「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

With the formation of the (111) faces by wet etching and the dissolution of side etching by dry etching, the plate-like structure is accurately formed with a required minimum produced area.例文帳に追加

ウエットエッチングによる（１１１）面の形成と、ドライエッチングによるサイドエッチングの解消により、板状構造体が必要最低限の作製面積で精度良く形成される。 - 特許庁

In the copper foil 1 of an electronic circuit where a circuit is formed by etching, a metal or alloy layer 7 having an etching rate lower than that of copper is formed on the etching face side.例文帳に追加

エッチングにより回路形成を行う電子回路用銅箔１において、エッチング面側に銅よりエッチングレートの遅い金属又は合金層７を形成した。 - 特許庁

Then, the second polysilicon electrode is prevented from being thinned out by the side wall product which is a by-product produced by anisotropic etching while the etching residues are removed by isotropic etching.例文帳に追加

次に、等方性エッチングでエッチング残存物を除去しつつ、第２ポリシリコン電極の細りを異方性エッチング時の副産物である側壁生成物で防止する。 - 特許庁

To provide an etching method capable of dry etching even for copper or materials containing copper at an enough speed without causing problems such as side etching and surface roughness.例文帳に追加

銅や銅を含む材料に対しても、サイドエッチングや表面荒れ等の問題を発生させることなく、かつ充分な速度でドライエッチングできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Etching is conducted from the side of 13 after the release, whereby through-holes are formed (Fig. (H)).例文帳に追加

剥離後１３側からエッチングを行い、貫通孔を形成する（図２（Ｈ））。 - 特許庁

To provide a halftone mask capable of suppressing side etching of an etching stopper layer in washing processing using concentrated sulfuric acid.例文帳に追加

濃硫酸を用いた洗浄処理においてエッチングストッパ層のサイドエッチングを抑制することができるハーフトーンマスクを提供する。 - 特許庁

Etching is performed while pressing the lower surface side of the wafer 1 with a force stronger than pressure being applied from etching liquid E.例文帳に追加

ウエハ１がエッチング液Ｅから受ける圧力よりも大きな力で、ウエハ１の下面側を加圧しながらエッチング処理を行う。 - 特許庁

To machine the surface of a semiconductor substrate to an ideal shape by suppressing the generation of side etching in wet etching treatment.例文帳に追加

ウエットエッチング処理におけるサイドエッチングの発生を抑制して、半導体基板の表面を理想的な形状に加工する。 - 特許庁

Consequently, the etching away of the processed layer A3 from the side face can be prevented in a second etching treatment process.例文帳に追加

これによって、第２エッチング処理工程において、被処理層Ａ３が前記側面からエッチングされることを防止することができる。 - 特許庁

In etching, a substrate 1 is transferred to an etching device in such a state that an intermediate reference body 20 is arranged on the transfer direction side of the substrate 1.例文帳に追加

エッチングにおいては、基板１の搬送方向側に中間基準体２０を配置して、エッチング装置に搬送する。 - 特許庁

Then, an etching liquid for etching the silicon substrate 21 is supplied into each of the through holes 23 from the silicon oxide film 22 side.例文帳に追加

そして、シリコン酸化膜２２側から各貫通孔２３内に、シリコン基板２１をエッチングするためのエッチング液が供給される。 - 特許庁

In the etching method, etching is performed from the side of the copper foil 13 with a structure hard to be etched, and the pattern of copper foil with a gradient structure is formed.例文帳に追加

難エッチング構造を有する銅箔１３側からエッチングを行い、構造傾斜銅箔のパターンを形成すること。 - 特許庁

To provide an etching component produced by wet etching after forming an etching resist pattern on a metal material, which prevents progress of side etch, that is, to provide an etching component of high aspect ratio and to provide a method for manufacturing the component.例文帳に追加

金属材料上にエッチングレジストのパターンを形成し、ウエットエッチングによって製造したエッチング部品であって、サイドエッチの進行を防いだ、即ち、高アスペクト比のエッチング部品、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the structure explained above, entry of etching product to the side wall portion 15 is controlled and generation of platinum compound including etching product at the side wall portion 15 during the etching process of substrate 8 can be prevented.例文帳に追加

この構造により、側壁部１５へのエッチング生成物の進入が抑制され、基板８のエッチング時に側壁部１５にエッチング生成物を含む白金化合物の発生を未然に防止することが可能になる。 - 特許庁

Since the amount of side etching is suppressed when wet type etching is performed with a ferric chloride solution to which the additive for suppressing side etching is added, a copper printed circuit board having a circuit pattern with a fine line width is realized.例文帳に追加

このサイドエッチング抑制用添加剤が添加された塩化第二鉄溶液で湿式エッチングするとき、サイドエッチング量が抑制されるので、微細な線幅の回路パターンを有する銅プリント配線板が実現される。 - 特許庁

A side wall product is provided to the second polysilicon electrode by the anisotropic etching process, and the anisotropic etching process is stopped before an enough side wall product is formed on an etching residue below the overhang of the first polysilicon electrode.例文帳に追加

この異方性エッチングは、第２ポリシリコン電極に側壁生成物を生成し、第１ポリシリコン電極のひさし下のエッチング残存物に充分な側壁生成物が生成されない時点で完了する。 - 特許庁

Here, the pits P2 due to a defect, such as a flaw which exists on the counter substrate 20 originally similarly to an etching side E1 are formed on an etching side E2 formed by etching the counter substrate 20.例文帳に追加

ここで、対向基板２０をエッチング処理することによって形成されたエッチング面Ｅ２には、エッチング面Ｅ１と同様に、対向基板２０に元々存在していた傷等の欠陥に起因してピットＰ２が形成されている。 - 特許庁

The metal etched product has a metallic pattern having a side wall made by a primary etching which makes an opening on the surface layer side of a metal layer, and a side wall made by a secondary etching in a deep layer side, which uses an electrodeposited photoresist; and having the etching factor of the opening in the metallic pattern controlled to 2.6 or higher.例文帳に追加

開孔部が金属層の表層側に一次エッチングによる側壁を有し、深層側に電着フォトレジストを用いた二次エッチングによる側壁を有する金属パターンであって、該金属パターンの開孔部のエッチングファクターが２．６以上であること特徴とする金属エッチング製品。 - 特許庁

The outer side surface of the rear surface side transparent substrate 304 is roughened by etching or sandblasting.例文帳に追加

背面側透明基板３０４の外側表面は、エッチングあるいはサンド・ブラストなどによって粗面化されている。 - 特許庁

By the dissolution of the side of the active layer 3, damage by dry etching is removed.例文帳に追加

この活性層３側面の溶解により、ドライエッチングでのダメージが除去される。 - 特許庁

To improve the etching efficiency and reliability of an etching device for silicon wafer by constituting the device in such a way that the device can etch the rear surface side of a silicon wafer while the device etches the front surface side of the wafer.例文帳に追加

シリコンウエハの表側面をシールしつつ裏側面にエッチングを施す構成とすることにより、エッチング処理の効率化、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

In other words, side etching will not advance very much in the depth direction, even if overetching is applied, and side etching can be controlled easily and a stable form is obtained.例文帳に追加

つまり、オーバーエッチングを加えても、サイドエッチングが深さ方向に対して極端に進むことはなく、サイドエッチングの制御が容易になり、安定した形状を得ることができる。 - 特許庁

When the etching process advances to some degree, the corrosion-proof film in the side of +Z axis is removed and thereafter a part with side surface residues of vibration leg are removed with the wet etching process.例文帳に追加

ある程度エッチングが進んだら、＋Ｚ軸側の耐食膜を除去した後、さらにウエットエッチング加工を行って振動脚の側面残渣の発生部分を除去する。 - 特許庁

To provide a method of forming a side spacer capable of stably detecting an etching termination.例文帳に追加

安定したエッチング終点検出が可能なサイドスペーサ形成法を提供する。 - 特許庁

Through the side wall layer, a first set of characteristics are etched in the etching mask stack.例文帳に追加

側壁層を通して、第１組の特徴が、エッチングマスクスタック内へとエッチングされる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor laser element capable of preventing side etching from progressing to a side wall of a GaAs cap layer when performing etching for forming a ridge part.例文帳に追加

リッジ部を形成するためのエッチングの際にＧａＡｓキャップ層の側壁にサイドエッチングが進行することを防止できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching method by which side etching is prevented when wet-etching is applied to a corrosion-proof film formed on a substrate made of a piezoelectric material thereby increasing etching accuracy, and to provide a method for manufacturing a piezoelectric device and a method for manufacturing a piezoelectric oscillating piece both utilizing the etching method and structure of electric corrosion inhibition pattern.例文帳に追加

圧電材料である基板に形成した耐蝕膜をウエットエッチングする際に、サイドエッチングを防止し、精度を向上させるエッチング方法とこれを利用した圧電振動片と圧電デバイスの製造方法ならびに電喰抑制パターンの構造を提供する。 - 特許庁

On the wiring circuit board 1, a side etching part a corroded from both side ends in the width direction of a conductor layer 8 to the inner side in the width direction is formed by etching on a base layer 7 below the conductor layer 8.例文帳に追加

配線回路基板１では、導体層８の下の下地層７に、導体層８の幅方向両側端部から幅方向内側に浸食されるサイドエッチング部分９を、エッチングにより形成する。 - 特許庁

When providing the through-hole from a back side of the substrate 100 by anisotropy etching, a silicon nitride film serving as a membrane is formed on a front side of the substrate to prevent an etching liquid from leaking to the front side of the substrate.例文帳に追加

異方性エッチングにより基板１００の裏側から貫通孔を設ける際に、基板の表側にメンブレンとなるシリコン窒化膜を形成し、エッチング液が基板の表側には漏れ出さないようにする。 - 特許庁

At first, for a base material having a first flat side and a second flat side, each side is selectively etched from the first side to a side to be etched at a predetermined etching level for forming an etched region.例文帳に追加

まず、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面から選択的にエッチングする。 - 特許庁

The degree of etching permeation in the half-etching region 12 becomes shallower from the porous region side end part, gradually toward he outside in the long edge member direction.例文帳に追加

ハーフエッチング領域12のエッチング浸度は有孔領域側端部から長辺方向外側へ向かって徐々に浅くなっている。 - 特許庁

After that, a side wall forming film 7a is formed over the entire surface, and the selective etching of the side wall forming film is carried out on the basis of an etching selectivity ratio, thereby forming side walls 7 on side faces of the readout electrode via the second insulating film.例文帳に追加

次に、全面にサイドウォール形成膜７ａを形成し、エッチング選択比に基づくサイドウォール形成膜の選択的エッチングにより、読み出し電極の側壁に第二絶縁膜を介してサイドウォール７を形成する。 - 特許庁

To provide an etching method which facilitates confirmation of end of etching without making a preliminary test, and suppresses or prevents the microloading effect and deformation caused by side etching.例文帳に追加

予備実験を伴うことなくエッチングの終了確認を容易にし、サイドエッチングに起因するマイクロローディング効果、異形化を抑制もしくは防止することのできるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

A cause for this dark current is that an etching residue stacks at the end side face of a photoelectric conversion layer as a result of etching and electric conduction occurs via the etching residue.例文帳に追加

この暗電流の一因は、エッチングで発生したエッチング残渣が光電変換層の端部の側面に堆積し、このエッチング残渣を介して導通することによるものだと考えられる。 - 特許庁

Since the silicon oxynitride layer 2 is an insulator and does not require etching, only the cupreous metal layer 3 should be etched, thus preventing side etching from occurring frequently to achieve fine etching.例文帳に追加

さらに、上記酸窒化シリコン層２は絶縁物であることからエッチングの必要が無く、銅系金属層だけをエッチングすればよいため、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。 - 特許庁

Since the silicon nitride layer 2 is an insulator and does not require etching, only the cupreous metal layer should be etched, thus preventing side etching from occurring frequently to achieve fine etching.例文帳に追加

さらに、上記窒化シリコン層２は絶縁物であることからエッチングの必要が無く、銅系金属層だけをエッチングすればよいため、サイドエッチングがあまり起こらずに微細エッチングが可能となる。 - 特許庁

To enhance the uniformity of the etching rate within the wafer surface in etching from the rear side of a stencil mask (back etching) and to obtain a stencil mask having high accuracy of the pattern position.例文帳に追加

本発明は、ステンシルマスクの裏面からのエッチング（バックエッチング）時のエッチングレートのウエハ面内均一性を向上させ、パターン位置精度の高いステンシルマスクを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that reduces the amount of side etching of wet etching processing while maintaining cleanness of a chemical, and a wet etching device.例文帳に追加

本発明は、薬液の清浄度を保ちつつ、ウエットエッチング処理のサイドエッチング量を低減させる半導体装置の製造方法及びウエットエッチング装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In this case, a side etching rate under a mask for etching is higher than an etching rate in the depthwise direction of the semiconductor base material.例文帳に追加

この為に、本願発明は、更に、前記孔又は段差を形成するため、エッチング用マスク下のサイドエッチ速度が半導体基体の深さ方向のエッチ速度より早い新らたなウエットエッチング液を用いる。 - 特許庁

To provide an etching method which can suppress side etching and can acquire anisotropy shape, when carrying out plasma etching of the metal film containing the aluminum (Al) formed with a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクで形成されたアルミニウム（Ａｌ）を含有する金属膜をプラズマエッチングする場合において、サイドエッチングを抑制し異方性形状を得ることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The surface side of first laminated conductive layers 63 and 65 is also eliminated by etching.例文帳に追加

次に、第１積層導電層６３、６５の表面側を、エッチングにより更に除去する。 - 特許庁

The side 14a becomes a smooth surface substantially vertical to a substrate surface by the wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングによって、側面１４ａは、基板面にほぼ垂直な平滑面となっている。 - 特許庁

In the patterning process, etching is conducted using the first side wall film 201 as a mask.例文帳に追加

パターニングにおいて、第１の側壁膜２０１をマスクとして用いたエッチングがなされる。 - 特許庁

To easily form a precisely right-angled side face suitable for a mirror, by dry etching treatment.例文帳に追加

ドライエッチング処理でミラーに適する精密に直角な側面を簡単に形成する。 - 特許庁

Etching is performed while the micropore structure of the anodically oxidized film 12A is transferred on the lower layer side.例文帳に追加

エッチングは、陽極酸化膜１２Ａの細孔構造を下層側に転写しつつ行なう。 - 特許庁