「side-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

(2) Furthermore, in the manufacturing method, the cleaning of the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is performed by silicon chemical etching, and the content of copper locally in the portion whose boundaries are separated by 3 nm from the rear-surface side of its silicon semiconductor substrate is set to be not larger than 1×10^9/cm^2.例文帳に追加

（２）シリコン半導体基板の裏面側に対してシリコン化学エッチングによる洗浄を行い、シリコン半導体基板の裏面側から３ｎｍまでの部分に局在化した状態で含まれる銅の含有量を１×１０^9／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device includes a process of forming a gate trench in a semiconductor layer containing silicon by etching the semiconductor layer using, as a mask, a mask layer containing silicon nitride and a side wall film formed on a side wall of the mask layer.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、シリコン窒化物を含むマスク層及びマスク層の側壁に形成されたサイドウォール膜をマスクにして、シリコンを含む半導体層をエッチングし、半導体層にゲートトレンチを形成する工程を有する。 - 特許庁

Furthermore, the exposed part of the front foundation layer 11 and the rear foundation layer 17 is eliminated by etching, and a rear conductive layer 25 is formed by sputtering so that the entire surface at the rear side of the substrate can be covered.例文帳に追加

更に、表下地層１１及び裏下地層１７の露出部分をエッチングにより除去し、基板の裏側の表面全体を覆うようにスパッタリングにより裏導電層２５を形成する。 - 特許庁

The front surface side of the lead frame material 23 is etched with the anti-etching plating 20 as a resist film, so that a lead frame base 12 is formed comprising joint terminals 14 and 14a and a lead 17.例文帳に追加

そして、リードフレーム材２３の表面側を耐エッチングめっき２０をレジスト膜としてエッチング処理を行って接合端子１４、１４ａ及びリード１７を備えたリードフレームベース１２を形成する。 - 特許庁

Next, the exposed oxide film 10 is removed while making a support portion 10b near the center under the silicon layer 11 remain, and an oxide film 10 on the side of the support portion 10b is removed by, for example, isotropic etching.例文帳に追加

次に、露出した酸化膜１０をシリコン層１１の下の中央寄りの支持部１０ｂを残留させながら支持部１０ｂ脇の酸化膜１０を例えば等方性エッチングにより除去する。 - 特許庁

A groove (85) is partially etched and the groove (85) is formed almost inside the secondary dielectric layer (40) after BARC (back side anti-reflection coating) is completely or partially removed from the via (62), which completes a groove etching process.例文帳に追加

溝（８５）を部分的にエッチングし、ＢＡＲＣをビア（６２）から完全にまたは部分的に除去して溝（８５）をほとんど第２の誘電層（４０）内に形成し、溝エッチング・プロセスを完了する。 - 特許庁

The formation of excessive holes in the area outside the hole formation area A is suppressed and the abnormal etching of the internal wall surface of the hole 7 positioned at the outermost side can be suppressed.例文帳に追加

したがって、孔形成領域Ａの外側領域に余剰ホールが生成されることは抑制され、最も外側に位置する孔７の内壁面に異常エッチングが発生することを抑制できる。 - 特許庁

After etching the basic bottom layer 20 to form steps and performing transverse epitaxial growth by utilizing the side faces of the steps as the nuclei, the parts that bury the steps hardly allow the through dislocations which propagate in the longitudinal direction to propagate.例文帳に追加

これをエッチングして段差を設け、段差の側面を核として横方向エピタキシャル成長させれば、段差を埋める部分は縦方向に伝搬する貫通転位をほとんど伝搬しない。 - 特許庁

The optical fiber array has at least a Si substrate 10 on which a group of V-shaped grooves 12 extending in parallel on at least one side of faces are formed by etching and an optical fibers 20 arranged in each of the V-shaped grooves 12'.例文帳に追加

少なくとも片面に並列して延びるＶ溝群１２がエッチングにより形成された少なくとも１枚のＳｉ基板１０と、各Ｖ溝１２’に配置された光ファイバ２０とを有する。 - 特許庁

An Ni metal bonding material 3 dispersed with abrasive grains 2 is immersed in an etching solution, a part of the abrasive grains 2 exposed to both side surfaces are dropped, and recesses 4 are formed by the traces of dropped abrasive grains.例文帳に追加

砥粒２を分散配置したＮｉ金属結合材３をエッチング液に浸漬して、両側面に露出する砥粒２の一部を脱落させ、脱落した砥粒痕によって凹部４を形成する。 - 特許庁

The portion 4A of the color oxide film 4 which has withdrawn to the side of a substrate deep part is formed with the foregoing etching, in which a semiconductor material such as amorphous silicon is embedded to form a semiconductor connection layer 15A.例文帳に追加

このエッチングによりカラー酸化膜４が基板深部側に後退した部分４Ａが形成され、そこに非晶質シリコンなどの半導体材料を埋め込んで半導体接続層１５Ａを形成する。 - 特許庁

In this process, even when the pattern of contact hole 18 is diffused into the trench 12, the denatured SOG film 13a is not etched because the etching grade is rather low and therefore the side wall of trench 12 is never exposed.例文帳に追加

この工程において、コンタクトホール１８のパターンがトレンチ１２にずれ込んでも改質ＳＯＧ膜１３ａはそのエッチングレートが低いため食刻されず、トレンチ１２側壁は露出しない。 - 特許庁

The method includes further a step for releasing structure including the probe structure and the holder from the substrate, by under-etching the probe structure from a side of substrate generated with the probe structure.例文帳に追加

該方法は、さらに、プローブ構造が生成された基板の側から該プローブ構造にアンダーエッチングを行うことにより、プローブ構造とホルダとを含んでいる構造を基板から離型するステップを含んでいる。 - 特許庁

Thus, even when the diaphragms of the pressure sensors are partially damaged, it is possible to prevent the other normal pressure sensors prevented from being damaged by the etching reagent infiltrating to the side of the front surface.例文帳に追加

これにより、一部の圧力センサのダイヤフラム部が損傷した場合でも、表面側に浸入するエッチング液によって他の正常な圧力センサが損傷されるのを防止することができる。 - 特許庁

It includes a void S formed in the first layer 11, and an end surface 11a in the first layer 11 formed with wet-etching and slanted so as to direct to the substrate side is exposed inside the void S.例文帳に追加

第１の層１１に形成されたボイドＳを有し、ウェットエッチングにより形成されてなり前記基板側を向くように傾斜した第１の層の端面１１ａが、ボイドＳ内に露出している。 - 特許庁

As a result, even when a part of the diaphragm 3 of the pressure sensor is damaged, it can be prevented that, the etching solution entering the front side damages the other normal pressure sensors.例文帳に追加

これにより、一部の圧力センサのダイヤフラム部３が損傷した場合でも、表面側に浸入するエッチング液によって他の正常な圧力センサが損傷されるのを防止することができる。 - 特許庁

The waveguide layer 109 is in the ridge 111 and whose side surface is exposed by the etching, however, the same does not contain Al whereby the problem of oxidization due to the exposure of the Al containing layer will not be caused.例文帳に追加

導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 - 特許庁

The layered film pattern 24, 25 of Al (alloy) and a high melting point metal are formed as recessed from a photoresist 51 as an etching mask, and in this state, a protective film 38 is formed on the side face of the Al (alloy) film.例文帳に追加

Ａｌ（合金）と高融点金属の積層膜パターン２４、２５をエッチングマスクであるフォトレジスト５１から後退して形成し、この状態でＡｌ（合金）膜の側面に保護膜３８を形成する。 - 特許庁

Front and rear side wiring patterns 26 and 27 are formed on both sides of a lead frame material 23, using first and second resist films 24 and 25, with anti-etching plating 20 and 21 applied on the exposed portions.例文帳に追加

リードフレーム材２３の表裏面に第１及び第２のレジスト膜２４、２５で表側及び裏側配線パターン２６、２７を形成して、これらの露出部分に耐エッチングめっき２０、２１処理を行う。 - 特許庁

Two grooves 21 each having an opening part opening on the side of the recording gap layer 9 toward the lower magnetic pole layer 8 are formed on the both sides of the magnetic pole part of the upper magnetic pole layer 15 by this etching.例文帳に追加

このエッチングにより、上部磁極層１５の磁極部分の両側において、下部磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口する開口部を有する２つの溝部２１が形成される。 - 特許庁

Further, a KCN-based etchant is used for the etching step, thereby rapidly and stably forming the p-side electrode while maintaining the surface smoothness of the semiconductor layer in an excellent state.例文帳に追加

また、エッチング工程にＫＣＮ系エッチャントを用いることにより、半導体層の表面平滑性を良好に維持しつつ、ｐ側電極を迅速かつ安定して形成することが可能となる。 - 特許庁

The impurity region 172 is formed in a disposal level LV2 of the element region 11 lower than a disposal level LV1 of the impurity region 171 by over-etching at the time of forming the side wall 16.例文帳に追加

不純物領域１７２は、サイドウォール１６形成時におけるオーバーエッチングにより、不純物領域１７１の配置レベルＬＶ１より低い素子領域１１の配置レベルＬＶ２に設けられている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises a step for forming the silicon nitride film, where the silicon nitride film e.g. a gate side wall 14 and an etching stopper layer 20 are formed by a catalyst CVD method.例文帳に追加

窒化シリコン膜の成膜工程を有する半導体装置の製造方法であって、この窒化シリコン膜例えばゲートサイドウォール１４、エッチングストッパ層２０を、触媒ＣＶＤ法により成膜する。 - 特許庁

Then, the polycrystalline silicon film is patterned, a booster plate 22 is formed, and an etching stop layer 22a is formed on the upper face of each diffused layer region 16b of the drain side selection gate 16A.例文帳に追加

そして、その多結晶シリコン膜をパターニングして、ブースタープレート２２を形成するとともに、ドレイン側選択ゲート１６Ａの各拡散層領域１６ｂの上面にエッチングストップ層２２ａを形成する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 9 having etching selectivity with the SOG film is formed so that the silicon oxide film 9 is along an upper side face of the gate electrodes MG, SGS, SGD and an upper surface of the SOG film.例文帳に追加

次に、ゲート電極ＭＧ、ＳＧＳ、ＳＧＤの上部側面およびＳＯＧ膜の上面に沿うようにＳＯＧ膜との間でエッチング選択性を有するシリコン酸化膜９を形成する。 - 特許庁

An etching is conducted under the condition that the materials of the silicon substrate 1 and gate electrode 7 are removed while the materials of STI separation film 2, side wall spacer 9, and cap film 8 are not removed.例文帳に追加

ＳＴＩ分離膜２の材質、サイドウォールスペーサ９の材質、及びキャップ膜８の材質は除去されず、シリコン基板１の材質及びゲート電極７の材質は除去される条件下で、エッチングを行う。 - 特許庁

A groove 13 is provided in the side of principal surface 11a of a silicon substrate 11 by forming a resist film 12 on the silicon substrate 11, and then dry-etching the silicon substrate 11 using the resist film 12 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１１上にレジスト膜１２を形成し、そのレジスト膜１２をマスクとしてシリコン基板１１をドライエッチングして、シリコン基板１１の主面１１ａ側に溝部１３を設ける。 - 特許庁

In an initial stage of the etching process a CFbased deposition film 6 is deposited to the pattern sidewall of a resist film 5 to form the opening side face of the resist film 5 vertically to a silicon oxide film 4.例文帳に追加

それにより、エッチング工程の最初の段階で、レジスト膜５のパターン側壁にＣＦ系デポシやション膜６を付着させ、レジスト膜５の開口側面をシリコン酸化膜４に対して垂直に形成する。 - 特許庁

In a first process, a silicon nitride film is formed as a mask pattern from the pressurized liquid chamber side and anisotropic wet etching is performed at a depth required for the pressurized liquid chamber 4.例文帳に追加

流路板３は面方位が（１００）のシリコン基板で形成され、第１の工程は加圧液室側からシリコン窒化膜をマスクパターンとして形成し、加圧液室４に必要な深さの異方性ウェットエッチングを行う。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film is formed on the substrate 1 having the emitter 59 formed thereon, and a sidewall 61A is formed on the side surface of the emitter 59 by etching back the silicon oxide film.例文帳に追加

そして、エミッタ５９が形成された基板１上にシリコン酸化膜を形成し、次に当該シリコン酸化膜をエッチバックすることによって、エミッタ５９の側面にサイドウォール６１Ａを形成する。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 60 are formed at least on side walls of the movable electrode and the fixed electrodes 16b, 22b, and the impurity for suppressing substrate etching for forming the cavity 2 is added thereto.例文帳に追加

少なくとも可動電極と固定電極１６ｂ，２２ｂの側壁には不純物拡散層６０が形成され、空洞２を形成するための基板エッチングを抑制する不純物が添加されている。 - 特許庁

If deviation is generated in the contact hole 62a, the dummy floating gate electrode 42 is exposed at the side surface of the contact hole 62a to function as an etching stopper in order to expose the wide region 15a at the bottom.例文帳に追加

コンタクトホール６２ａに目外れが生じた場合は、コンタクトホール６２ａの側面でダミー浮遊ゲート電極４２を露出させてエッチングストッパとして機能させ、底部で幅広領域１５ａを露出させる。 - 特許庁

As a process modified layer on a corner or side faces of the base substrate is removed by the above etching, polycrystals or crystals of different plane directions are prevented from precipitating around the GaN single crystal ingot.例文帳に追加

前記のエッチングにより下地基板の角や側面の加工変質層が除去されるので、ＧａＮ単結晶インゴットの周囲にポリ結晶や異面方位結晶が析出するのを抑制する。 - 特許庁

Then, with the resist pattern 9 as a mask; the support 7', the Si layer 5, and the SiGe layer 3 are subjected to dry etching successively, and an open surface H for exposing the side of the SiGe layer 3 is formed under the support 7'.例文帳に追加

次に、レジストパターン９をマスクに支持体７´、Ｓｉ層５及びＳｉＧｅ層３を順次ドライエッチングして、支持体７´下にＳｉＧｅ層３の側面を露出する開口面Ｈを形成する。 - 特許庁

As shown in a diagram (c), in a state such that a mask oxide film 4 used for etching a split groove 5 is left, a side-wall oxide film 6 is formed by an extremely thin thermal oxide film with a thickness of about 0.1 μm.例文帳に追加

同図（ｃ）に示すように、分離溝５のエッチングに使用したマスク酸化膜４を残した状態で側壁酸化膜６を０．１μｍ程度の極めて薄い熱酸化膜で形成する。 - 特許庁

Furthermore, on another principal surface 16 of the piezoelectric blank 12, a groove portion 24 is provided which faces a bottom surface 18a of the recessed portion 18, along a direction across a side on which the etching residue becomes maximum.例文帳に追加

また圧電素板１２の他方の主面１６には、エッチング残渣が最も大きくなる辺に交差する方向に沿い、且つ、凹陥部１８の底面１８ａに対向した溝部２４を設けている。 - 特許庁

Then, anisotropic dry etching is made successively on the insulating films 108, 107, and 105, thus forming sidewall spacers 109 and 110 on the side of the gate electrodes 103A and 103B.例文帳に追加

その後、絶縁膜１０８、１０７及び１０５に対して順次異方性ドライエッチングを行なって、ゲート電極１０３Ａ及び１０３Ｂの側面にサイドウォールスペーサ１０９及び１１０を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a gate electrode, having a vertical side shape by overetching films etched by a first etching step by using a mixed etchant of a fluorine etchant and a chlorine etchant.例文帳に追加

フッ素系エッチャントと塩素系エッチャントとの混合エッチャントを用いて第１エッチングステップを過度エッチングすることによって垂直した側面形状を有するゲート電極を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The substrate is used for the mask blank having the substrate and a thin film formed on the front side main surface of the substrate, for manufacturing the imprint mold by etching the thin film and the substrate.例文帳に追加

基板と該基板の表側主表面上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのマスクブランクに用いる基板である。 - 特許庁

In the intersection parts 7, however, the remaining of the wire- shaped protective films 23 is averted by the diffraction of the light through the slit 12 and side etching and therefore there is no occurrence of the level differences which are the case for the step disconnection of the signal lines 6.例文帳に追加

しかし、交差部７では、スリット１２を通じた光の回折と、サイドエッチングとにより線状保護膜２３が残らないので、信号線６の段切れの原因となる段差が生じない。 - 特許庁

This kind of the reflection film 9 is manufactured by forming plural island shaped resist patterns radially divided by narrow grooves 22 into n side faces (n=3, 4, etc.), on the metal film 1 and dry etching them.例文帳に追加

このような反射膜９は、細溝22をよって放射状にｎ分割（ｎ＝３、４、・・・）した複数の島状のレジストパターンを金属膜１の上に形成し、ドライエッチングを行うことによって製造する。 - 特許庁

It is preferable that V grooves 3 are formed in the metal plate 1 by press simultaneously with forming the pilot holes 2 so that the side edge portion 1a where the pilot holes 2 are formed can be separated before etching.例文帳に追加

パイロットホール２を形成すると同時に、パイロットホール２の形成される側縁部分１ａがエッチング加工前に分離できるように、プレス加工により金属板材１にＶ溝３を施すことが好ましい。 - 特許庁

Holes H3 having almost equal widths are formed in the whole body of a substrate 10 having an active surface 10a on which an electronic circuit is formed by performing anisotropic etching on the substrate 10 from the active surface 10a side.例文帳に追加

電子回路が形成された能動面１０ａを有する基板１０を、能動面１０ａ側から異方性エッチングによりエッチングし、全体に亘って幅がほぼ同一な孔部Ｈ３を形成する。 - 特許庁

Then a p-type gauge diffusion resistance layer 18 is formed on the epitaxial layer 11, and aluminum wiring 26 for supplying a voltage used for electrochemical etching is formed on the surface side of the epitaxial layer 11.例文帳に追加

エピタキシャル層１１にｐ型のゲージ拡散抵抗層１８を形成し、エピタキシャル層１１の表面側に電気化学エッチング用の電圧を供給するためのアルミ配線２６を形成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a microphone, for forming a cavity in a semiconductor substrate by etching from a front surface side and easily forming vent holes with large acoustic resistance.例文帳に追加

表面側からのエッチングによって半導体基板に空洞を形成することができると共に、音響抵抗の大きなベントホールを容易に作製することのできるマイクロフォンの製造方法を提供する。 - 特許庁