「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A part of the metallic film 2m with the side wall, exposed from the mask 3, and the re-deposited film 4 are etched by isotropic etching under an etching condition that the etching speed in the material of the metallic film 2m is higher than that in the material of the substrate 1.例文帳に追加

異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。 - 特許庁

To produce an etching solution for nickel or a nickel alloy in which the etching rate of the nickel or a nickel alloy is high, also, the erosion of the other metals such as copper and a copper alloy in particular is extremely small, and moreover, side etching is hardly occurred.例文帳に追加

ニッケルまたはニッケル合金のエッチング速度が速く、かつそれら以外の金属、特に銅や銅合金の浸食がきわめて少なく、更にサイドエッチングがほとんど生じないニッケルまたはニッケル合金のエッチング液を提供すること。 - 特許庁

By this setup, a wiring pattern can be nearly or completely protected against abnormal side etching caused by an electron shading phenomenon.例文帳に追加

これにより電子シェーディング現象による配線パターンの異常サイドエッチングの防止または低減が図られる。 - 特許庁

The striation is improved by making the side wall 111 swell, and the shape after the etching becomes proper.例文帳に追加

側壁部１１１を膨出させることでストライエーションが改善し，エッチング処理後の形状が好適なものとなる。 - 特許庁

The top-side contact section 20 has an opening patterned by etching, annealing, etc.例文帳に追加

頂面に位置する接触部（２０）には、エッチング処理、アニール等の方法によってパターンを成す開口部が形成される。 - 特許庁

The second film 210 has an etching selectivity ratio higher than that of the third film 220 with respect to the gate side wall film 130.例文帳に追加

第２膜２１０は、ゲート側壁膜１３０に対して第３膜２２０よりも高いエッチング選択比を有する。 - 特許庁

An n^++ diffusion layer 107 is formed on an internal side face of the groove 105 using the etching mask layer 102 as a diffusion mask.例文帳に追加

エッチングマスク層１０２を拡散マスクとして、溝１０５の内側面にＮ＋＋拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

The lower surface and the circumferential side face of the silicon substrate 1 are then roughened with level difference of 1-5 μm by wet etching.例文帳に追加

次に、ウェットエッチングにより、シリコン基板１の下面および周側面を段差１〜５μｍの粗面仕上げとする。 - 特許庁

Then the side-wall insulating films and a silicon oxide film are subjected to dry etching by using fluorocarbon-based gas.例文帳に追加

次に、フロロカーボン系のガスを使用して、サイドウォール絶縁膜およびシリコン酸化膜にドライエッチングが施される。 - 特許庁

The silicon nitride film 50 is removed, by etching by use of the side wall film 80 and the first hard mask 60 as masks.例文帳に追加

そして、側壁膜８０及び第１ハードマスク６０をマスクとしてシリコン窒化膜５０をエッチング除去する。 - 特許庁

Next, a side wall 11 is formed by simultaneously etching back the entire portion of the SiO_2 film 9 and SiN film 10.例文帳に追加

次に、ＳｉＯ_２膜９，ＳｉＮ膜１０を同時に全面エッチバックすることにより、サイドウォール１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for performing a polish processing simply and at high speed by etching of side peripheral surface of a glass disk.例文帳に追加

ガラスディスクの側周面のエッチングによる研磨加工を簡単且つ高速に行うための方法を提供する。 - 特許庁

Then, etching is conducted under a condition where the side wall 15 is removed, so as to form the second element separation groove 17.例文帳に追加

この後、サイドウォール１５を除去した状態でエッチングが行われ、第２の素子分離溝１７が形成される。 - 特許庁

To provide a method for simply performing polishing of side peripheral surfaces of glass disks by etching at high speed.例文帳に追加

ガラスディスクの側周面のエッチングによる研磨加工を簡単且つ高速に行うための方法を提供する。 - 特許庁

A connection land 19 is also formed on the surface side of a copper foil 63 by etching it.例文帳に追加

また、銅箔６３をエッチング処理することにより、銅箔６３面側にも接続用ランド１９を形成する。 - 特許庁

Next, a first resist film 22 is formed on the one flank side of the upper layer pole 14a and is subjected to an etching treatment.例文帳に追加

次に、上層ポール１４ａの一方の側面側に、第１のレジスト膜２２を形成し、エッチング処理を施す。 - 特許庁

The beam is formed by etching the other surface side of the 1st silicon substrate where the beam precursor is formed.例文帳に追加

その梁前駆体を形成した第１のシリコン基板の他方面側をエッチングすることにより梁を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device enabling effective prevention of the etching of side wall insulating films on a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の側壁絶縁膜のエッチングを効果的に防止することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

And seam leakage of the STI oxide caused by a polysilicon side wall present after the polysilicon gate etching can also be avoided.例文帳に追加

ポリシリコン・ゲート・エッチング後に残存するポリシリコン側壁によるＳＴＩ酸化物のシーム漏れも回避される。 - 特許庁

Etching is done from the side of the back surface 2b of the wafer 2, thereby isolating the wafer 2 into the semiconductor elements 12.例文帳に追加

ウェハ２の裏面２ｂ側からエッチングを施すことによりウェハ２を個々の半導体素子１２に分離する。 - 特許庁

By applying anisotropic etching to the SiOC film 26, a gate spacer film 28 is formed on each side wall of the trenches.例文帳に追加

ＳｉＯＣ膜２６を異方性エッチングすることにより、トレンチの側壁にゲートスペーサ膜２８を形成する。 - 特許庁

The sacrifice side wall spacer is removed, and a recess is formed in the semiconductor substrate 102 by etching.例文帳に追加

上記犠牲側壁スペーサが取り除かれ、エッチングによって半導体基板１０２内にくぼみが形成される。 - 特許庁

Finally, the SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas from the back side, thereby the metal membrane 4 is completed.例文帳に追加

最後に、裏面側から、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、金属メンブレン４を完成させる。 - 特許庁

Further, the second unit has a benzene ring in its side chain, so that the second unit contributes to improvement of resistance to dry etching of the resist film.例文帳に追加

また、第２のユニットは側鎖にベンゼン環を有しており、これがドライエッチング耐性の向上に寄与する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circuit device which can reduce a side etching while forming a thick conductive pattern.例文帳に追加

サイドエッチングを小さくしつつ厚い導電パターンを形成可能な回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The outermost hole of etching holes 141 (micro pores) contributing to forming an upper side void 131 is positioned on an inner side than the outermost hole of etching holes 124 or a void 123 contributing to forming a lower side void 111.例文帳に追加

上側空洞部分１３１の形成に寄与するエッチングホール（細孔）１４１について、その最外周に位置するものは、下側空洞部分１１１の形成に寄与するエッチホール１２４また空隙１２３のうち、最外周に有るものよりも内側に配置する。 - 特許庁

Near the side of the semiconductor light- emitting device, one portion of the upper side of the p-AlGaInP middle bandgap layer 107 and the p-clad layer 104 is removed by etching.例文帳に追加

素子側面近傍においてｐ-ＡlＧaＩnＰ中間バンドギャップ層１０７およびｐ-クラッド層１０４の上側の一部をエッチングにより除去する。 - 特許庁

A side wall passivation is managed by selectively forming an oxide passivation layer on the side wall and/or the bottom portion of an etching layer.例文帳に追加

一実施形態において、側壁パッシベーションは酸化パッシベーション層をエッチング層の側壁及び／又は底部に選択的に形成することによって管理される。 - 特許庁

Thus, where a trench groove side surface or a mesa-etching side surface is used as the M-face, the leak current and decrease in withstand voltage of the group III nitride semiconductor device can be prevented.例文帳に追加

したがって、トレンチ溝側面またはメサエッチング側面をＭ面とすれば、III 族窒化物半導体装置のリーク電流や耐圧低下を防止できる。 - 特許庁

To provide a method of etching semiconductor device by which the side wall of the step of a semiconductor device constituted of the principal surface and side wall of the device is etched.例文帳に追加

主表面と側壁とから構成される段差を有する半導体装置の段差の側壁をエッチングする方法提供することを課題とする。 - 特許庁

When a metal film is utilized as an alignment mark in the middle of a manufacturing process, the width of the metal film is widened twice the amount of side etching, so that the metal film an be removed by the side etching contained in the process to be performed later such as photolithography, etc.例文帳に追加

製造工程の途中で、金属膜をアライメントマークとして利用する際には、ホトリソグラフ等の後工程に含まれるエッチング処理で、サイドエッチで除去可能なように、幅をサイドエッチ量の２倍未満にしておく。 - 特許庁

Thereby, each side-etching quantity, generated in the first thin film 13, is so observed by an optical microscope as to measure each side-etching quantity of the first thin film 13 and as to evaluate the adhesiveness of the first thin film 13 to the second thin film 15.例文帳に追加

これにより、第１薄膜１３に生じたサイドエッチング量を光学顕微鏡で観察することにより、第１薄膜１３のサイドエッチング量を測定して、第１薄膜１３と第２薄膜１５との密着性を評価する。 - 特許庁

In etching the semiconductor sensor chip 5, etching is performed with a desired region left undone, whereby a projection 9a is provided in three portions on the back side (surface side mounted on a control IC chip 3) of the semiconductor sensor chip 5.例文帳に追加

半導体センサチップ５にエッチングを施す際に、所望領域を残すようにエッチングを施すことにより、半導体センサチップ５の裏面側（制御ＩＣチップ３へ搭載される面側）に突起９ａを３箇所設けている。 - 特許庁

A resist 306 is further formed so as to cover the upper surface of the residual portion whose side surface is covered by the side wall, wet etching is executed to remove the removal scheduled portion after the resist is formed, and the resist is removed after the wet etching.例文帳に追加

さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。 - 特許庁

The resist pattern 10 is softened during etching thereby and even if a lower side of the resist pattern 10 is corroded by etching, the corroded region can be covered by the resist pattern 10.例文帳に追加

これにより、エッチング中にレジストパターン１０が軟化し、エッチングによりレジストパターン１０の下面側が浸食されても、その浸食領域をレジストパターン１０で覆うことができる。 - 特許庁

Through the configuration above, the possibility of producing the projection to the side face of the resonator arm can be precluded in the case of etching the part equivalent to the groove by immersing the substrate into the substrate etching solution.例文帳に追加

このような構成にすることで、基板を基板エッチング液中に浸漬して溝部に相当する部分をエッチングする際に、振動腕部の側面に突起部が発生するおそれがない。 - 特許庁

Subsequently, the orifice film 2 bonded to the holding substrate 9 is subjected to ion etching with an etching gas, i.e., a mixture gas of oxygen and chlorine, to form a curved part 14 on the inlet side 18 of the ejection opening 3.例文帳に追加

次に、保持基板９に接着されたオリフィスフィルム２を、酸素と塩素の混合ガスからなるエッチングガスでイオンエッチングし、吐出口３の入口側１８に曲線部１４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for plasma etching processing which reduces an amount of losses of a Poly-Si layer side wall etching or ground Si layer for constituting a gate module at high dielectric constant gate insulating film time.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜時のゲートモジュールを構成するＰｏｌｙ−Ｓｉ層側壁サイドエッチングや下地Ｓｉ層のロス量を低減させるプラズマエッチング処理方法を提供する。 - 特許庁

The second upper cladding layer 16 remaining on a first etching stopper layer 15 in a side part of the first ridge 32 is selectively removed by wet etching, using the resist 31 as a mask.例文帳に追加

レジスト３１をマスクとしたウェットエッチングにより、第１のリッジ３２の横の部分において第１のエッチングストッパ層１５上に残っている第２の上クラッド層１６を選択的に除去する。 - 特許庁

The lower electrode 18 and a drain side etching stopper 20 which is the same layer as the layer thereof are formed on the lower layer of an active layer 21 and is used as a stopper at the time of etching of contact holes 30 and 31.例文帳に追加

又活性層２１の下層に下側電極１８及びこれと同層のドレイン側エッチングストッパ２０を形成し、コンタクトホール３０、３１のエッチング時のストッパとする。 - 特許庁

Thereafter, by conducting dry etching using the Ni layer 8 as an etching stopper, the via hole 1s reaching the Ni layer 8 from a back face side of the insulating substrate 1 is formed in the insulating substrate.例文帳に追加

その後、Ｎｉ層８をエッチングストッパとするドライエッチングを行うことにより、絶縁性基板１に、その裏面側からＮｉ層８まで到達するビアホール１ｓを形成する。 - 特許庁

Dry etching for forming the trench on the surface on a semiconductor element forming side of the wafer 1 and dry etching for making the entire back surface of the wafer 1 into the thin layer are simultaneously performed in the same atmosphere.例文帳に追加

ウエハー１の半導体素子形成側の表面にトレンチを形成するド ライエッチングと、前記ウエハー１の裏面全面を薄層化するドライエッチング を、同じ雰囲気中で同時に行う。 - 特許庁

Next, a first etching-resistant resin layer 23 is formed on the first resist layer 21, and the recessed part 14 is formed on the metal substrate 20 by performing etching from the other surface 20B side of the metal substrate 20.例文帳に追加

次に第１のレジスト層２１上に、第１の耐エッチング樹脂層２３を設け、金属基板２０の他面２０Ｂ側からエッチングを施して、金属基板２０に凹部１４を形成する。 - 特許庁

At the 2nd vapor-deposited part, an etching pattern layer 22c having a specified pattern is formed and an illuminaire 30 irradiates the etching pattern layer with light from the back side of the 2nd vapor- deposited part.例文帳に追加

第２の蒸着部には所定のパターンを有するエッチングパターン層２２ｃが形成されており、照明具３０は第２の蒸着部の背面側からエッチングパターン層に光を照射する。 - 特許庁

Thereafter, the second material film 3 on a principal surface side is removed by wet etching by using the second chemical until the first material film 2 formed on the principal surface side is exposed, and the first material film 2 on the principal surface side is removed by using the first chemical by wet etching until a semiconductor substrate surface is exposed on the principal surface side.例文帳に追加

その後、第２薬液を用いて主面側に形成された第１材料膜２が露出するまで主面側の第２材料膜３をウェットエッチング除去し、さらに第１薬液を用いて主面側に半導体基板面が露出するまで主面側の第１材料膜２をウェットエッチング除去する。 - 特許庁