「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an etching mask for preventing the erosion of the side wall of an etched part and preventing the depletion of the mask and to form an opening of a high aspect ratio on a silicon material.例文帳に追加

エッチングされた部分の側壁の侵食防止とマスクの枯渇防止を実現し、シリコン材料に対して高アスペクト比の開口を形成するためのエッチングマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a processing method for a processed layer capable of forming a plurality of layers in desired shapes by suppressing an increase in the number of processes as much as possible and preventing the progress of side etching.例文帳に追加

工程数の増加を可及的に抑制し、サイドエッチの進行を防止して、複数の被処理層を所望の形状に形成することができる被処理層の処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide the processed tacky adhesive product of a photosensitive film which can be processed after adhering to a base material and is little eroded in side edges during development and etching.例文帳に追加

本発明は、基材に貼り合せ後のパターン加工が可能であり、且つ現像、エッチング時のサイドエッジの侵食が少ない感光性フィルム粘着加工品を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the interface region between the pad film 12 and the anode side region 13 as a p-n junction interface, hardly causes a large electric field encounter etching damages, a high breakdown voltage characteristic can be obtained.例文帳に追加

大電界が生じるｐｎ接合界面であるパッド膜１２とアノード側領域１３との界面領域には、ほとんどエッチングダメージがないので、高耐圧特性が得られる。 - 特許庁

Thereafter, a second insulator 720 is formed on a side 71W of the first insulator 710 by forming an insulation film so as to bury the opening and etching back the film.例文帳に追加

その後、上記開口を埋めるように絶縁膜を形成し該膜をエッチバックすることにより、第１絶縁体７１０の側面７１Ｗ上に第２絶縁体７２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern, which prevents pattern collapse of the mask pattern by omitting an etching process of an antireflection film when forming the mask pattern by a Side Wall Patterning (SWP) method.例文帳に追加

ＳＷＰによりマスクパターンを形成する場合に、反射防止膜のエッチング工程を省略し、マスクパターンのパターン倒れを防止することができるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A sidewall 20 made of an insulating material having etching resistance higher than that of the oxygen barrier film 13 is formed on the oxygen barrier film 13 and both the sides of the side surface of the ferroelectric capacitor 3.例文帳に追加

酸素バリア膜１３上でかつ強誘電体キャパシタ３の側面側には、酸素バリア膜１３よりエッチング耐性が高い絶縁材料からなるサイドウォール２０が設けられている。 - 特許庁

The wet etching is performed until the non-magnetic body layer 29 existing in a lower part of the magnetic body layer 30 is partially eroded and then both side parts of the magnetic body layer 30 are worked by ion milling.例文帳に追加

ウェットエッチングは、磁性体層３０の下部にある非磁性体層２９が一部侵食されるまで行い、その後にイオンミリングで磁性体層３０の両側部を加工する。 - 特許庁

The projection structure 18A may be formed by sequentially stacking a base layer and a conductive layer from the side of the substrate 11, and by etching or heat-treating the upper surface of the conductive layer.例文帳に追加

突起構造１８Ａは、下地層と導電層とを基板１１の側から順に積層し、導電層の上面を熱処理またはエッチングすることにより形成してもよい。 - 特許庁

This allows an anisotropic etching quantity to be reduced, thereby almost perpendicularly forming the side wall of the cavitary region to enable the cavitary region open to the photodiode to be maximized.例文帳に追加

これにより、異方性エッチング量を減少させて空洞領域の側壁を殆ど垂直に形成させてフォトダイオードのオープン領域である空洞領域を極大化させうる。 - 特許庁

The through hole is formed by polishing the back side of the wafer until a concavity bottom face is disappeared after forming the concavity by half-etching on the scribe line of the wafer.例文帳に追加

前記スルーホールは、前記ウェハの前記スクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後その凹部底面が消失するまで前記ウェハを裏面研磨することによって形成する。 - 特許庁

The number of process steps and manufacturing cost are reduced because a single etching step is needed by forming the conductive trace only on the single side of the base film.例文帳に追加

ベース膜の片面のみに導電性トレースを形成することにより、単一のエッチングステップしか必要とされないので、プロセスステップの数及び製造コストを減少することができる。 - 特許庁

The section appropriately triangular shape beam 1 is integrally formed with the member of the substrate 1 by a crystal anisotropic etching in the common liquid chamber 9, on the back surface side of the substrate 1.例文帳に追加

共通液室９内であって、基板１の裏面側には断面略三角形状の梁１が、結晶異方性エッチングによって基板１の部材と一体に形成されている。 - 特許庁

A first patterning and an etching process are performed to the lower wiring material and the switching material to form a first structure 1102 having an upper surface area and a side area.例文帳に追加

下部配線材料及びスイッチング材料に対して第１パターニング及びエッチングプロセスを行い、上部表面領域及びサイド領域を有する第１構造１１０２を形成する。 - 特許庁

The solar cell can be manufactured by making a light incident surface-side electrode having a particular structure and thereafter processing the photoelectric conversion layer by etching or the like.例文帳に追加

この太陽電池は、特定の構造を有する光入射面側電極を作製した後に、さらにエッチングなどにより光電変換層を加工することにより製造することができる。 - 特許庁

Next, the oxide film 7 is subjected to anisotropic dry etching to form an offset spacer insulating film 9 for implanting LDD ions into the side wall of the gate electrode 6.例文帳に追加

次に、酸化膜７に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、ゲート電極６の側壁部上に、ＬＤＤイオン注入のためのオフセットスペーサ絶縁膜９を形成する。 - 特許庁

The substrate for semiconductor chip loading is manufactured by etching at least an outermost third metal layer side of the member, so that solder ball connectable terminals are formed.例文帳に追加

上記の部材の最外層の第３金属側を少なくとも、はんだボール接続可能端子が形成されるようエッチングすることにより半導体チップ搭載用基板を製造する。 - 特許庁

A silicon oxide film 4 and a silicon nitride film 5 are film-formed to cover a gate electrode 3 formed on a silicon substrate 1, and a side wall is formed by selective etching of the silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン基板１に形成されたゲート電極３を覆って、シリコン酸化膜４及びシリコン窒化膜５を成膜し、シリコン窒化膜の選択的エッチングによってサイドウォールを形成する。 - 特許庁

The gate electrode 12 is formed only in a flat region of the mesa, and a side etching amount of a channel layer 3 is increased accordingly to make a channel layer width smaller than a gate electrode width.例文帳に追加

また、ゲート電極１２をメサの平坦な領域にのみ形成し、その分チャネル層３のサイドエッチング量を大きくしてチャネル層幅がゲート電極幅よりも小さくされている。 - 特許庁

To provide a system for etching a material of low reactivity in the processing of product while reducing adhesion of reaction products to the side wall of a reaction tube made of a dielectric.例文帳に追加

製品処理において反応性の低い材料のエッチングを行い、誘電体よりなる反応管側壁における反応生成物の付着量が少ないエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

Etching is performed selectively from the rear side of a semiconductor substrate 2, where a device element 1, a pad electrode 4, and a first insulating film 3 are formed on a surface, for forming an opening.例文帳に追加

デバイス素子１とパッド電極４および第１の絶縁膜３が表面上に形成された半導体基板２の裏面側から選択的にエッチングし、開口部を形成する。 - 特許庁

To reliably eliminate a corner part or shoulder part of a side wall near an opening of a through via in dry etching for forming the through via in a substrate having an Si layer and an SiO_2 layer as a base layer.例文帳に追加

Si層と下地層としてのSiO_2層を有する基板に貫通ビアを形成するドライエッチングにおいて、貫通ビアの開口部付近の側壁の角部ないし肩部を確実なくす。 - 特許庁

A contact surface 61a of the thin plate 61 with the metal film 3 (in other words, the holding side of the lower die 41) forms a coarse surface such as satin by shot-blasting and etching.例文帳に追加

この薄板材６１の金属フィルム３との接触面６１ａ（すなわち下型４１の挟持面）は、ショットブラストやエッチング処理等により、梨地のごとくざらついた粗面となっている。 - 特許庁

To provide a method of forming an element isolation film of a semiconductor device, which improves roughness of a trench side wall by implementing a predetermined cleaning process after element isolating trench etching, and forms a uniform side wall oxide film by skipping a PET process.例文帳に追加

素子分離用トレンチエッチング後に所定の洗浄工程を実施してトレンチ側壁の粗さを改善でき、ＰＥＴ工程を省略して均一な側壁酸化膜を形成できる半導体素子の素子分離膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, when forming the diaphragm 4, a front side anithotropic etching groove 11 is formed in advance at a position corresponding to the diaphragm 4 on the front surface 1A side, and it is filled with a groove embedding member made of polycrystal silicon material or the like.例文帳に追加

また、ダイヤフラム部４の形成時には、シリコン基板１の表面１Ａ側のうちダイヤフラム部４に対応する位置に表面側異方性エッチング溝部１１を予め形成し、多結晶シリコン材料等からなる溝埋め部材によって埋めておく。 - 特許庁

The light-emitting device comprises an electrically conductive support substrate having side faces mechanically processed, and a compound semiconductor layer having side faces formed by etching and provided on the support substrate, including at least an light-emitting layer.例文帳に追加

本発明に係る発光装置は、機械的に加工された加工側面を有する導電性の支持基板と、エッチングで形成されたエッチング側面を有し、少なくとも発光層を含んで支持基板上に設けられる化合物半導体層とを備える。 - 特許庁

To provide a mask structure for color selection producible by being arranged side by side in n-lines even if the size of the mask structure for color selection slightly exceeds 1/n of effective etching width, to provide its manufacturing method, and to provide a color selection mechanism, and a color cathode-ray tube.例文帳に追加

色選別用マスク構体のサイズが、有効エッチング幅の１／ｎを少々超えても、ｎ列に並べて生産できるようにした、色選別用マスク構体及びその製造方法、色選別機構、カラー陰極線管を提供するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor element comprises steps of forming a groove 9 to form the side face of a chip body by mesa etching or half dicing, and then forming a silicon nitride film (SiN film) as a protective film so as to coat the upper surface and the side face of the chip body by a plasma CVD method.例文帳に追加

メサエッチング又はハーフダイシングを行って、チップ本体の側面をなすべき溝９を形成した後、プラズマＣＶＤ法により、チップ本体の上面および側面を覆うように保護膜としての窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device preventing a side surface (stand-off side surface) of a mounted terminal exposed when a mounted terminal adjacent thereto is separated by etching lead frames from a rear surface, from being contaminated because of oxidation, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

リードフレームを裏面からエッチッグして、隣接する実装端子を切り離した際に露出する実装端子側面（スタンドオフ側面）が酸化などによって汚染されることを防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

When the retaining capacitor of a liquid crystal device is constituted, a thick lower-layer-side gate insulating layer 4a of a gate insulating layer 4 is formed and then the lower-layer-side gate insulating layer 4a at a part overlapping the lower electrode 3c is removed by dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分の下層側ゲート絶縁層４ａを除去する。 - 特許庁

A line of separated catalyst points is finally coupled into one by defining a side face for growing the nano-meter carbon tube by adding etching technology to a density of the catalyst points, and by growing horizontally in a catalyst side face with selective CVD.例文帳に追加

触媒点の密度にエッチング技術を加えてナノメータカーボンチューブを成長させる側面を画定し、選択性ＣＶＤで触媒側面にあって水平方向に成長させ、最後に一列の分離した触媒点を一つに連結する。 - 特許庁

To be more precise, in providing the resist pattern 8 after the deposition of the ITO film, an opening 81 having a diameter smaller by a side etching dimension and a margin is provided, at the end of pad wiring 14a, on the inner side from the inner edge of the upper layer contact hole 51.例文帳に追加

詳しくは、ＩＴＯ膜の堆積後にレジストパターン８を設けるにあたり、パッド用配線１４ａの端部では、上層コンタクトホール５１の内縁より内側に、サイドエッチング寸法及びマージンの分だけ、より径の小さい開口８１を設ける。 - 特許庁

When etching to form a side wall spacer 19 consisting of a silicon oxide film on the side wall of a gate electrode 16, over-etching is applied more than normal to etch an SOI substrate 1, so that a forward taper (t_2) of at least preferably 40 nm, 70 nm or more is formed on the SOI substrate 1 at the upper end of an element separation groove 10.例文帳に追加

ゲート電極１６の側壁に酸化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサ１９を形成するためのエッチングを行う際、オーバーエッチング量を通常よりも多めに実施することによって、ＳＯＩ基板１をエッチングし、素子分離溝１０の上端部のＳＯＩ基板１に４０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上の順方向テーパ（ｔ_２）を形成する。 - 特許庁

Ni plating layers of the same thickness are formed on both sides of a metal substrate, and etching is carried out only to the Ni plating layer of a mounting surface side of semiconductor elements, so that the thickness of the Ni plating layer of the mounting surface side is formed thinner than that of the Ni plating layer of a rear surface side to be connected to an external substrate.例文帳に追加

金属製基材の表裏面に同じ厚さのＮｉめっき層を形成し、半導体素子の搭載面側のみのＮｉめっき層をエッチング処理することによって、該搭載面側のＮｉめっき層の厚さを外部基板と接続する裏面側のＮｉめっき層より薄くすることを特徴としている。 - 特許庁

Etching treatment of a conductive film is performed in a film-thickness direction on an insulating layer, having an upper face and a side face connected with the upper face via a corner section, after the conductive film extending from the side face to the upper face is formed, above the side face and the upper face, with equivalent film quality.例文帳に追加

上面と該上面と角部を介して接続する側面とを備える絶縁層の上に、前記側面から前記上面にかけて延在する導電性膜を絶縁層の側面の上と上面の上において同等の膜質で形成した後に、導電性膜をその膜厚方向にエッチング処理する。 - 特許庁

A protective film 107 of a carbon polymer is formed on a sidewall of a polysilicon film 105 with plasma containing carbon after the polysilicon film 105 is etched to prevent side etching and sidewall roughening of the polysilicon film 105 even when the metal material 104 forming a lower-layer film is subjected to etching processing with plasma of halogen-based gas under etching conditions of volatility increased by keeping a wafer at higher temperature and processing pressure lower.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０５をエッチングした後に、カーボンを含むプラズマによりポリシリコン膜１０５の側壁にカーボンポリマの保護膜１０７を形成させることで、ウェハの高温化や処理圧力の低圧力化により揮発性をあげたエッチング条件下で、ハロゲン系ガスのプラズマにより下層膜である金属材料１０４のエッチング処理を行っても、ポリシリコン膜１０５のサイドエッチ及び側壁荒れを防止することができる。 - 特許庁

This window layer 5 is a laminated structure of first and second window layers 51, 52, each made of at least two types of semiconductors for differentiating etching rates in thicknesses of substantially λ/(2n) and a side face exposed to the outside of the layer 5 is ruggedly formed by etching.例文帳に追加

このウインドウ層５が、エッチングレートを異ならせ得る少なくとも２種類の半導体からなる第１および第２ウインドウ層５１、５２の積層構造で、しかもそれぞれがほぼλ／（２ｎ）となる厚さに設けられ、かつ、そのウインドウ層５の外部に露出する側面がエッチングにより凸凹に形成されている。 - 特許庁

After that, a resist layer 6 for protecting the upper electrode 33 and the insulating layer 4 is formed at one surface side of the support substrate 1, the etchant is introduced through the opening 7 of the resist layer 6 and each etching hole 5, and the cavity 2 is formed by etching the scheduled cavity formation area on the support substrate 1.例文帳に追加

その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 - 特許庁

The step in which the movable side substrate is prepared includes: a step in which the substrate body is prepared; a step in which the movable part is formed by etching a face of the substrate body; a step in which a reflection mirror film is formed on the movable part; and a step in which the supporting part is formed by etching the other face of the substrate body.例文帳に追加

可動側基板を準備するステップは、基板本体を準備するステップと、基板本体の一面をエッチングすることにより可動部を形成するステップと、可動部上に反射鏡を成膜するステップと、基板本体に他面をエッチングすることにより支持部を形成するステップとを有する。 - 特許庁

A gate oxide film 102, a polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104, a tungsten layer 105, and a mask layer 106 are formed on a silicon substrate 101 from a lower side successively in this order, a gas N_2+O_2+NF_3 is used as etching gas, and the tungsten and barrier metal layers 105 and 104 are etched by plasma etching.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上には、ゲート酸化膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、タングステン層１０５、マスク層１０６が下側からこの順で形成されており、エッチングガスとして、Ｎ_2 ＋Ｏ_2 ＋ＮＦ_3のガスを使用し、プラズマエッチングにより、タングステン層１０５及びバリアメタル層１０４をエッチングする。 - 特許庁

An electromagnetic field introducing window, members constituting one part or the whole of the side of an etching chamber 1 which makes contact with plasma, or the members in the etching chamber 1 comprise the materials, in which the oxygen content is 50% or less, especially Si nitrides, or Si, or Si carbide, or carbon, or Al nitride film, or polyimide or polyamide.例文帳に追加

電磁界導入窓２や、プラズマと接触するエッチングチャンバ１壁面の一部または全部の構成部材や、エッチングチャンバ１内の構成部材を、酸素の組成比が５０％以下の材質、特にＳｉ窒化膜、またはＳｉ、またはＳｉ炭化物、または炭素、またはＡｌ窒化物、またはポリイミド、またはポリアミドとしたものである。 - 特許庁

After etching the WSi2 layer with a plasma of Cl2/O2 gas, by having it overetched to remove WSi2 layers 16e, 16f with a plasma of HBr/Cl2/O2 gas while reaction products suppress side etching, WSi2 layers 16a-16d corresponding to the layers 18a-18d are thereby obtained.例文帳に追加

Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマでＷＳｉ_２層をジャストエッチングした後、ＨＢｒ／Ｃｌ_２／Ｏ_２ガスのプラズマにより反応生成物でサイドエッチングを抑制しつつオーバーエッチングを行なってＷＳｉ_２層１６ｅ，１６ｆを除去することにより層１８ａ〜１８ｄに対応するＷＳｉ_２層１６ａ〜１６ｄを得る。 - 特許庁

An outside wall part 15 of the trench part 9 defining the aperture part 17 can be protected with the resist pattern 13, so that side etching to the sidewall part of the aperture 17, which is caused by the wet etching can be blocked and the aperture part 17, can be formed with high reproducibility, while working accuracy is improved and the damage of the substrate 1 is restrained to a minimum.例文帳に追加

開口部１７を画定する溝部９の外側壁部１５をレジストパターン１３で保護できるので、ウエットエッチングによる、開口部１７の側壁部へのサイドエッチングを阻止でき、加工精度良く、しかも半導体基板１の損傷を最小限に抑えて、開口部１７を再現性良く形成できる。 - 特許庁

The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).例文帳に追加

レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁

To prevent electrical disconnection caused by furthering side etching in a Ti layer due to the exposure of a W layer when removal is performed by dry etching in the case of forming, on a contact provided with a W plug, an interconnection layer with a structure of Ti/TiN/Al alloy/TiN and with approximately the same width as the contact.例文帳に追加

Ｗプラグを有するコンタクト上にＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ合金／ＴｉＮ構造でコンタクトとほぼ同じ幅の配線層を形成する場合において、ドライエッチで除去を行うときに、Ｗ層が露出しＴｉ層のサイドエッチが促進されて電気的な接続ができなくなることを、防止できるようにする。 - 特許庁