「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

And at the time of making the groove 6 by etching, protective films 13 and 14 of photosensitive resin material or the like are previously formed for each pressure sensor 1, and the rear side of the wafer is brought into contact with an etching solution with the front side of the wafer sealed by a sealing ring 16 or the like.例文帳に追加

そして、凹溝６のエッチング加工時には、感光性の樹脂材料等からなる保護膜１３，１４を各圧力センサ１毎に予め形成しておき、シールリング１６等によって表面側をシールした状態で裏面側にエッチング液を接触させる。 - 特許庁

After a surface of a step of the step-like element is supplied by etching a specified area of the substrate, the surface corresponding to the side wall of the step-like element generated by the etching is etched to correct the angle of the surface corresponding to the side wall.例文帳に追加

又、基板の或る領域をエッチングすることによって階段状要素の或る段の面を供給した後に、エッチングにより生じた階段状要素の側壁に相当する面をエッチングすることによって側壁に相当する面の角度を修正する。 - 特許庁

A coating process is added between the first and the second etching processes, and thereby the side-etching can be prevented even when not performing a plurality of etching processes, and consequently the layer 21 having a desired shape can be formed in a small number of processes.例文帳に追加

第１エッチング処理工程および第２エッチング処理工程との間に、被覆処理工程を設けることによって、エッチング処理工程を複数回行わなくても、サイドエッチを防止することができ、所望の形状の被処理層２１を、少ない工程数で形成することができる。 - 特許庁

In producing a structure 19 of rectangular cross section by dry-etching a region with a wide etching width, first etching treatment is performed using a first mask pattern 1 for forming a fine groove 10 with an outline coinciding with the side face 20 of the structure 19.例文帳に追加

広いエッチング幅を持つ領域をドライエッチングして断面矩形の構造体１９を作製するに際して、最初に前記構造体１９の側面２０に一致する輪郭を備えている細い溝１０を形成するための第１マスクパターン１を用いて第１のエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide an etching solution composition capable of suppressing side etching and obtaining an excellent cross sectional shape when etching a metal laminate film wherein a layer comprising aluminum or an aluminum alloy is laminated on top and a layer comprising titanium or a titanium alloy on bottom.例文帳に追加

本発明は、上部にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる層、下部にチタンまたはチタン合金からなる層が積層された金属積層膜のエッチングに際して、サイドエッチングを抑制し、良好な断面形状を得ることができる、エッチング液組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive etchant for collectively etching a multilayer film including a transparent electroconductive film and a metallic film by one operation with one liquid, without selectively etching each film, and for inhibiting side etching of each film.例文帳に追加

透明導電膜および金属膜を含む積層膜に対して、各膜をそれぞれ選択エッチングすることなく、１液で透明導電膜および金属膜を含む積層膜を一括エッチングすることが可能であり、かつ各膜のサイドエッチングを抑制することが可能な安価なエッチング液を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching method or the like for suppressing occurrence of bowing and undercut in a side wall part of an organic film and obtaining a sufficient etching shape at the time of plasma-etching the organic film through a mask consisting of a silicon-containing film, which is formed at an upper layer.例文帳に追加

有機膜を、その上層に形成されたシリコン含有膜からなるマスクを介してプラズマエッチングする際に、有機膜の側壁部分にボーイングやアンダーカットが発生することを抑制することができ、良好なエッチング形状を得ることのできるプラズマエッチング方法等を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern forming method, by which when a large number of individual patterns arranged parallel with one another are formed by dry-etching a conductive material joined to an insulating material, the side faces of the patterns are made free of the occurrence of etching defects, such as etching residue (footing) and a wedge-shaped cut (notching).例文帳に追加

絶縁材料上に接合された導電性材料にドライエッチングを施して、多数並列配置された個々のパターンを形成するにあたり、パターンの側面に加工残り（フッティング）や楔状の切れ込み（ノッチング）等のエッチング異常が生じないパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

After the conductive film of not less than 1 to 10 μm in film thickness containing aluminum or aluminum alloy is etched to a predetermined film thickness using wet etching, the rest is etched by dry etching to suppress side etching and a decrease in film thickness of a mask.例文帳に追加

膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。 - 特許庁

In a method for manufacturing the tuning fork type quartz oscillator using the photolithography technique, etching pattern width of a crystal orientation side that causes etching residue of a tuning fork branch part of the tuning fork type quartz oscillator is uniformly set to perform etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いた音叉型水晶振動子の製造方法において、音叉型水晶振動子の音叉枝部のエッチング残りを生じる結晶方位側のエッチングパターン幅を均一に設定しエッチングする事を特徴とする音叉型水晶振動子の製造方法とする。 - 特許庁

On a silicon substrate 110, a fixed electrode 112 covered with a fixed-electrode side insulator film (etching-proof layer) 113 and a diaphragm 114 on which the inside and outside of a diaphragm electrode 114a are covered with diaphragm side insulator films (etching-proof layers) 115, 118 through a gap 102 formed by eliminating the sacrificial layer 119 by etching.例文帳に追加

シリコン基板１１０上に、固定電極側絶縁膜（耐エッチング層）１１３で覆う固定電極１１２と、エッチングにより犠牲層１１９を除去することにより形成したギャップ１０２を介して、その上に振動板電極１１４ａの表裏を振動板側絶縁膜（耐エッチング層）１１５、１１８で覆う振動板１１４とを備える。 - 特許庁

A substrate is removed in a selective etching agent for a material of the substrate by wet chemical etching, and a first metal contact layer 7 is applied to the back side 6 of multi-layers 2, 3, 4, 5 facing the front side of the removed substrate, and a second metal contact layer 10 is applied to the front side 8 of a hetero-substrate 9.例文帳に追加

基板を湿式化学エッチングにより基板の材料用の選択エッチング剤中で除去し、除去された基板の表側に面する多重層２、３、４、５の裏側６上に第１の金属接触層７を、またヘテロ基板９の表側８上に第２の金属接触層１０を被着する。 - 特許庁

The plasma resistance of deposits 26 produced by dry-etching a side stopper layer with the blank 24 which has the shading layer 12 provided on the transparent substrate 11 and the side stopper layer 17 at its circumferential edge part is higher than the plasma resistance of the side stopper layer.例文帳に追加

透明基板に１１遮光層１２、周縁部にサイドストッパー層１７を設けたブランク２４で、サイドストッパー層をドライエッチングして生じる堆積物２６の耐プラズマ性が、サイドストッパー層の耐プラズマ性より高いこと。 - 特許庁

In an infrared laser region; a lower side clad layer 12, an active layer 13, a first upper side clad layer 14, an etching stop layer 15, and a second upper side layer 16 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。 - 特許庁

Then side walls 23a and 23b composed of an insulator are respectively formed on the side faces of the capacitor section of the memory cell region or the conductor wiring and the side faces of the gate electrode 13a in the peripheral circuit region by etching back the insulating film 23.例文帳に追加

絶縁膜２３をエッチバックして、メモリセル領域の容量部又は導体配線の側面と、上記周辺回路領域のゲート電極の側面とに、それぞれ絶縁体サイドウォール２３ａ，２３ｂを形成する。 - 特許庁

In a red laser region; a lower side clad layer 22, an active layer 23, a first upper side clad layer 24, an etching stop layer 25, and a second upper side clad layer 26 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤色レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層２２、活性層２３、第１上側クラッド層２４、エッチングストップ層２５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層２６が順次積層されている。 - 特許庁

Then the quantity of side etching of the Cr film 11S is reduced by the increase in the area of this circumferential surface of the Cr film 11S.例文帳に追加

そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

A pattern width of the thin-film pattern 7 is determined on the basis of two side faces 2B and 2C which are formed through the two-step etching process.例文帳に追加

２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。 - 特許庁

To prevent an isolation insulating film or a side wall from retreating due to wet etching of an insulating film for forming a non-silicide region.例文帳に追加

非シリサイド領域形成用の絶縁膜をウエットエッチングすることで生じる、分離絶縁膜の後退やサイドウオールの後退を防止する。 - 特許庁

The second resist film 25 on the rear surface side is removed for half-etching, and a recess 29 that has been half-etched is injected with a resin 19.例文帳に追加

裏面側の第２のレジスト膜２５を除去してハーフエッチングを行い、ハーフエッチングされた窪み部２９に樹脂１９を注入する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a display device in which a side etching of a laminated structure is prevented and a good shaped patterning can be made possible.例文帳に追加

積層構造のサイドエッチングを防止して良好な形状にパターニングすることができる表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first resist film 22 is then removed and a second resist film 23 is formed on another flank side and is similarly subjected to the etching treatment.例文帳に追加

次に、第１のレジスト膜２２を除去し、他方の側面側に第２のレジスト膜２３を形成して、同様にエッチング処理を施す。 - 特許庁

At the time of etching this process, a protector is stuck and bonded to a thin film device side by only a part of the substrate.例文帳に追加

本プロセスのエッチング時に保護物を薄膜デバイス面に貼り付ける際に、基板の一部分のみで接着することを特徴とする。 - 特許庁

Then, the plating bedding film exposing in the frame is etched, and etching rebounds of the plating bedding film are adhered again to the wall of the frame side.例文帳に追加

次に、フレーム間に露出しているメッキ下地膜をエッチングし、該メッキ下地膜のエッチング跳ね返りをフレーム側壁に再付着させる。 - 特許庁

The polishing resistant film and the spacer film at both side of an area in which a reproduction element is to be disposed are etched using the same etching gas (e).例文帳に追加

(e)再生素子を配置すべき領域の両側の研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする。 - 特許庁

The first etching stop film 110 is so formed as to enclose the side surface of a lower layer contact plug 109 provided on the silicide layer 106.例文帳に追加

第１のエッチングストップ膜１１０は、シリサイド層１０６上に設けられた下層コンタクトプラグ１０９の側面を囲んで形成される。 - 特許庁

Continually, by using a second chemical, the oxide film 2 is added to a side wall 2a such that etching is advanced also from the upper surface 2b.例文帳に追加

続いて、第２の薬液を用いて、酸化膜２を側壁２ａに加え、上側表面２ｂからもエッチングが進行するようにする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a High-k film can be etched while preventing the side etching of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極のサイドエッチングを防いでＨｉｇｈ−ｋ膜をエッチングすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The lamination film 20F is formed after removing a natural oxide generated on the main emission side end face 10F by plasma etching.例文帳に追加

積層膜２０Ｆは、主出射側端面１０Ｆに生じている自然酸化物をプラズマエッチングにより除去したのちに形成する。 - 特許庁

To reduce the quantity of side etching of a Cr film for forming a source electrode of a thin-film transistor in an active type liquid crystal display panel.例文帳に追加

アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。 - 特許庁

Two kinds of films 2 and 3 laminated on a substrate are processed vertically, and only the lower film 2 is subjected to side etching and undercut.例文帳に追加

基板上に積層に形成した二種類の膜２、３を垂直加工し、この下層膜２のみをサイドエッチングしアンダーカットを施す。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which deterioration of the device can be suppressed by suppressing side etching of a TiSi layer.例文帳に追加

ＴｉＳｉ層のサイドエッチングを抑制し、デバイス劣化を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The TMR element 3 comprises a redeposited layer 15 of an oxidized substance redeposited on the side wall 14 by further etching.例文帳に追加

ＴＭＲ素子３は、更に、エッチングされて側壁部１４に再付着した物質が酸化されてなる再付着層１５を備えている。 - 特許庁

The increase in the area of the circumference surface of Cr film 11S allows the amount of side etching of the Cr film 11S to be reduced.例文帳に追加

そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

Then the quantity of side etching of the Cr film 11S is reduced by the increase of the area of this periphery surface of the Cr film 11S.例文帳に追加

そして、このＣｒ膜１１Ｓの周囲面の面積の増大により、Ｃｒ膜１１Ｓのサイドエッチング量を低減することができる。 - 特許庁

Etching the conductive film 3 on the side faces 1c, 1d corresponding to the exposure pattern of the resist film 4 forms the electrodes.例文帳に追加

レジスト膜４の露光パターンに従って側面１ｃ、１ｄ上の導電性膜３をエッチングすることによって、電極を成形する。 - 特許庁

Second etching is performed to remove the dielectric remaining on the side wall of the columns and to form a second pair of trances.例文帳に追加

第２エッチングを行い，それにより，コラムの側壁上に残っている誘電体残留部を除去し，かつ第２組のトレンチを形成する。 - 特許庁

By etching overall the silicon oxide layer 25, the sidewalls 25a and 25b are formed on a side face 13b of the gate electrode 13.例文帳に追加

そして、シリコン酸化層２５を全面エッチングすることにより、ゲート電極１３の側面１３ｂに、サイドウォール２５ａ、２５ｂを形成する。 - 特許庁

Side spacers 22a to 22d are formed on each of the both sides of the electrode layers 20A, 20B, respectively by dry etching the formed insulating films.例文帳に追加

被着した絶縁膜をドライエッチングして電極層２０Ａ，２０Ｂの各々の両側部にサイドスペーサ２２ａ〜２２ｄをそれぞれ形成する。 - 特許庁

For the silicon substrate 1 at which the silicon has been eliminated mechanically, a through hole is formed by performing an anisotropic etching from the rear surface side.例文帳に追加

シリコンを機械的に除去したシリコン基板１に対して、裏面側から異方性エッチングを行うことで貫通孔を形成する。 - 特許庁

A trench having a depth larger than 40 times the width can be formed using a repetition cycle of etching and the process of making the side wall protecting attachment thinner.例文帳に追加

幅の４０倍より大きい深さを有するトレンチを、エッチングおよび薄化の繰り返しサイクルを用いることによって形成できる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion element having a side surface with different taper angles by conducting etching of a photoelectric conversion layer stage-by-stage.例文帳に追加

光電変換層のエッチングを段階的に行うことで、端部の側面が異なるテーパ角を有する光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Wet etching is performed from the rear side of the silicon substrate 1 to form a through hole as an ink supply opening 13 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の裏面側からウェットエッチングを行いシリコン基板１にインク供給口１３となる貫通口を形成する。 - 特許庁

A ground surface for the patch antenna is formed on the rear side of the dielectric substrate 31 so as to correspond to the patch antenna 34 by treatment like etching.例文帳に追加

誘電体基板３１の裏面には、パッチアンテナ３４に対応させてパッチアンテナ用グランド面をエッチング等の処理により形成する。 - 特許庁

Then, isotropic etching is performed, and a part 2d corresponding directly under the side wall of the floating gate 3 of the tunnel oxidation film 2 is removed.例文帳に追加

続いて、等方性エッチングを行って、トンネル酸化膜２のうち浮遊ゲート３の側壁直下に相当する部分２ｄを除去する。 - 特許庁