「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

By polishing the major surface of the glass plate using a polishing solution containing cerium oxide abrasives and a polishing pad, and polishing the machining allowance of one side of the glass plate by 15 μm or more, grooves without side etching can be formed.例文帳に追加

ガラス板の主表面を酸化セリウムの砥粒を含有する研磨液と研磨パッドを用いる研磨により、ガラス板片面の取り代を１５μｍ以上研磨することにより、サイドエッチングがない溝を形成することができる。 - 特許庁

Then, after a magnetic film 17a' for formation of an upper pole chip is formed so as to cover the photoresist pattern 31 and the recording gap layer 9, the film is applied to anisotropic etching to form a side wall on the side end face of the photoresist pattern 31.例文帳に追加

次に、フォトレジストパターン３１および記録ギャップ層９を覆うようにして上部ポールチップ形成用磁性膜１７ａ′を形成したのち、異方性エッチングを施し、フォトレジストパターン３１の側端面にサイドウォールを形成する。 - 特許庁

Otherwise, the producing method forms a recess part on the side of the multi-layer pattern by producing the side etching beforehand, and then forms the protection part in the recess part by applying the positive photoresist on the substrate and the multi-layer pattern to be exposed and developed.例文帳に追加

あるいは、あらかじめサイドエッチングを発生させて多層膜パターンの側面に凹部を形成したのち、基板および多層膜パターン上にポジレジストを塗布して露光、現像することにより、前記凹部内に保護部を形成する。 - 特許庁

A protective film 11 of photosensitive resin is formed at the crystal wafer 5 side end where the crystal wafer 5 is exposed by removing the Cr film 6a and the Au film 6b thus protecting the crystal wafer 5 side end in the subsequent etching process.例文帳に追加

Ｃｒ膜６ａとＡｕ膜６ｂを除去することで水晶ウエハー５が露出した水晶ウエハー５側端部には、感光性樹脂からなる保護膜１１を形成し、水晶ウエハー５側端部を以降のエッチング工程から保護する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of shadow mask never causing a diameter failure of pore by forming an etching corrosion-resisting resin layer without leaving bubbles in a pore in the formation of the etching corrosion- resisting resin layer on the pore side in the manufacturing method of a shadow mask by photeteching.例文帳に追加

フォトエッチング法によりシャドウマスクを製造する方法にて、小孔側にエッチング耐蝕樹脂層を形成する際に、小孔内に気泡を残さずエッチング耐蝕樹脂層を形成し、小孔の孔径不良を発生させないシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Next, a groove for exposing the side surface of the solid phase mixed layer 12 is formed by partially etching the Si thin film 13 and the solid phase mixed layer 12, and a hollow part is formed between the Si substrate 1 and the Si thin film 13 by etching the solid phase mixed layer 12 through the groove.例文帳に追加

次に、Ｓｉ薄膜１３と固相混合層１２とを部分的にエッチングして、固相混合層１２の側面を露出させる溝を形成し、この溝を介して固相混合層１２をエッチングすることによって、Ｓｉ基板１とＳｉ薄膜１３との間に空洞部を形成する。 - 特許庁

Further, the protection films comprise etching preventing protection films 51, 53 for covering the upper surface of the electrode films, and an electromigration preventing protection film 55 for covering the upper surface of the etching preventing protection films, the side surfaces 47a, 49a of the electrode films and the upper surface of the magnetic resistance effect film.例文帳に追加

また、保護膜は、電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜５１、５３と、エッチング防止用保護膜の上面、電極膜の側面４７ａ、４９ａ及び磁気抵抗効果膜の上面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とを含む。 - 特許庁

A polishing stopper layer 42 with high polishing resistance is formed on a substrate 41, and then is subjected to a dry etching process with a dry etching device by using a photoresist layer as a mask so as to form an opening section 46, and a first coloring layer 56 is formed so as to bury the upper side of the polishing stopper layer 42 and the opening section 46.例文帳に追加

支持体４１上に研磨耐性の高い研磨ストッパー層４２を形成した後、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチング装置でドライエッチング処理し、開口部４６を形成し、研磨ストッパー層４２上及び開口部４６を埋め込むように第１の着色層５６を形成する。 - 特許庁

An exhaust control mechanism 19 is provided in which an inert gas is flowed to the exhaust side before an etching gas is introduced into the chamber 10 and before the etching gas is introduced, the damage removing unit 16 detects an exhaust pressure by the inert gas and starts a damage removing processing (exciting plasma).例文帳に追加

チャンバー１０内にエッチングガスが導入される以前に排気側に不活性ガスが流される排気制御機構１９が設けられ、エッチングガスが導入される前に不活性ガスにより除害処理装置１６で排気圧力を検出させ、除害処理（プラズマ励起）を作動させておく。 - 特許庁

From the diffracted lights reflected by the etched object 6 and a diffraction grating pattern 7, the height H1 of the diffraction grating pattern 7 before etching, the distance from the long wavelength semiconductor laser for measurement-side surface of the diffraction grating pattern 7 after etching to the bottom face of a trench, and the depth of the trench, are found.例文帳に追加

エッチング対象物６および回折格子パターン７による回折光に基づいて、エッチング前の回折格子パターン７の高さＨ１と、エッチング後の回折格子パターン７の測定用長波長半導体レーザ側の表面から溝の底面までの距離と、溝の深さとを求める。 - 特許庁

To suppress the remainder after etching in the second insulating film 2 or generation of side etching for a device separating structure comprising the first and second insulating films for suppressing a mixed colors and avoiding short-circuiting in a display of an organic electroluminescence in which a luminescence layer is formed by an ink-jet process.例文帳に追加

インクジェットプロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、混色抑制と短絡回避のために、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第２の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the separation of a polyimide film from a film which is subjected to isotropic etching is prevented when the polyimide film is turned into imide by a heat treatment and the separation of deposits adhering to the side walls of the films by anisotropic etching is prevented.例文帳に追加

ポリイミド膜を熱処理でイミド化した場合に、等方性エッチングが行われる膜からポリイミド膜が剥がれることを防止し、かつ各膜の側壁に異方性エッチングによって付着する堆積物が剥がれることを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After that, a second insulating film is deposited, a sidewall is formed on a sidewall of the upper electrode by etching the whole surface of the second insulating film, and since the dielectrics film which becomes a capacitance region in the self-aligned manner is worked, side etch and etching damages can be prevented from entering the dielectrics film, directly below an edge of the upper electrode.例文帳に追加

その後、第２の絶縁膜を堆積して全面エッチングにより上部電極の側壁にサイドウォールを形成後、自己整合的に容量領域となる誘電体膜を加工するので、上部電極のエッジ直下の誘電体膜にサイドエッチやエッチングダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

The forming of the hole of a silicon substrate to be a diaphragm part is not all made by the anisotropic etching, but a hole with a prescribed depth is formed in advance from a rear side of a (100) plane silicon substrate on which a nitride film or the like is formed through physical processing and the anisotropic etching is used to form a hole furthermore after that.例文帳に追加

シリコン基板のダイヤフラム部となる穴の形成をすべて異方性エッチングで行わず、窒化膜等を形成した（100）面シリコン基板に物理的な加工によってあらかじめ裏面から所定の深さの穴を形成し、その後に異方性エッチングによって更に穴をを形成する。 - 特許庁

To provide an etching method forming a deep hole or a deep groove extending in the depth direction with a side wall substantially perpendicular to a layer to be etched in a processing object having a multilayered structure needing etching stop, and reliably leaving the underlying layer.例文帳に追加

エッチングストップを必要とする多層構造の処理対象物にてエッチングすべき層に対しては略垂直な側壁をもって深さ方向に延びる深孔や深溝を形成するという機能を有しながら、下層については確実に残存させることができるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the case of etching a crystal wafer to form a piezoelectric element chip 62, powder beam etching is executed thereby configuring the side end face of the piezoelectric element chip 62 with a slope whose middle part in the perpendicular direction is projected outward over the entire circumference.例文帳に追加

水晶ウエハーをエッチングして圧電素子片６２を形成する際に、パウダービームエッチングを行なうようにし、これによって圧電素子片６２の側端面をその全周に亘って厚さ方向の中央部が外方に突出するような傾斜面から構成するようにしたものである。 - 特許庁

Thereafter, the element formation side is bonded with a holding substrate with an adhesive or the like, the back surface of a silicon monocrystalline substrate is ground/polished, etching is executed and then stopped at an etching stop layer, formed before growing the epitaxial layer, and a trench tip is exposed.例文帳に追加

その後素子形成側を接着剤等で保持基板と接着する等して、しかる後にシリコン単結晶基板の裏面を研削・研磨の後、エッチングを行ってエピタキシャル層を成長させる前に形成したエッチングストップ層でエッチングを停止してトレンチ先端を露出させる。 - 特許庁

After a first spacer made of a material, having an etching selection ratio to a second insulating layer, is formed on the side of an etching region, a storage node contact hole is made, where the first spacer is utilized as a mask and the second insulating layer, and a first one are etched for exposing a capacitor contact region.例文帳に追加

エッチング領域の側面に第２絶縁層に対してエッチング選択比を有する物質からなる第１スペーサを形成した後、第１スペーサをマスクとして利用して第２絶縁層及び第１絶縁層をエッチングしてキャパシターコンタクト領域を露出するストレージノードコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Then, a circuit wiring pattern 5 is formed on the first conductive layer 3 by etching, an adhesive insulating resin is adhered to the side of the circuit wiring pattern, the second conductive layer 1 is etched to form a projection 7, and then the layer of different kinds of metal that becomes the etching stopper is removed.例文帳に追加

そして、第一の導電層３にエッチングにより回路配線パターン５を形成し、接着性絶縁樹脂をその回路配線パターン側に接着し、前記第二の導電層１をエッチングすることにより突起７を形成し、その後前記エッチングストッパーとなる異種金属層を除去する。 - 特許庁

A p-type clad layer 13, contact layers 14, 15 and an SiO_2 layer 16 are formed on an etching stopper layer 6, and the p-type clad layer 13 and the contact layers 14, 15 are etched by dry etching with the SiO_2 layer 16 as a mask to form a ridge 7 with perpendicular or roughly perpendicular shaped side faces.例文帳に追加

エッチングストッパ層６上に、ｐ型クラッド層１３、コンタクト層１４・１５、ＳｉＯ_２層１６を形成し、ドライエッチングにより、ＳｉＯ_２層１６をマスクとして、ｐ型クラッド層１３およびコンタクト層１４・１５をエッチングし、側面が垂直または略垂直形状のリッジ７を形成する。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor element formed by etching from one main surface side of a semiconductor substrate, a movable part that becomes a means for detecting the end point of etching is provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、半導体基板の一方の主面側からエッチングを行って形成される半導体素子を有する半導体装置において、前記エッチングの終点を検知する手段となる可動部位が前記半導体基板上に設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

The process where the gate electrode 201 is left unremoved comprises a step, where a disused part is removed from the gate electrode 201 through an isotropic reactive ion etching method, where an etching gas that contains HBr gas and Cl2 gas is used so as to enable the electrode 201 to be provided with an undercut on its each lower sectional side.例文帳に追加

ゲート電極２０１を残す前記工程は、ＨＢｒガスおよびＣｌ_2ガスを含むエッチングガスを用いた等方性反応性イオンエッチング法によりゲート電極２０１が断面両側下方にアンダーカット部を備えるように不要な部分を除去するステップを含んでいる。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a photoresist pattern 14 on a layer 12 to be etched, a step for forming an etching rate increasing film of the layer 12 on the side wall of the photoresist pattern 14, and a step for forming a contact window by etching the layer 12 using the photoresist pattern on which the etching rate increasing film is formed as an etching mask.例文帳に追加

食刻対象層１２の上部にフォトレジストパターン１４を形成する段階と、プラズマ処理を行いフォトレジストパターン１４の側壁に食刻対象層１２の食刻速度を増加させるための食刻速度増加膜を一定の厚さで形成する段階と、食刻速度増加膜が形成されているフォトレジストパターンを食刻マスクとして用いて食刻対象層を食刻することによりコンタクト用のウィンドウを形成する段階とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

After detaching the support layer 2, etching treatment is performed to the metal layer 3 to form outer surface side line patterns 13a, and at the same time, side section line patterns 13c which connect inner surface side line patterns 13b and outer surface side line patterns 13a are formed to compose an inductor pattern which surrounds the ambient of the high permeability layer 14 in a multiple coiled fashion.例文帳に追加

支持体層２を剥離した後、金属層３にエッチング処理を施して外面側ラインパターン１３ａを形成すると共に、内面側ラインパターン１３ｂと外面側ラインパターン１３ａとを接続する側部ラインパターン１３ｃを形成して、高透磁率層１４の周囲をコイル状に多数巻に囲むインダクタパターンを構成する。 - 特許庁

Grooves (131, 132, 133, 134, and 135) are formed on a conductive film (120) of ITO stuck by sputtering on a substrate (110) of glass of a fixed-side panel (100) through etching using a laser.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

A first thin film layer 5 and a second thin film layer 7 which are different in composition are inserted in clad layers 4, 6, 8 in which steps are to be formed, and steps corresponding to difference of the amount of side etching of them are formed.例文帳に追加

段差を設けるべきクラッド層４，６，８に、組成が異なる第１及び第２の薄膜層５，７を挿入し、これらのサイドエッチ量の差に応じた段差を形成する点にある。 - 特許庁

Insulative side walls are formed on both sides of a gate structure of a field effect transistor for peripheral circuits, while the mask 43 blocks the etching gas from contacting with the memory cells.例文帳に追加

こうして、前記エッチング・ガスがメモリセル部に接触するのをマスク４３で防止しながら、周辺回路用電界効果トランジスタのゲート構造の両側に絶縁性サイドウォールを形成する。 - 特許庁

Then, a beam irradiation angle θ when performing the ion milling of the magnetic material layer is determined according to the etching amount (shifting amount S) in the width direction of the hard mask and the side wall inclination α of the hard mask.例文帳に追加

そして、磁性材料層をイオンミリングする際のビーム照射角θを、ハードマスクの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）と、ハードマスクの側壁傾斜角αとに応じて決定する。 - 特許庁

To provide a method for preventing a side deposition by a reaction product and improving the throughput, when a high melting point material such as Ir and Pt is subjected to dry etching by using a mixture gas of chlorine and argon.例文帳に追加

ＩｒやＰｔなどの高融点材料を、塩素とアルゴンの混合ガスを用いドライエッチングする場合の、反応生成物によるサイドデボを防止し、スループットを改善する方法を得る。 - 特許庁

To manufacture a printed wiring substrate having excellent circuit accuracy by controlling the side etching of a circuit forming area in a process to manufacture a printed wiring substrate by a subtract method.例文帳に追加

サブトラクト法によるプリント配線基板の作製において、回路形成部分のサイドエッチを抑制し、良好な回路精度をもつプリント配線基板を作製することを目的とする。 - 特許庁

A Cu plating is carried out and a dry film (a resist film) is stuck, the pattern is formed by the exposure/the developing, the resist film is removed after the etching, and the circuit on the rear side is formed.例文帳に追加

次いで、Ｃｕメッキを施しドライフィルム（レジストフィルム）を貼り付け、露光・現像にてパターンを形成し、エッチングした後にレジストフィルムを除去して裏面側の回路が形成される。 - 特許庁

Then, the etching stop layer 14 positioned at the lower side of the hole section 15a is removed, and the lower layer wiring 13 is exposed for forming a via contact 20a and upper layer wiring 20b.例文帳に追加

次に、孔部１５ａの下側に位置するエッチング停止層１４を除去し、続いて下層配線１３を露出した後にビアコンタクト２０ａ及び上層配線２０ｂを形成する。 - 特許庁

A silicon oxide layer 6 that at least covers side surfaces of the sidewall core 4, and the polysilicon layer are sequentially formed and an embedded hard mask 7 is formed by etching back the polysilicon layer.例文帳に追加

次に、サイドウォールコア４の少なくとも側面を覆う酸化シリコン層６、ポリシリコン層を順に成膜し、ポリシリコン層をエッチバックすることによって埋込ハードマスク７を形成する。 - 特許庁

The tapered-section forming step forms a second side surface region 12b comprising the tip 12c of the tapered section 12 by simultaneously performing etching on the core layer 14 and the auxiliary layer 18.例文帳に追加

テーパ部形成工程は、コア層１４に対し、補助層１８と同時にエッチングを施すことによって、テーパ部１２の先端１２ｃを含む第２側面領域１２ｂを形成する。 - 特許庁

Before forming the second semiconductor part 37 in the EA region 1c, the cap layer 15, which is the top layer of the first semiconductor part 19, is partially etched from an etching end surface 19a side.例文帳に追加

ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する前に、エッチング端面１９ａ側から第１半導体部１９の最上層であるキャップ層１５を部分的にエッチングする。 - 特許庁

To prevent a gate insulation film at the lower part of a drain electrode from being etched during the process of etching a protective film by extending an active layer at the lower part further on one side of the drain electrode.例文帳に追加

ドレイン電極の一側に下部のアクティブ層をさらに延ばして、保護膜をエッチングする工程中ドレイン電極下部のゲート絶縁膜がエッチングされることを防止する。 - 特許庁

Next, isotropic plasma etching is executed in a state where a resist mask 5 is formed so that an upper hole portion 43h of a contact hole 4h is formed to be large on the upper layer side insulating film 43.例文帳に追加

次に、レジストマスク５を形成した状態で、等方性プラズマエッチングを行い、上層側絶縁膜４３にコンタクトホール４ｈの上穴部分４３ｈを大径に形成する。 - 特許庁

Patterns of L-shaped first and second radiation element conductors 3, 4 are formed on one side or both sides of the first dielectric board 1 by etching or the like.例文帳に追加

第１の誘電体基板１の片面或いは両面にエッチング等により、Ｌ字状の第１の放射素子導体３と第２の放射素子導体４がパターン形成されている。 - 特許庁

Thereafter the impurity ions are implanted using the side wall 7a as a mask to form a source-drain regions, and the oxide film 5 and the SIPOS film located on the gate oxide film 3 are removed by etching.例文帳に追加

その後、サイドウォール７ａをマスクに不純物イオンを注入してソース・ドレイン領域を形成し、ゲート酸化膜３上の酸化膜５及びＳＩＰＯＳ膜をエッチング除去する。 - 特許庁

Grooves 131, 132, 133, 134, and 135 are formed by laser etching in the conductive film 120 of ITO attached through sputtering to the glass substrate 110 on a fixed side panel 100.例文帳に追加

固定側パネル（１００）のガラスの基板（１１０）にスパッタリングで付着されたＩＴＯの導電膜（１２０）にレーザによるエッチングで溝（１３１、１３２、１３３、１３４、１３５）が形成される。 - 特許庁

The top face of the wiring layer 13 is exposed in the SOG film 31 embedded into the through-hole (h), and the side face of the wiring layer 13 is removed by an etching so as not to be exposed.例文帳に追加

その後、スルーホールｈ内に埋め込まれたＳＯＧ膜３１を、配線層１３の上面を露出させ、かつ配線層１３の側面を露出させないようにエッチングして除去する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a capacitor of a semiconductor element by which leakage current due to a gap generated by damaging a spacer of a storage node plug side wall by etching.例文帳に追加

エッチングによってストレージノードプラグ側壁のスペーサが損傷されて発生した隙間による漏洩電流を防止できる半導体素子のキャパシタ製造方法を提供すること。 - 特許庁

On a side surface of the mask substrate, a lift apparatus is located having a mounting member to control the etching rate to be uniform by moving the mask substrate up and down.例文帳に追加

また、前記マスク基板の側面には固定部を備えるリフト装置が位置して前記マスク基板を上下に移動することによって均一なエッチング率に制御することができる。 - 特許庁

A light control layer 6 with uniform transmission light quantity is initially formed on the back side of a transmissive base material 3 and then the thickness of the light control layer 6 is controlled by etching with laser L.例文帳に追加

最初に均一透過光量の調光層６を透光性基材３の裏面側に形成し、その次に、その調光層６の厚さをレーザーＬのエッチングにより調整する。 - 特許庁

A middle step including supply of an etching gas to a supply side of a hollow substrate tube is performed between one deposition stage and one or a plurality of its following deposition stages.例文帳に追加

１つの堆積段階とその次の１つまたは複数の堆積段階との間に、中空基体管の供給側にエッチングガスを供給することを含む中間ステップが実施される。 - 特許庁