「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Since the whole surface of the circuit is covered with the film 5, not only the top of the circuit is prevented from being damaged during flush etching, but also over etching of the side face of the circuit is especially prevented.例文帳に追加

回路の表面全体が金属保護膜５で覆われるので、フラッシュエッチングの際に回路のトップ部分へのダメージを防ぐだけでなく、特に回路側面のオーバーエッチングを防ぐことができる。 - 特許庁

After a storage node 10 is formed, when oxide films 8, 20 are eliminated by wet-etching, as the underlayer oxide film 4 does not expose to the side face of a contact hole 6, thereby preventing unexpected etching.例文帳に追加

ストレージノード１０の形成後、酸化膜８及び２０をウェットエッチングで除去する際、下地酸化膜４がコンタクトホール６の側面に露出していないので、その不測のエッチングを防止することができる。 - 特許庁

A resist layer whose removal time becomes longer than that of the shading layer is provided, the shading layer is removed by dry etching to have no skirt, and products from the side stopper layer are deposited for protection against the etching.例文帳に追加

レジスト層の除去時間を遮光層のそれより長くなるレジスト層を設け、ドライエッチングで遮光層を裾がなく除去し、サイドストッパー層からの生成物を堆積させエッチングから保護する。 - 特許庁

To provide both-side treated copper foil for a printed wiring board excelling in both adhesiveness to an insulation board and an etching property, excelling in an etching property in forming a circuit pattern, and suitable for fining a pitch.例文帳に追加

絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、回路パターン形成の際のエッチング性が良好でファインピッチ化に適したプリント配線板用両面処理銅箔を提供する。 - 特許庁

In the second etching process, a resist film is formed to cover the upper and the side surfaces of the second and the third conductive wiring layers which have already been patterned in the first etching process.例文帳に追加

第２のエッチング工程では、第１のエッチング工程においてすでにパターニングされた第２及び第３の導電性配線層の上面及び側面を被覆するようにレジスト膜が形成される。 - 特許庁

At the side part 18, a protective film 16 is formed of a material having an etching selection ratio to the sacrificial oxide film 29 larger than the etching selection ratio of the surface film 11 to the sacrificial oxide film 29.例文帳に追加

次いで、側部１８に、犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比が、表面膜１１の犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜１６を形成する。 - 特許庁

When Miller indices of the silicon wafer 6 are (110), by setting the applying potential Va at a negative side from a rest potential Vr, etching restraining generation of micropyramids is enabled, and an etching surface is smoothed.例文帳に追加

シリコンウエハ６の面方位指数が（１１０）の場合には、印加電位ＶａをレストポテンシャルＶｒよりも負側に設定すると、マイクロピラミッドの発生を抑制したエッチングを行なえ、エッチング面は平滑化される。 - 特許庁

A method for continuously etching them comprises converting tin (II) generated in the water-soluble solution to tin (IV), by adding an oxidizing agent to the solution, contacting it with oxygen and air, oxidizing it at an anode side with electrolysis, or the like, and etching them.例文帳に追加

連続的にエッチングするには、水溶液中に生じたスズ（II）を酸化剤の添加、酸素や空気との接触、電解で陽極側で酸化させる等により酸化してスズ（IV）に戻してエッチングする。 - 特許庁

In addition, a substrate 17 for seal is stuck on one side surface 10 of the etching stopper 2, insulating liquid 18 is enclosed between the etching stopper 2 and the substrate 17 for seal, and the EL element 6 is protected thereby.例文帳に追加

さらに、エッチングストッパ２の一方面１０にシール用基板１７を貼合わせ、エッチングストッパ２とシール用基板１７との間に絶縁性液体１８を封入してＥＬ素子６を保護する。 - 特許庁

Therefore, the side face of the Al (alloy) film is hardly exposed to the plasma of chlorine-based gas or fluorine-based gas during etching or channel etching the semiconductor layer 23, which can suppress corrosion of the Al (alloy) film.例文帳に追加

このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。 - 特許庁

When the separation grooves for chip separation and laser lift-off are formed by etching, the active layer 3 is not exposed to etching gas for long time by covering a chip side with the protection insulating film 6.例文帳に追加

チップ側面を保護絶縁膜６で覆う構造とすることで、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する場合、活性層３等が、長時間エッチングガスに曝されることがない。 - 特許庁

The nozzle plate is arranged integrally on the substrate and the ink chambers are made by isotropically etching the substrate exposed through the nozzles using the side wall as an etching stop wall.例文帳に追加

前記ノズルプレートは、基板上に一体に構成され、前記インクチャンバは側壁をエッチング阻止壁として利用しつつノズルを通じて露出された基板を等方性エッチングすることによってなされる。 - 特許庁

Consequently, even if the W layer 8 is exposed when the interconnection layer is processed by the dry etching, a trouble such as conventionally generated side etching or the like does not occur on account of the absence of the Ti layer 9.例文帳に追加

こうすることによって、配線層をドライエッチで加工するときにＷ層８が露出しても、Ｔｉ層９がないので、従来のようなサイドエッチが生じるといった問題が発生することがない。 - 特許庁

The video signal line of this material composition satisfies requirements of high dry-etching resistance, low resistance, low ACF contact resistance, low side-etching amount, forward tapered wiring cross section form, and 2 or less number of laminations.例文帳に追加

この材料構成の映像信号線により、高ドライエッチング耐性，低抵抗，低ＡＣＦ接触抵抗，低サイドエッチング量，順テーパ状配線断面形状，積層数２以下の各要件を満たす。 - 特許庁

To reduce the quantity of side etching of a Cr film for forming the source electrode of a thin-film transistor in an active liquid crystal display panel.例文帳に追加

アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。 - 特許庁

The inclined shape of the sacrifice layer with the terminal of the oxidized surface of the sacrifice layer as a starting point is then formed by side etching.例文帳に追加

そして、酸化した犠牲層表面の端部を起点とした犠牲層の傾斜形状をサイドエッチングにより形成する。 - 特許庁

When the semiconductor wafer (28) is arranged for wet type etching, the reverse side of the wafer is subjected to rinsing using water at the same time.例文帳に追加

半導体ウェーハ（２８）を湿式エッチングするための配置では、前記ウェーハの裏側が、水によるリンスに同時に曝される。 - 特許庁

Meanwhile, a lower part 11L of the ridge has a ridge shape comprising a vertical ridge side surface 11LS by vertical anisotropic dry etching.例文帳に追加

また、リッジ下部１１Ｌは、垂直異方性ドライエッチングによって、垂直なリッジ側面１１Ｌｓとなるリッジ形状となっている。 - 特許庁

The cover side wafer measurement process S5 and the etching process S7 include adjusting the capacity value of the load capacity C_L to a target set value.例文帳に追加

蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とは、負荷容量Ｃ_Ｌの容量値を目標設定値に調整する。 - 特許庁

In this case, a part overhanging from the conductive film 18 is etched by the side-etching of the conductive film 18 in the metal layer 26.例文帳に追加

このとき、金属層２６の、導電膜１８のサイドエッチングによって導電膜１８からオーバーハングした部分をエッチングする。 - 特許庁

To reduce the quantity of side etching of a wiring layer and to suppress the narrowing of the wiring width of the wiring layer and an irregularity in the wiring width in a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

配線層のサイドエッチング量を減少させ、配線層の配線幅の狭幅化及びばらつきを抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a crystal resonator wherein a side etching is hardly in progress from a boundary face of joined crystal wafers.例文帳に追加

接合した水晶ウエハの境界面からサイドエッチングが進みにくくした水晶振動子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A polysilicon layer 11 is grown on one surface of an active layer wafer 10 after etching, with the silicon surface on the opposite side mirror- polished.例文帳に追加

エッチング後の活性層用ウェーハ１０の片面にポリシリコン層１１を成長させ、反対側のシリコン面を鏡面研磨する。 - 特許庁

The side face (etching face) of the field insulation film is inclined at about 20 to 42.5° with respect to the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）を、半導体基板の表面に対して概ね２０°〜４２．５°傾斜した側面にする。 - 特許庁

To avoid inconvenience due to side etching although a subtractive method which can minimize the cost is used to form a printed board.例文帳に追加

プリント基板を作成するにあたり最もコストを抑えられるサブトラクティブ法を用いながら、サイドエッチングによる不都合を回避する。 - 特許庁

A side wall of the second film is slightly removed when a resist mask is stripped by a resist stripping solution after the second etching step.例文帳に追加

第２のエッチング工程後にレジストマスクをレジスト剥離液により剥離するに際し、第２の膜の側壁が少し削られる。 - 特許庁

An edge part 300 in the removed region is cut by side etching to form a groove 310 in the edge part 300.例文帳に追加

次に、除去された領域のエッジ部３００をサイドエッチングによって削ることで、エッジ部３００に溝部３１０が形成される。 - 特許庁

The first etching mask includes first and second side walls facing each other with a first interval in a track width direction.例文帳に追加

第１のエッチングマスクは、トラック幅方向について第１の間隔をあけて対向する第１および第２の側壁を有する。 - 特許庁

To pattern a comparatively thick ITO thin film, which was formed by room temperature film formation on a flexible board, through etching without causing residue or side etch.例文帳に追加

フレキシブル基板上に室温成膜した比較的厚いＩＴＯ薄膜をエッチングにより残渣やサイドエッチなくパターニングすること。 - 特許庁

An element formation semiconductor layer 4 having side walls 5, 5a is formed in the element formation region 1 by etching the semiconductor layer 11.例文帳に追加

素子形成領域１に、半導体層１１をエッチングして側壁５、５ａを有する素子形成半導体層４を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress side etching of an upper layer of metallic wiring.例文帳に追加

金属配線の上層のサイドエッチングの発生を抑制することができる、半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The second etching mask 54 includes side walls 54a and 54b facing each other with a second interval larger than the first interval.例文帳に追加

第２のエッチングマスク５４は、第１の間隔よりも大きい第２の間隔をあけて対向する側壁５４ａ，５４ｂを有する。 - 特許庁

A hard mask 4b is formed by etching the exposed side face of an insulating film 4a in a vapor phase hydrofluoric acid atmosphere.例文帳に追加

気相フッ酸雰囲気中にて、絶縁膜４ａの露出した側面にエッチングを施すことによりハードマスク４ｂを形成する。 - 特許庁

(4) An outer layer circuit pattern is formed by etching on the copper foil of the one side copper clad laminate formed in the process (3).例文帳に追加

（４）前記工程（３）で形成された片面銅張積層板の銅箔にエッチング手法により、外層回路パターンを形成する。 - 特許庁

By etching the island portion from the rear side of the substrate 100, the cavity 110 is formed just under the resonator.例文帳に追加

そして、基板１００の裏面から、前記島部分をエッチングすることで、前記共振器の直下に空洞１１０を形成する。 - 特許庁

Afterward, the trench 11c of a desired shape is formed by etching residual quartz crystal between the side trenches 11d, 11d.例文帳に追加

その後、このサイド溝部１１ｄ，１１ｄの間に残っている水晶をエッチングして所定形状の溝部１１ｃを形成する。 - 特許庁

Thereafter, a diffusion prevention spacer 164a is formed on a side surface of the gate pattern 200, by subjecting the diffusion-preventing film 164 to anisotropic etching.例文帳に追加

以後、拡散防止膜１６４を異方性エッチングしてゲートパターン２００の側面に拡散防止スペーサ１６４ａを形成する。 - 特許庁

The predetermined direction is set so that the side surface of the stripe mesa structure 40 formed by wet etching has a forward mesa shape.例文帳に追加

所定方向は、ウェットエッチングにより形成されるストライプメサ構造４０の側面が順メサ形状となるように設定される。 - 特許庁

In addition, a second conductor film is formed and etching is performed to leave the second conductor film on the side faces of the second insulating film.例文帳に追加

そして、第２の導電体膜を形成し、第２の絶縁膜の側面に第２の導電体膜に残すエッチングを行う。 - 特許庁

A non-sticking fog generating unit 26 for feeding non-sticking fog(F) to the inside of the etching chamber 22 is provided on the side of the chamber 23.例文帳に追加

チャンバ２３の側部に、エッチング室２２内にスティックレスフォグＦを供給するスティックレスフォグ発生ユニット２６を設ける。 - 特許庁

To reduce the amount of side etching of a Cr film for source electrode formation of a thin film transistor, in an active liquid crystal display panel.例文帳に追加

アクティブ型液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタのソース電極形成用のＣｒ膜のサイドエッチング量を低減する。 - 特許庁

In the method for regenerating the iron chloride-based etching liquid containing nickel in an electrolytic cell, an Fe-Ni alloy in an amount dissolved by an etching stage among metal in the etching liquid is electrolytically recovered at the ratio of the alloy dissolved by the etching stage on the cathode side of the electrolytic cell, and chlorine ions produced by a reduction reaction on the cathode side are consumed to oxidize bivalent iron into tervalent iron.例文帳に追加

ニッケルを含む塩化鉄系エッチング液を電解槽にて再生する方法において、電解槽の陰極側で、エッチング液中の金属のうちエッチング工程により溶解されたＦｅ−Ｎｉ合金の量をエッチング工程により溶解された合金比率で電析回収し、電解槽の陽極側で、陰極側の還元反応により生成される塩素イオンを消費充当して２価鉄を３価鉄に酸化する。 - 特許庁

A display device has a substrate which has a rectangular shape and on which a plurality of terminals is arranged on one side of the rectangular shape, wherein the side face of the one side of the substrate is formed by wheel or laser, and at least part of three side faces other than the side face of the one side of the substrate is formed by etching.例文帳に追加

矩形形状を有し、前記矩形形状の一辺側に複数の端子が配置された基板を有する表示装置であって、前記基板の一辺側の側面がホイール又はレーザによって形成され、前記基板の一辺側の側面を除く他の３つの側面の少なくとも一部がエッチングによって形成されている。 - 特許庁

After a side wall protection film 22 is formed with a film having more difficulty in water penetration than the Low-k film, a side surface of the semiconductor device is protected with the side wall protection film 22 by exposing a metal pad 20 by etching back the side wall protection film 22, leaving this side wall protection film 22 formed at the side surface of the semiconductor device.例文帳に追加

そして、上記Ｌow‐ｋ膜よりも水分の浸透し難い膜で全体に側壁保護膜２２を成膜した後、側壁保護膜２２をエッチバックして金属パッド２０を露出させると共に、半導体装置側面に成膜された側壁保護膜２２を残して、半導体装置側面を側壁保護膜２２で保護する。 - 特許庁

A non-reactive sputtering etching method includes a step for etching after a photoresist layer 106 as a mask material is formed on an inner side of a step formed on an etching film 102, a step for baking at 180 to 200°C after the photoresist is exposed and developed, and a step for etching without reactive sputtering.例文帳に追加

反応性を用いないスパッタエッチングにおいて、被エッチング膜１０２上に形成された段差の内側にマスク材としてのフォトレジスト層１０６を形成してエッチングする工程と、前記フォトレジストを露光現像後、１８０〜２００℃の温度でベークする工程と、反応性を用いないスパッタエッチング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁