによりハードマスク１２ａが耐エッチング性に優れ、サイドエッチを低減して金属配線６ａを制御性良く形成することができる。 - 特許庁