「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent the tapered angle of a trench from becoming smaller than is necessary, while preventing the occurrence of side etching, even when forming the trench of a narrow space.例文帳に追加

狭スペースのトレンチを形成する場合にもサイドエッチングの発生を防止しつつ、トレンチのテーパ角が必要以上に小さくなることも防止する。 - 特許庁

The portion of the separated first nitride film 12, which covers the side wall of the trench 3, is protected by a sacrificial oxide film 13, there is no damage to that part by etching.例文帳に追加

また、分離した第１窒化膜１２のトレンチ３の側壁を覆う部分は、犠牲酸化膜１３に保護されているためエッチングによる損傷はない。 - 特許庁

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step.例文帳に追加

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the generation of cracks at the bottom and on the side of the opening of a film to be worked which is formed by etching, and to form a pattern into a prescribed shape.例文帳に追加

エッチングによって形成される被加工膜の開口部の底部及び側部にクラックが発生することを抑制し、所定の形状にパターンを形成する。 - 特許庁

A surface viahole 14 is formed by applying dry etching of the aluminum gallium nitride/gallium nitride layer 12 from the surface side using chlorine-based gas (first gas).例文帳に追加

塩素系ガス（第１のガス）を用いて表面側からアルミ窒化ガリウム／窒化ガリウム層１２をドライエッチングすることで表面バイアホール１４を形成する。 - 特許庁

An n-side electrode 11 is formed on an n-type layer 4 which is exposed by removing a part of the semiconductor layers 4 to 8 through etching.例文帳に追加

また、積層された半導体層４〜８の一部がエッチングにより除去されて露出したｎ形層４にｎ側電極１１が形成されている。 - 特許庁

After a nitride film 20 is deposited on a substrate, the recess 18 is filled up with a nitride film by anisotropic etching to form a nitride film side wall 21.例文帳に追加

基板上に窒化膜２０を堆積した後、異方性エッチングにより掘れ下がり部１８を窒化膜により埋めて窒化膜サイドウォール２１を形成する。 - 特許庁

When dry etching is conducted, cooling gas supplied to the back side of the TFT array substrate 60 is sucked through the suction hole 79.例文帳に追加

そして、ドライエッチングの際に、吹き出し孔７７からＴＦＴアレイ基板６０の裏面へ供給された冷却ガスを吸引孔７９により吸引する。 - 特許庁

An upper portion of the gate side wall insulating film and a hard mask film are selectively removed by etching using the resist film as a mask to expose a surface of a metal film.例文帳に追加

レジスト膜をマスクとして、メタル膜の表面が露出するように、ゲート側壁絶縁膜の上部およびハードマスク膜を、エッチングにより選択的に除去する。 - 特許庁

The photoresist layer patterned is used as an etching mask, and the passivation layer and the insulated layer are etched to expose a side wall of the drain terminal 208a.例文帳に追加

このパターン化したフォトレジスト層をエッチング・マスクとして、前記パシベーション層及び絶縁層をエッチングして、前記ドレイン端子２０８ａの側壁を露出させる。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding film comprises a transparent substrate film, and a metal thin film provided on one side of the substrate film and subjected to pattern etching.例文帳に追加

透明な基材フィルムと、この基材フィルムの一方の面に設けられた、パターンエッチングされた金属薄膜とを備えてなる電磁波シールド性フィルム。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an optical semiconductor element by which a p-side electrode having a predetermined pattern shape is formed with high precision by wet etching.例文帳に追加

所定のパターン形状を備えるｐ側電極を、ウエットエッチングにより高い精度で形成することができる光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Side etching amount in the semiconductor device can thereby be measured with high accuracy and a suitable failure analysis of the semiconductor device can be realized.例文帳に追加

半導体装置におけるサイドエッチング量を高い精度で測定することが可能になり、半導体装置の好適な故障解析を実現することが可能になる。 - 特許庁

Next, the silicon monocrystal substrate 1 is removed by dry etching using fluorine- based active seeds from the back side to produce SiN as a support layer (d).例文帳に追加

続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチングによりシリコン単結晶基板１を除去して、支持層となるSiＮを製作する（ｄ）。 - 特許庁

Only the corner 5a at the bottom of the trench 5 can be rounded without etching the side wall of the trench 5 in the second step in this method.例文帳に追加

この方法の場合、第２の工程において、トレンチ５の側壁をエッチングすることなく、トレンチ５の底部のコーナー部５ａだけを丸めることができる。 - 特許庁

To prevent a via hole formed on metal wiring from penetrating the metal wiring by reducing side etching in forming the metal wiring containing aluminum.例文帳に追加

アルミニウムを含む金属配線形成においてサイドエッチを低減し、この金属配線上に形成するビアホールが金属配線を突き抜けるのを抑制する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can stably form a mesa structure, by controlling the side-etching amount in the semiconductor device, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置において、サイドエッチング量を制御し、安定的にメサ構造を形成し得る半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, unwanted deposition film 7 formed to the area other than the side surface of the wiring groove 5 is removed with the sputter etching and a conductor film is formed inside the wiring groove 5.例文帳に追加

その後、スパッタエッチングにより配線溝５の側面以外に形成された不要な堆積膜７を除去し、配線溝５内に導電体膜を形成する。 - 特許庁

Etching is performed so as to form reverse tapered surfaces (taper angle θ is obtuse angle) on side faces of the silicon film 13 and the polycrystalline silicon film 15 to form an element isolation trench.例文帳に追加

シリコン膜１３を有するＳＯＩ基板上にゲート絶縁膜１４、第１の多結晶シリコン膜１５、ストッパー窒化膜（１６）を順次堆積する。 - 特許庁

After a specified portion of a substrate 2 is etched to a required depth, a surface corresponding to a side wall of a step-like element generated by the etching is etched.例文帳に追加

基板の或る領域を必要な深さだけエッチングした後に、エッチングにより生じた階段状要素の側壁に相当する面をエッチングをする。 - 特許庁

An interlayer insulation film formed with a material different from the side wall spacers of the first and second MISFETs in an etching resistant coats these MISFETs.例文帳に追加

第１及び第２のＭＩＳＦＥＴのサイドウォールスペーサとはエッチング耐性の異なる材料で形成された層間絶縁膜が、これらＭＩＳＦＥＴを覆う。 - 特許庁

Simultaneously, the etching proceedes also horizontally, and thereby an upper part 10 of the groove 8 is inclined so that it is widened as it approaches the surface side of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

また、同時に水平方向にもエッチングが進行し、溝８の上部１０は、半導体基板１の表面側に近付くにつれて広がるように傾斜する。 - 特許庁

Thereafter the mask insulation film 5 is masked by etching, anisotropic etching is performed until an insulation layer 2 exposes the semiconductor layer 3, and after a separation groove 7 is formed on the element separation area of the semiconductor layer 3, a thin side wall insulation film 8 is formed on the upper end and the side of the semiconductor layer 3 exposed in the separation groove 7.例文帳に追加

その後、マスク絶縁膜５をエッチングマスクにして、半導体層３を絶縁層２が露出するまで異方性エッチングを行って、半導体層３の素子分離領域に分離溝７を形成した後、分離溝７内に露出する半導体層３の上端部及び側面に薄い側壁絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device includes etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the bottom of the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side wall junction region, and forming a bit line coupled to the side wall junction region.例文帳に追加

基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

While forming a sidewall 107 for covering the sidewall of the gate electrode 105 by etching back the insulating film, an almost horizontal engraved surface is formed to the element formation surface in a region for forming the source and drain regions 109 of the side of the sidewall 107 by carrying out the etching removal of the element formation side of the silicon substrate 101.例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１０５の側壁を覆うサイドウォール１０７を形成するとともに、サイドウォール１０７の側方のソース・ドレイン領域１０９が形成される領域において、シリコン基板１０１の素子形成面をエッチング除去し、素子形成面に略水平な掘り下げ面を形成する。 - 特許庁

In succession, using the insulating film 9 as an etching stopper, an insulating film whose main component is silicon oxide deposited on the main surface of the semiconductor substrate 1 is etched back through an anisotropic dry etching method, whereby a side wall 10 is formed on the side wall of the gate electrode 5a so as to prevent a damage layer from being formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

これに続いて、絶縁膜９をエッチングストッパとして、半導体基板１の主面上に堆積した酸化シリコンを主成分とする絶縁膜を異方性のドライエッチングによりエッチバックすることにより、ゲート電極５ａの側壁にサイドウォール１０を形成し、半導体基板１へのダメージ層の形成を防ぐ。 - 特許庁

This polyimide film is formed by copolymerizing an acid dianhydride component containing biphenyltetracarboxylic acids and pyromellitic dianhydrides and a diamine component, wherein the polyimide film has the etching speed of ≥0.1μm/min(single side), when a single side of the film is subjected to etching with a 1N potassium hydroxide solution.例文帳に追加

ビフェニルテトラカルボン酸類およびピロメリット酸二無水物類を含む酸二無水物成分と、ジアミン成分を共重合してなるポリイミドフィルムであって、１Ｎ水酸化カリウム溶液でのエッチング速度が、該ポリイミドフィルムの片面につき、０．１μｍ／分（片面）以上であるポリイミドフィルムによって上記課題を解決しうる。 - 特許庁

When removal of the first metal film 13A consisting essentially of aluminum whose etching progress speed is higher is ended, etching is completed, so that the first metal film 13A is not excessively removed and an outer side surface of a first layer 13a and an outer side surface of a second layer 13b of a gate electrode 13 are continued in nearly a flush state.例文帳に追加

エッチング進行速度の速いアルミニウムを主成分とする第１金属膜１３Ａの除去が済めば、エッチングが完了するので、第１金属膜１３Ａが過剰に除去されることがなく、ゲート電極１３の第１層１３ａの外側面と第２層１３ｂの外側面は、ほぼ面一状に連なる。 - 特許庁

In wirings having a structure that consists of a first layer metal film wiring, a second metal film wiring having a constant side etching portion and an insulating film pattern, a field plating processing is performed to the concave region corresponding to a side etching portion of the second layer metal film wiring and low resistance metal such as Cu and Ag is made to electrodeposit thereon.例文帳に追加

第１層金属膜配線と、一定のサイドエッチング部を有する第２層金属膜配線と、絶縁膜パターンの３層膜から成る構造の配線に於いて、電界メッキ処理により前記第２層金属膜配線のサイドエッチング部に相当する凹形領域に、銅や銀の低抵抗金属を電着させる。 - 特許庁

In the manufacturing process of the droplet ejection head 10, the diaphragm portion 100 is formed by etching a portion 100a of a silicon substrate 200 becoming the diaphragm portion down to a required depth from one side and then wet-etching a portion 23a serving as the reservoir from the opposite side of the silicon substrate 200.例文帳に追加

また、液滴吐出ヘッド１０の製造方法は、シリコン基材２００の一方の面からダイアフラム部になる部分１００ａを所要の深さエッチングし、その後、シリコン基材２００の反対側の面からリザーバになる部分２３ａをウェットエッチングにより加工して、ダイアフラム部１００を形成するようにしたものである。 - 特許庁

To provide an element for a crystal oscillator in which characteristic degradation, caused by the effect of side etching, that may occur when forming an outer shape of a crystal reed through etching, can be suppressed, crystal oscillator and electronic component with the element for the crystal oscillator.例文帳に追加

エッチングによる水晶片の外形形成時に発生するサイドエッチングの影響による特性劣化を抑えことのできる水晶振動子用素子と、この水晶振動子用素子を備えた水晶振動子及び電子部品を提供すること。 - 特許庁

The Y-direction width of the lower part of a first conductive layer 6 becomes narrower than the Y-direction width of the upper part, because the side wall of the first conductive layer 6 is subjected to etching or the reaction product of the etching is removed.例文帳に追加

第１の導電層６の側壁をエッチング処理や当該処理時の反応生成物の除去処理等により除去することで第１の導電層６の下部のＹ方向の幅がその上部のＹ方向の幅よりも狭く形成される。 - 特許庁

To provide a method of nondestructively and optically discriminating a lower layer resist material which is hardly to cause side etch before etching when etching a lower layer resist, to provide an apparatus for the method, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using this method.例文帳に追加

下層レジストをエッチングする際、サイドエッチの発生しにくい下層レジスト材料を、エッチング前に非破壊で光学的に見分ける方法およびそのための装置、ならびにこの方法を使用する半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the case of polishing particularly the side face or upper face of the inner surface of large diameter piping or a large-sized tank, the etching solution is not separated from the magnetic polishing material so as to dispense with the trouble of specially spraying the etching solution.例文帳に追加

本発明の磁性研磨材は、例えば大径の配管や大型タンク等の内面の特に側面や上面の研磨を行う場合でもエッチング液がその磁性研磨材と分離せず、そのため特別にエッチング液を吹きかけるなどの手間が不要となる。 - 特許庁

To solve a problem that an etching stop layer cracks when a through hole is made through a semiconductor substrate and etching liquid soaking through the crack leaks to the surface side of the semiconductor substrate thus lowering production yield of the semiconductor substrate having through holes.例文帳に追加

半導体基板に貫通孔を形成する場合、エッチングストップ層にクラックが発生し、このクラックに滲み込んだエッチング液が半導体基板表面側へ回り込み、貫通孔を形成した半導体基板の製造歩留まりが低下する。 - 特許庁

This Si wafer 10 is set to a wet etching device, and etching chemical dropped onto the rear of the Si wafer 10 is turned to the surface side of the Si wafer 10, so as to etch off the polycrystalline silicon film 28 covering the edge region at the surface.例文帳に追加

このＳｉウェーハ１０をウェットエッチング装置にセットし、Ｓｉウェーハ１０裏面上に滴下したエッチング薬液をＳｉウェーハ１０表面側に回り込ませて、表面のエッジ領域を被覆している多結晶シリコン膜２８をエッチング除去する。 - 特許庁

The silicon element substrate 3 is anodic-joined to a glass support base plate 2, a plurality of penetrated-through parts 20 ranging over from a surface 3a side of the element substrate 3 to the etching stop layer 18 is formed thereafter by dry etching to form the sensor element 1.例文帳に追加

そして、シリコンの素子基板３とガラスの支持基板２を陽極接合した後に、素子基板３の表面３ａ側からエッチングストップ層１８に至る貫通部２０をドライエッチングによって複数個形成してセンサ素子１を形作る。 - 特許庁

Second etching treatment is then performed using a second mask pattern 12 for the etching removal of a wide face with an outline 13 in a position away from the structure side face 20 farther from the width of the groove 10.例文帳に追加

次いで前記第１のエッチング処理により形成される溝１０の幅より構造体側面２０から離れた位置に輪郭１３を備えた広い面をエッチング除去するための第２マスクパターン１２を用いて第２のエッチング処理を行う。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shield sheet in which a mesh is easily cut, a transparent base film side is not contaminated and not corroded in an etching step or the like in the sheet in which a mesh-like metal foil by etching is stacked on the base film.例文帳に追加

エッチングによるマッシュ状の金属箔が透明基材フィルムに積層した電磁波遮蔽シートが、メッシュが切断しやすく、また、透明基材フィルム側が、エッチング工程等において、汚染されず、侵食を受けないようにすることを課題とする。 - 特許庁

First, a ZnO layer 3 is formed on a glass substrate 2, and a plurality of square masks 5 are formed in an area for removing the ZnO layer 3 so that they may have a width smaller than that disappearing due to side etching that is resulted from etching of the ZnO layer 3.例文帳に追加

ガラス基板２上にＺｎＯ層３を形成し、ＺｎＯ層３を除去する領域に、ＺｎＯ層３をエッチングする際に生ずるサイドエッチにより消失される幅より狭い幅を有する複数の矩形マスク５を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the piezoelectric vibrator 20 has: a process S10 for preparing a flat piezoelectric material 10 having etching anisotropy in a prescribed direction; a process S18 for performing wet etching to the piezoelectric material to form the piezoelectric vibrator in the piezoelectric material; and a process S20 for applying laser beams to the side section of the piezoelectric vibrator subjected to wet etching for partially removing the side section.例文帳に追加

圧電振動片（２０）を製造する製造方法は、所定の向きにエッチング異方性を有する平板の圧電材料（１０）を準備する工程（Ｓ１０）と、この記圧電材料に圧電振動片を形成するため、圧電材料をウェットエッチングする工程（Ｓ１８）と、このウェットエッチングされた圧電振動片の側面部にレーザー光を照射して、側面部の一部を除去するレーザー加工の工程（Ｓ２０）と、を有する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the magnetic head, the pole groove and first and second initial side shield grooves are formed in a nonmagnetic layer using an etching mask layer having first to third openings, and wall faces of first and second initial side shield grooves that are closer to the pole groove are etched by a dry etching to thereby complete the first and second side shield grooves 25b1, 25b2.例文帳に追加

磁気ヘッドの製造方法では、第１ないし第３の開口部を有するエッチングマスク層を用いて非磁性層に磁極溝部、第１および第２の初期サイドシールド溝部を形成し、ドライエッチングによって、第１および第２の初期サイドシールド溝部における磁極溝部により近い壁面をエッチングして、第１および第２のサイドシールド溝部２５ｂ１，２５ｂ２を完成させる。 - 特許庁

Thereafter, a CVD oxide film 9 is formed on the whole of the surface thereof, and sidewall spacers 12 are formed on one side of the gate electrode 6A and on one side of the dummy gate electrode 6B by providing anisotropic etching to this CVD oxide film 9.例文帳に追加

その後、表面全面にＣＶＤ酸化膜９を形成して、このＣＶＤ酸化膜９を異方性エッチングして、ゲート電極６Ａ、ダミーゲート電極６Ｂの片側にサイドウォールスペーサ１２を形成する。 - 特許庁

The channel protective film 15a comprises a plurality of insulation layers whose etching rate increases going toward the lower layers, and is patterned by a photolithographic method to be formed into an inverted tapered shape, which is wider at the upper side and narrower at the lower side.例文帳に追加

チャネル保護膜１５ａは、例えば下側の層ほどエッチングレートが大きい複数の絶縁層により形成し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、上側が広く下側が狭い逆テーパ状に形成する。 - 特許庁

The MEMS has an intermediate moving part 120 comprising a weight 121, a beam 122, and a surrounding void 123, the intermediate moving part being formed by etching of an upper side sacrifice layer 130 and a lower side sacrifice layer 110.例文帳に追加

ＭＥＭＳは錘１２１，梁１２２，その周辺の空隙１２３とから成る中間可動部１２０を有し、中間可動部は上側犠牲層１３０と下側犠牲層１１０をエッチングすることで形成される。 - 特許庁