「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, when a material having a thickness of about 75 μm is used, the substrate 2 is irradiated with laser from the same side with the half-etching portion 3 and the through holes 4 at the same time.例文帳に追加

一方、７５μｍ程度の厚みのものを用いる場合には、ハーフエッチング部３、貫通孔４ともに、基材２に対して同一面側からレーザー照射する。 - 特許庁

Then, the secondary damaged layer 2 is subjected to anisotropic etching to form the texture structure 3, and an electrode 5 at the side of a light reception surface is formed on the texture structure 3.例文帳に追加

そして、該二次ダメージ層２に異方性エッチングを施すことによりテクスチャ構造３を形成し、該テクスチャ構造３上に受光面側電極５を形成する。 - 特許庁

To sufficiently remove a protection film, foreign matters, etc. stuck to a trench side wall in the case of trench etching, after forming a trench when manufacturing a semiconductor device having a trench structure.例文帳に追加

トレンチ構造を有する半導体装置を製造する際に、トレンチ形成後に、トレンチエッチング時にトレンチ側壁に付着した保護膜や異物などを十分に除去すること。 - 特許庁

A fuse vicinity aperture 15a formed by etching the lower protection insulating film 13a is formed on a position separated from the side face of the fuse element 12a.例文帳に追加

そして、ヒューズ素子１２ａの側面から離間した位置に下部保護絶縁膜１３ａをエッチングして形成されたヒューズ近接開口部１５ａが形成されている。 - 特許庁

After that, the soft magnetic material only of the flat part is removed by an etching method having the anisotropy such as an ion milling so as to leave the soft magnetic material on the side surface of the dummy pattern.例文帳に追加

その後、イオンミリングなどの異方性をもつエッチング手法により、平坦部の軟磁性材料のみを除去し、ダミーパターン側面の軟磁性材料を残すようにする。 - 特許庁

The gate electrode 4 is formed on a substrate 1, then, the insulating film 10 for side wall and an etching stopper film 20 are formed on the substrate 1 so as to cover the gate electrode 4.例文帳に追加

基板１上にゲート電極４を形成し、ゲート電極４を被覆するように基板１上にサイドウォール用絶縁膜１０およびエッチングストッパ膜２０を形成する。 - 特許庁

The land 15 is formed by etching and also the bottom side of the thin portion 18a is thinly etched (e) to form the land 15 having net-like depressed portions 15a (f).例文帳に追加

エッチングにより、ランド１５が形成されると共に、薄肉部１８ａの下面側部分も薄くエッチングされ（ｅ）、網目状の凹部１５ａを有したランド１５が形成される（ｆ）。 - 特許庁

After at least one material layer is accumulated uniformly on the membrane, the hole is opened from the bottom by etching and membrane can be removed from the lower side.例文帳に追加

少なくとも一つの材料層を薄膜上に均一に堆積させた後、エッチングにより穴を底部から開いて薄膜を下側から除去することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element and its manufacturing apparatus which safely ensures the side profile of an object pattern to be etched from which etching by-product is removed.例文帳に追加

蝕刻副産物が除去された蝕刻対象物パターンの側面プロファイルを安全に確保することの出来る半導体素子の製造方法及び装置を提供する。 - 特許庁

The dry etching is applied to the silicon carbide substrate 11 from a rear side using fluorine-based gas (second gas), by which a backside viahole 18 connected to the surface viahole 14 is formed.例文帳に追加

弗素系ガス（第２のガス）を用いて裏面側から炭化ケイ素基板１１をドライエッチングすることで、表面バイアホール１４に繋がる裏面バイアホール１８を形成する。 - 特許庁

To protect side walls of prescribed circuit patterns from contamination with reaction products having low vapor pressures when the patterns are formed by subjecting a Pt film and a PZT film to dry-etching.例文帳に追加

Ｐｔ膜やＰＺＴ膜をドライエッチングして所定のパターンを形成する際に、蒸気圧の低い反応生成物がパターンの側壁に付着するのを防止する。 - 特許庁

To provide a method for etching processing of magnetic material by which a magnetic material that can further suppress the electric current flowing through a side wall material, and so on.例文帳に追加

側壁物を通じて流れる電流をより抑えることができる磁性体を加工することを可能にする磁性体のエッチング加工方法等を提供する。 - 特許庁

In a second process, sand blast etching is performed from the nozzle surface side in a mask pattern formed of a dry film and then through holes communicating with the pressurized liquid chambers are made thus completing the ink jet head.例文帳に追加

第２の工程は、ノズル面側からドライフィルムで形成されたマスクパターンでサンドブラストエッチングを行い、加圧液室と連通する貫通孔を完成させる。 - 特許庁

A counterbore portion is provided by etching near the center of bottom surface of the upper side chip using a circuit formation surface as a top surface, and the lower chip is disposed in the inside of the counterbore portion.例文帳に追加

回路形成面と天面とする上側のチップの底面中央近傍にエッチングによって座繰り部を設け、座繰り部の内側に下側のチップを配置する。 - 特許庁

To provide a trench etching method of a silicon carbide semiconductor substrate capable of controlling an angle of a trench side wall at a 90 degree without generating a microtrench at the bottom of a trench.例文帳に追加

トレンチ底部にマイクロトレンチが発生せず、さらにトレンチ側壁の角度を９０°に制御できる炭化珪素半導体基板のトレンチエッチング方法の提供をすること。 - 特許庁

The polymer is attached or bound to the surface and side wall of a resist layer 23, so that the resist layer 23 is hardly reduced both in thickness and in width in an etching process.例文帳に追加

この重合物は、レジスト層２３の表面及び側壁に付着、又は結合するので、エッチング工程でレジスト層２３の膜厚及び幅が減少することがない。 - 特許庁

This silicon oxide film 103 and the silicon nitride film 104 serve as membranes when forming the through-hole 120 from a back side of the substrate 100 by etching.例文帳に追加

この酸化シリコン膜１０３及び窒化シリコン膜１０４は、基板１００の裏側から貫通孔１２０をエッチングにより形成する際のメンブレンとして機能する。 - 特許庁

Different size sacrificial layers are formed through deformation by enlarging or contracting the outside dimension before etching of one side sacrificial layer.例文帳に追加

レジストマスクは一方の犠牲層のエッチング前に外形寸法を拡大又は縮小する等して変形することで、大きさの異なる犠牲層を形成することができる。 - 特許庁

After the transistor of an LLD structure is formed on the logic area 102, the silicon oxidation film formed on the side of the gate electrode 3 is removed by wet etching.例文帳に追加

そして、ロジック領域１０２にＬＤＤ構造のトランジスタを形成した後、ゲート電極３の側面に形成されたシリコン酸化膜をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

Since the thermal oxidation film 3 serving as the end point of the through holes 52 is the interface of thermal oxidation, high sealing performance is ensured and side etching is blocked.例文帳に追加

その際、熱酸化膜３が貫通穴５２のエンドポイントとして働くが、その部分は熱酸化の界面であるため、シール性がよくサイドエッチ等が入ることはない。 - 特許庁

It is possible to make the side surface of the emitter layer 6 substantially perpendicular to the top surface by removing the emitter contact layer 7 and the emitter layer 6 by dry etching.例文帳に追加

ドライエッチングによってエミッタコンタクト層７およびエミッタ層６を除去することにより、エミッタ層６の側面を上面に対してほぼ垂直にすることができる。 - 特許庁

To provide an etching method which simplifies a manufacturing process, and eases damage to mesa side walls to enable the manufacturing of a semiconductor with reduced current leakages.例文帳に追加

製造工程を簡素化できると共に、メサ側壁に与えるダメージを軽減して、リーク電流が低減された半導体素子を製造できるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

After forming a mask 43 covering memory cells on a side wall forming SiO2 film 25, and this film 25 is selectively plasma-etched, using a carbon-containing etching gas.例文帳に追加

メモリセル部を覆うマスク４３をサイドウォール形成用のＳｉＯ__2膜２５上に形成した後、炭素を含むエッチング・ガスを用いてＳｉＯ_2膜２５を選択的にプラズマ・エッチングする。 - 特許庁

To provide a semiconductor plasma processing device that can enhance etching uniformity, by compensating a radical-side concentration phenomenon which is a weakness of an inductively coupled plasma source.例文帳に追加

本発明の誘導結合プラズマ源の短所であるラジカル側面集中現象を補ってエッチング均一度を高めることができる半導体プラズマ処理装置に関する。 - 特許庁

To provide a blank mask for forming a fine etching objective film pattern having vertical side face profile on a photomask, and to provide a method of manufacturing the photomask using the same.例文帳に追加

フォトマスク上に、垂直側面プロファイルを有する微細なエッチング対象膜パターンを形成するためのブランクマスク及びこれを用いるフォトマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thereafter, anisotropic wet etching is performed to the crystal orientation with a KOH solution for approximately 10 minutes to obtain a flat crystal face (100) on the side wall face of a mirror 4.例文帳に追加

その後、ＫＯＨ溶液により結晶方位に対し異方性のウエットエッチングを１０分程度行って、ミラー４の側壁面を平滑な結晶面（１００）とする。 - 特許庁

By using the resist film 13 as a mask, reactive ion etching is performed and made to progress as far as the lower side silicon oxide film 12 through the apertures 53.例文帳に追加

レジスト膜１３をエッチングマスクとして用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、開口部５３を通して下側の酸化シリコン膜１２までエッチングを進行させる。 - 特許庁

By this setup, round etching usually carried out for the rearrangement of silicon atoms to smooth the side faces of the gate groove 9 by means of ion bombardment can be dispensed with.例文帳に追加

これにより、従来、ゲート溝９の側面を滑らかにするために実施されていたシリコン原子の再配列をイオン衝撃により行うラウンドエッチングが不要となる。 - 特許庁

To provide a thin film capable of rapidly removing a thin film such as a side wall spacer used for a semiconductor device without etching the other film including a nickel silicide.例文帳に追加

ニッケルシリサイドを始め他の膜をエッチングすることなく、速やかに半導体装置に利用される側壁スペーサ等の薄膜を除去可能とする薄膜を提供すること。 - 特許庁

To provide an etching method for rear side of silicon wafer and a protecting tape for silicon wafer, with which troubles can be prevented by holding a silicon wafer with a sufficient holding power.例文帳に追加

シリコンウェハを十分な保持力で保持して不具合を防止することができるシリコンウェハ裏面のエッチング方法およびシリコンウェハの保護テープを提供することを目的とする。 - 特許庁

The Si substrate 12 is immersed in TMAH to etch crystal-isotropically the Si substrate 12 through the etching window 26 of the back side, and a through hole 14 is formed on the Si substrate 12.例文帳に追加

ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。 - 特許庁

A sealing substrate 9 is pasted to the protective layer 5 side through an adhesive resin 7 in an inactive atmosphere controlled continuously with the etching to obtain this display 11.例文帳に追加

このエッチングと連続して管理された不活性な雰囲気内において保護膜５側に接着性樹脂７を介して封止基板９を貼り合わせ、表示装置１１を得る。 - 特許庁

After the films 6 and 8 of different kinds of materials are formed on the main surface side of the silicon substrate 1, the through-hole 2 is bored, by etching the silicon substrate 1 from its reverse surface side and then the infrared absorbing film 10 is formed, by screen printing on the main surface side of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の主表面側に異種材料の膜６，８を形成した後、シリコン基板１の裏面側からエッチングを行って貫通孔２を形成し、その後に、シリコン基板１の主表面側に赤外線吸収膜１０をスクリーン印刷により形成する。 - 特許庁

The upper electrode 22 and the piezoelectric film 20 are patterned by dry-etching them through a mask 24 formed on the upper electrode 22 side of a member 10 for a piezoelectric element, and thereafter the side surface (a side surface adhesion film 26) of the patterned piezoelectric film 20a is oxidized to form the oxide film 28.例文帳に追加

圧電素子用部材１０の上部電極２２側に形成したマスク２４を介してドライエッチングすることにより上部電極２２及び圧電膜２０をパターニングした後、パターニングされた圧電膜２０ａの側面（側壁付着膜２６）を酸化させて酸化膜２８にする。 - 特許庁

After forming a side wall 9 with a CVD oxide film (TEOS film 8) on the side of a gate electrode 7 on a silicon substrate 1, this substrate 1 is cleaned with the side wall 9 exposed, until the etching selectivity of the CVD film to a thermal oxidation film is 5 or less.例文帳に追加

シリコン基板１上のゲート電極７の側面にＣＶＤ酸化膜（ＴＥＯＳ膜８）からなるサイドウォール９を形成した後に、サイドウォール９が露出した状態で、ＣＶＤ酸化膜の熱酸化膜に対するエッチング選択比が５以下になるようにシリコン基板１に対して洗浄を行なう。 - 特許庁

The liquid ejector comprises a plurality of nozzles provided on one side of a substrate, and liquid supply paths formed in the substrate by sand blasting from the side opposite to the plurality of nozzles and by etching from the same side as the plurality of nozzles.例文帳に追加

基板の一方の側に設けられた複数のノズルと、基板に対して複数のノズルと逆側の面からサンドブラスト加工法によって形成され、かつ基板に対して複数のノズルと同じ側の面からエッチング加工法によって形成された液体供給路を有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The cavity part is etched by a reaction ion etching method and completely specified along side surfaces by side walls arranged at angles between 80°-100° with respect to the membrane, and the adjacent side walls are arranged at an angle of at least 40° with respect to each other.例文帳に追加

空洞部は反応イオンエッチング法によってエッチングされ、空洞部は、薄膜に対して８０度と１００度との間の角度で配置された側壁によって側面に沿って全面的に規定され、隣接する側壁は互いに対して少なくとも４０度の角度で配置される。 - 特許庁

An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁

The method of manufacturing the compound semiconductor includes a process wherein, after bonding the surface side of the SiC wafer 1 whereon a compound semiconductor element is formed and a support substrate 2 for supporting the SiC wafer by an adhesive 3 whose softening temperature is above 200°C, the hole 6 is formed by dry-etching from the rear face side of the SiC wafer using a fluorine-contained etching gas.例文帳に追加

化合物半導体素子が形成されたＳｉＣウエハ１の表面側と、このＳｉＣウエハを保持する支持基板２とを、軟化温度が２００℃を超える接着材３により接着した後、上記ＳｉＣウエハの裏面側から弗素を含むエッチングガスを用いてドライエッチングによりバイアホール６を形成する工程を含むようにしたものである。 - 特許庁

The metal layer 19 is subjected to side etching, by using the opening part 21 for the fixing part and the side etching hole 22 as starting points, to thereby form the external output terminal 17 for the fixing part on a fixed wiring part 15, and the external output terminal 17 for the fixing part is separated and electrically isolated from the metal layer 19 on the fixed wiring part 15.例文帳に追加

そして、固定部用開口部２１およびサイドエッチングホール２２を起点として金属層１９をサイドエッチングすることにより、固定配線部１５の上に固定部用外部出力端子１７を形成すると共に該固定部用外部出力端子１７と固定配線部１５の上の金属層１９とを離間して電気的に分離する。 - 特許庁

The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.例文帳に追加

基板上に形成された第１膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第１膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第２膜を堆積させる第２膜堆積ステップと、前記第１膜及び前記第２膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the masking device used at the time when either side of the member to be masked is fitted with a film of an electrode or the like, a storage part storing one or more members to be masked is formed on either side of three layer members in which the member impossible of etching as a barrier layer is sandwiched by the members capable of etching from both the sides thereof.例文帳に追加

本発明における被マスキング部材の一方の側に電極等の膜を付ける際に使用するマスキング装置は、バリア層となるエッチング不可能な部材の両側からエッチング可能な部材によって挟まれている３層部材の一方側に被マスキング部材を一つないし多数収納する収納部が形成されている。 - 特許庁

Carbon gas is generated from carbon deposits attached on the inner wall of the etching chamber when the substrate is etched, and carbon gas is deposited on the side walls of the patterned organic material layer 2 to serve as a side wall protective film.例文帳に追加

エッチングチャンバ１０の内部に付着させた炭素系堆積物から、基板のエッチング処理時にカーボン系のガスを生じさせ、これをパターニングした有機材料層２の側壁に堆積させながら側壁保護膜として機能させる。 - 特許庁

The plasma etching apparatus is formed by impressing a high-frequency voltage and arranging a workpiece substrate along a top surface thereof, and is equipped with an electrode 10 which has an inclined side face, and an electrode cover 20 which is provided along the side face of the electrode 10.例文帳に追加

高周波電圧が印加され、その上面に沿って処理対象基板が配置されるものであって、傾斜した側面を有する電極１０と、電極１０の側面に沿って設けられた電極カバー２０とを備える。 - 特許庁