「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve an insulating property between adjacent first electrodes and reduce side-etched portions when a piezoelectric body layer is patterned by a wet etching method in an inkjet head manufacturing method.例文帳に追加

インクジェットヘッドの製造方法において、隣接する第1電極層間の絶縁性を向上させるとともに圧電体層をウェットエッチング法でパターニングする際におけるサイドエッチングされる部分を減らす。 - 特許庁

Then, when etching is given to the recess groove, a seal material 12 consisting of resin material, etc., is placed on the side of the front surface of the silicon wafer 11, and the seal material 12 is pressed toward the silicon wafer 11 by using compression air.例文帳に追加

そして、凹溝のエッチング加工時には、樹脂材料等からなるシール材１２をシリコンウエハ１１の表面側に載置し、加圧した空気を用いてシール材１２をシリコンウエハ１１に向けて押付ける。 - 特許庁

The silicon substrate surface is patterned for mirror formation, so that the mirror surface of the mobile micromirror may be constituted of a {100} face perpendicular to the silicon substrate through anisotropic wet etching, and the silicon substrate surface is patterned for V groove formation, so that respective groove faces of the input-side and output-side optical fiber holding V grooves is constituted of {111} planes through anisotropic wet etching.例文帳に追加

ミラー形成のためのシリコン基板表面へのパターニングを、異方性ウェットエッチングによって、シリコン基板表面に垂直な｛１００｝面により可動マイクロミラーのミラー面が構成されるように施し、Ｖ溝形成のためのシリコン基板表面へのパターニングを、異方性ウェットエッチングによって、｛１１１｝面により入力側及び出力側光ファイバ保持Ｖ溝のそれぞれの各溝面が構成されるように施す。 - 特許庁

When etching a monocrystalline silicon layer 101 through a photoresist layer 102 formed on the upper part of the monocrystalline silicon layer 101 and patterned in a prescribed pattern by processing gas plasma, a protection film forming process for forming a protection film 103 on a side wall part of the photoresist layer 102 by using gas containing carbon, e.g., CF gas plasma, is performed before starting a plasma etching process for etching the monocrystalline silicon layer 101.例文帳に追加

単結晶シリコン層１０１を、単結晶シリコン層１０１の上部に形成され所定のパターンにパターニングされたフォトレジスト層１０２を介して処理ガスのプラズマによりエッチングする際に、単結晶シリコン層１０１のエッチングを行うプラズマエッチング工程を開始する前に、カーボンを含んだガス例えばＣＦ系ガスのプラズマを用いてフォトレジスト層１０２の側壁部に保護膜１０３を形成する保護膜形成工程を行う。 - 特許庁

This resist material uses a polymer compound comprising at least a repeating unit of formula (a) containing a naphthalene ring having a specific oxygen-containing substituent on a side chain, and a repeating unit of formula (b) having a specific sulfonium salt group on a side chain, as indispensable units, and thereby, high dry etching resistance is achieved.例文帳に追加

少なくとも、特定の酸素含有置換基を有するナフタレン環を側鎖に含む繰り返し単位（ａ）及び特定のスルホニウム塩基を側鎖に有する繰り返し単位（ｂ）を必須単位として含む高分子化合物をレジスト材料として使用することで高いドライエッチング耐性が得られる。 - 特許庁

In the etching apparatus wherein the surface side of a substrate 1 located on an electrode 9 within a chamber 18 is covered with a plate member 13 formed with a large number of openings 14 to make coarse the surface of the substrate 1, the plate member 13 is equipped with a protruding wall 17 on the side of the substrate 1.例文帳に追加

チャンバ１８内の電極９上に配置した基板１の表面側を開口部１４が多数形成されたプレート部材１３で被覆して上記基板１の表面を粗面状にするエッチング装置であって、上記プレート部材１３の上記基板１側に突出壁１７を設けた。 - 特許庁

Next, after a fifth insulating film is deposited by a CVD method on a fourth insulating film covering the laminated gate electrode 20, anisotropic etching is performed for the fifth insulating film and the fourth insulating film and a first side wall 27 is formed on the side of the laminated gate electrode 20.例文帳に追加

次に、積層型ゲート電極２０を覆う第４の絶縁膜の上にＣＶＤ法により第５の絶縁膜を堆積した後、第５の絶縁膜及び第４の絶縁膜に対して異方性エッチングを行なって積層型ゲート電極２０の側面に第１のサイドウォール２７を形成する。 - 特許庁

Similarly, after a second side wall metal 8 is provided on the side wall within a trench 7 of a second interlayer dielectric 6 including a porous second low dielectric constant film 6b, a second etching stopper layer 6a is etched and an upper layer 9 is formed that connects to the via plug 5.例文帳に追加

同様に、多孔質の第２低誘電率膜６ｂを含む第２層間絶縁膜６のトレンチ７内の側壁に第２サイドウォールメタル８設けられた後に第２エッチングストッパー層６ａがエッチングされ上記ビアプラグ５に接続する上層配線９が形成される。 - 特許庁

A pair of bottom side shields 20 and a pair of non-magnetic material layers 30 are formed by forming non-magnetic layers on a lower side shield forming layer, selectively etching them, and forming a groove 800 having a truncated wedge-shaped sectional shape.例文帳に追加

下部サイドシールド形成層上に非磁性材料形成層を形成したのち、それらを選択的にエッチングし、先端が切り取られたくさび状の断面形状を有する溝８００を形成することにより、一対の下部サイドシールド２０および一対の非磁性材料層３０を形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is capable of suppressing the reduction of the thickness of an insulating film for a side wall upon forming a silicide block layer, and suppressing the generation of dispersion in the etching of a gate electrode or the width of the side wall.例文帳に追加

本発明の目的は、シリサイドブロック層の形成時におけるサイドウォール用絶縁膜の膜厚の減少を抑制することができ、ゲート電極のエッチングやサイドウォール幅のばらつきの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

When a cleaning gas (ClF3 gas) is fed into outer/inner tubes forming a treatment chamber of a vertical low-pressure CVD system in order to remove internal depositions, a temperature 15a of the downstream side (top region) of the ClF3 gas is set higher than a temperature 17a of the upstream side (bottom region) for etching.例文帳に追加

縦型減圧ＣＶＤ装置の処理室を形成するアウター／インナーチューブ内にクリーニング用ガス（ＣｌＦ_3ガス）を導入して内部堆積物を除去する際に、ＣｌＦ_3ガスの上流側（ボトム領域）の設定温度１７ａより下流側（トップ領域）の設定温度１５ａを高くしてエッチングする。 - 特許庁

Continuously, after an insulating film is formed to cover the first and second gate electrodes, a side wall insulating film is formed only on the side wall of the second gate electrode by anisotropically etching only the insulating film covering the relevant second gate electrode.例文帳に追加

続いて、前記第１及び第２のゲート電極を被覆するように絶縁膜を形成した後に、当該第２のゲート電極を被覆する絶縁膜のみを異方性エッチングして第２のゲート電極の側壁部にのみ側壁絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

The boundary layer 108A exists between a surface exposed by etching for forming the ridge 111 and an Al containing layer or an upper side SCH (separated confinement heterostructure) layer 106 to avoid the exposure or oxidization of the upper side SCH layer 106 and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

境界層１０８Ａは、リッジ１１１を形成するためのエッチングにより露出する表面とＡｌ含有層である上側ＳＣＨ層１０６との間に存在し、上側ＳＣＨ層１０６や量子井戸活性層１０５が露出して酸化することを回避する。 - 特許庁

Further, the reproducing head is provided with a mask layer 22 for etching which is arranged between one face of the MR element 5 and the upper shield layer 9 and is used as a mask to determine the position of the end part on the side opposite to the side facing a recording medium of the MR element 5.例文帳に追加

再生ヘッドは、更に、ＭＲ素子５の一方の面と上部シールド層９との間に配置され、エッチングによってＭＲ素子５の記録媒体に対向する側とは反対側の端部の位置を決定するためのマスクとして用いられるエッチング用マスク層２２を有している。 - 特許庁

The side of the silicon-made cap chip is formed by wet etching, and an insulation protecting film is formed on the wet-etched surface, thereby forming the insulation protecting film having a high adhesion force; whereby even if wires moves and come into contact with a cap chip side at resin-molding, generation of noises and line short circuiting can be prevented.例文帳に追加

シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェットエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や線間短絡を防止できる。 - 特許庁

For this plasma processor, an electrostatic chuck 108 is provided on a lower electrode 106 arranged inside the processing chamber 102 of an etching device 100, and a conductive inner side ring body 112a and an insulating outer side ring body 112b are arranged so as to surround the periphery of a wafer W mounted on a chuck surface.例文帳に追加

エッチング装置１００の処理室１０２内に配置された下部電極１０６上には，静電チャック１０８が設けられ，チャック面上に載置されるウェハＷの周囲を囲むように導電性の内側リング体１１２ａと絶縁性の外側リング体１１２ｂが配置される。 - 特許庁

When a silicon area 6B containing a large amount of metal is etched by performing plasma etching using a mixed gas of HBr gas and Cl2 gas, superior anisotropy is secured, because reaction products, etc., deposit and form side-wall protective films 8 on the side walls of a resist mask and the thin silicon film 10.例文帳に追加

ＨＢrガスとＣl_2ガスとの混合ガスを用いたプラズマエッチングにより多量に金属を含むシリコン領域６Ｂをエッチングすると、反応生成物等がレジストマスクやシリコン薄膜の側壁に堆積して側壁保護膜８が形成され、優れた異方性が確保される。 - 特許庁

A trench 100 is formed in the surface side of a substrate 1, a sacrifice layer being dissolved by wet etching for forming a trench 5 from the rear surface side of the substrate 1 is formed in a region of the substrate 1 contiguous to that trench 100, and then a protective film 95 is formed to cover the trench 100 and the sacrifice layer.例文帳に追加

基板１の表側の面に溝１００を形成し、基板１の、この溝１００に隣接する領域に、基板１の裏側から溝５を形成するためのウエットエッチングによって溶解される犠牲層を形成し、さらに、溝１００と犠牲層とを覆って、保護膜９５を形成する。 - 特許庁

Further, rear face incident type imaging device comprises; a recess that is provided by etching the silicon substrate from a rear side while the rear surface of the recess has an opposite region that opposes the light detection section by pinching the silicon substrate having nearly a fixed film thickness; and a light shielding film for covering the rear side of the silicon substrate excluding the opposite region.例文帳に追加

更に、シリコン基板を裏面側からエッチングして設けられた凹部であって、凹部の底面が、略一定膜厚のシリコン基板を挟んで光検出部と対向する対向領域を有する凹部と、対向領域を除いてシリコン基板の裏面側を覆う遮光膜とを含む。 - 特許庁

Light is applied to the other surface side of the crystal substrate 15 to generate a hole/electron pair, the hole moves to one surface side of the crystal substrate 15, etching due to the combination of the hole and ions in the electrolyte is allowed to proceed, and a number of through holes are formed on the crystal substrate 15.例文帳に追加

結晶基板１５の他面側に光照射してホールと電子の対を発生し、ホールが結晶基板１５の一面側に移動し、ホールと電解液中のイオンとが結合することによるエッチングを進行させ、多数の貫通孔を結晶基板１５に形成する。 - 特許庁

Active matrix elements, etc., are formed on one side plastic substrate 103, a color filter, etc., are formed on the other side plastic substrate 103, thereafter, both are stuck together by making the plastic substrates 103 inside and the supporting substrate 101 is removed by etching or a mechanical grinding processing.例文帳に追加

一方のプラスチック基板１０３にアクティブマトリックス素子等を形成し、他方のプラスチック基板１０３上にカラーフィルタ等を形成した後、これらをプラスチック基板１０３を内側にして貼り合わせ、支持基板１０１をエッチングまたは機械的研磨処理によって除去する。 - 特許庁

Consequently, mutually adjacent bonding pads 50 are nearly equal in the distance between end parts on the side of the semiconductor element 70 and the distance between the end surfaces on the opposite semiconductor element side, so that the flow of etching liquid becomes uniform between wiring patterns at parts which become the mutually adjacent pads 50 at the time of package manufacture.例文帳に追加

このため、互いに隣合うボンディングパッド５０は、半導体素子７０側の端部間の距離と反半導体素子側の端部間の距離とが略等しいので、パッケージ製造時において、互いに隣合うボンディングパッド５０となる部分の配線パターン間でエッチング液の流れが均一となる。 - 特許庁

By etching the second silicon board, a pair of detecting electrode parts 3, 4 are formed which are fixed to the retaining board 1 by using the insulating layer 11 and arranged so as to pinch parts of the beam part 2a which parts are adjacent to the base end electrode part 2b and whose side surfaces are subjected to capacitive coupling with a side surface of the beam part 2a.例文帳に追加

第２のシリコン基板をエッチングして、絶縁層１１により支持基板１に固定されると共にビーム部２ａの基端電極部２ｂに近い部分を挟むように配置されて、側面がビーム部２ａの側面と容量結合する一対の検出電極部３，４が形成される。 - 特許庁

Further, on the back surface side of the substrate 11 roughly corresponding to the facing area of the upper electrode film 14 and the lower electrode film 12, a gap 17 as a cavity for confining elastic energy is formed by etching Si with a fluorine-based gas from the back side of the substrate 11.例文帳に追加

さらに、上部電極膜１４と下部電極膜１２の対向領域に概ね対応する基板１１裏面側には、基板１１の裏側からＳｉをフッ素系ガスでエッチングすることにより、弾性エネルギを閉じ込めるキャビティとしての空隙１７が形成されている。 - 特許庁

The frequency of the surface acoustic wave device 10b is adjusted by etching a side (substrate rear side) 1b opposite in a thickness direction to a side of a piezoelectric substrate 1 on which an IDT electrode 2 is formed, the piezoelectric substrate 1 comprising a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or a lithium tetraborate substrate and formed with the IDT electrode 2.例文帳に追加

ＩＤＴ電極２を形成した、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板もしくは四ホウ酸リチウム基板からなる圧電基板１の、ＩＤＴ電極２を形成した面と厚み方向に対向する面（基板裏面）１ｂをエッチングすることにより、弾性表面波装置１０ｂの周波数調整を行うものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.例文帳に追加

圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.例文帳に追加

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁

In a process for forming a separation groove for separating into chips by dry etching and then surface-roughening a surface where the n-type nitride semiconductor layer 2 is exposed, the side of the active layer 3 is melted and the width is narrowed.例文帳に追加

チップに分離するための分離溝をドライエッチングで形成した後、ｎ型窒化物半導体層２が露出した表面の粗面加工を行う工程で、活性層３の側面が溶けて幅が狭くなったものである。 - 特許庁

The metal blade body 15 constituting the fixed blade 10 (or the movable blade 11) is constituted of a blade body 28 which is formed by the etching method, and a reinforcing plate 29 which is bonded and fixed to the non-sliding surface side of the blade body 28.例文帳に追加

固定刃１０（または可動刃１１）を構成する金属刃体１５を、エッチング法で形成される刃本体２８と、刃本体２８の非摺動面側に接合固定される補強板２９とで構成する。 - 特許庁

Etching progresses at a lower rate in the part for forming the ink supply chamber recess as compared with the ink supply chamber side until the mask pattern 31a is removed, and progresses at the same rate after the mask pattern a is removed.例文帳に追加

マスクパターン３１ａが除去されるまでは、インク供給室形成用凹部を形成する部分は、インク圧力室側よりも遅い速度でエッチングが進み、マスクパターンが剥離後は同一速度でエッチングが進行する。 - 特許庁

The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.例文帳に追加

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、Ａ面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード（ＴｉＮ／Ｃｕ）を形成する。 - 特許庁

Processing gas, excited by plasma generated by a plasma generation means 8 is discharged to the substrate to be processed S from the side of the substrate to be processed S by a gas supply means 9 and is supplied to an etching face.例文帳に追加

プラズマ生成手段８にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスは、ガス供給手段９により被処理基板Ｓの側方から被処理基板Ｓに向けて放出されてエッチング面に供給される。 - 特許庁

A gate insulating film having a two-layered structure having different etching rates is formed on a ground 20, and a bottom portion side surface and a bottom portion of a gate contact hole processed and formed into the gate insulating film are curved surfaces which are convex toward the ground.例文帳に追加

下地２０上にエッチングレートの異なる二層構造のゲート絶縁膜を有し、ゲート絶縁膜に加工形成されたゲートコンタクトホールの底部側面及び底部が下地側に凸形状の曲面である。 - 特許庁

When creating a silicon oxide film 24 on a silicon oxide film 21 being a mask for forming a type-p base region 3 and etching it back, the films 24 remain with the same width on both of the side surface of the film 21.例文帳に追加

ｐ型ベース領域３の形成用マスクとなるシリコン酸化膜２１の上にシリコン酸化膜２４を成膜したのちエッチバックすると、シリコン酸化膜２１の両側面に同等の幅でシリコン酸化膜２４が残る。 - 特許庁

To provide a process for producing a wiring circuit board in which stripping of a conductor layer from a base insulation layer can be prevented even if a side etching portion arises in the conductor layer due to skirting portion of plating resist.例文帳に追加

めっきレジストの裾引き部に起因して、導体層にサイドエッチング部が生じても、ベース絶縁層から導体層が剥離することを防止することができる、配線回路基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Subsequently, etching is performed from the p-contact layer 9 to the n-contact layer 5 on the inner surface of the cut trench 50 to form an n-side electrode forming region 51 where the n- contact layer 5 is exposed.例文帳に追加

このようにして割り溝５０を形成した後、割り溝５０の内面のｐ−コンタクト層９からｎ−コンタクト層５までをエッチングし、ｎ−コンタクト層５が露出してなるｎ側電極形成領域５１を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a semiconductor device manufacturing method capable of effectively removing deposits including metal accumulated on a pattern sidewall by dry processing while suppressing pattern thinning by side etching.例文帳に追加

サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A p-type electrode 8 is provided on the translucent conductive layer 7 and an n-side electrode 9 is provided while being electrically connected with the n-type layer 3 exposed by etching a part of the semiconductor laminate portion 6.例文帳に追加

透光性導電層６上にはｐ側電極８が設けられ、半導体積層部６の一部をエッチングして露出するｎ形層３に電気的に接続してｎ側電極９が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can suppress the occurrence of side etching during formation of an n-type polysilicon gate while preventing boron from punching through a substrate due to the diffusion of boron in a p-type polysilicon gate.例文帳に追加

ｐ型ポリシリコンゲート中のボロンの拡散による基板側への突き抜けを防止しつつ、ｎ型ポリシリコンゲートの形成時におけるサイドエッチの発生を抑制しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An elevating means 20 is installed which lifts up the object 3 from the stand 4 and makes the active species be supplied to the rear side of the objects 3 when the etching treatment is performed to the rear of the object 3.例文帳に追加

被処理物３の裏面に対してエッチング処理を行う際に、被処理物３を載置台４から持ち上げて、活性種が被処理物３の裏面側に供給されるようにする昇降手段２０を有する。 - 特許庁

Then, a sidewall 5 made of amorphous silicon is formed on the side of the opening 4, and wet etching is made with the oxidation resistant film 3 and the sidewall 5 as a mask, thus forming a groove 6 on the silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、開口４の側面上に非晶質シリコンからなるサイドウォール５を形成し、耐酸化性膜３およびサイドウォール５をマスクとしてウェットエッチングを行うことにより、シリコン基板１に溝６を形成する。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a sidewall film by suppressing dispersion of depth from a groove opening on an upper surface of the sidewall film without receiving etching damage on a surface of the sidewall film when forming the sidewall film on a groove side face.例文帳に追加

溝側面に側壁膜を形成する際に、側壁膜表面にエッチングダメージを受けることなく、側壁膜上面の溝開口部からの深さのばらつきを抑制して形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask blank in which a halftone mask with high patterning accuracy can be formed by suppressing side etching of a light-shielding layer, and to provide a halftone mask having high patterning accuracy formed from the mask blank.例文帳に追加

遮光層のサイドエッチングを抑制することでパターニング精度の高いハーフトーンマスクを作成することが可能なマスクブランクス及び当該マスクブランクスから形成されるパターニング精度の高いハーフトーンマスクを提供すること - 特許庁

Then, a resist pattern 40 having an opening is formed at a part to form the main magnetic pole 32 and the side shield 36, reactive ion etching is performed with the resist pattern 40 as a mask, and an opening is formed on the nonmagnetic insulating film 37.例文帳に追加

次に、主磁極３２とサイドシールド３６を形成する部分に開口部を有するレジストパターン４０を形成し、これをマスクにして反応性イオンエッチングを行い、非磁性絶縁膜３７に開口部を形成する。 - 特許庁

The microphone is a diaphragm member 1 formed of a silicon wafer and the diaphragm member 1 is formed by forming a trapezoidally- sectioned recessed part 1c which is downward open by carrying out anisotropic etching from the lower face side.例文帳に追加

マイクロフォンは、シリコンウェハーから形成されたダイヤフラム部材１で、下面側から異方性エッチングを施して、下に向って開口し断面形状が台形をなす凹部１ｃを形成して、ダイヤフラム部材１を形成する。 - 特許庁